silicon carbide substrates

炭化ケイ素基板

基板は半導体チップの基本材料であり、抵抗率により導電型と半絶縁型に分けられます。炭化ケイ素基板で作られた半導体デバイスは、高温、高電圧、大電力のアプリケーション要件をよりよく満たすことができ、形状は一般的に円形で、直径は通常2インチ(50mm)、3インチ(75mm)、4インチ(100mm)です。 )、6 インチ (150mm)、8 インチ (200mm) およびその他の仕様。

すべての炭化ケイ素基板を見る

SiC基板の特性

â© 高温での優れた安定性

炭化珪素基板は、良好な高温安定性を有し、高温の使用環境において炭化珪素基板によって生じる格子変形が小さく、膨張変形や制御不能な熱膨張が現れにくい

â© 高い化学的安定性

炭化ケイ素基材は耐食性に優れており、酸、アルカリ環境の腐食に耐えることができます。化学的安定性が良好で、長期使用でも腐食の問題がありません。

â© 優れた機械的特性

炭化ケイ素基材は機械的強度と硬度に優れ、大きな圧力とトルク力に耐えることができ、耐摩耗性が良好です。一方、その弾性率は大きく、ヤング率が高く、変形したり、互いに貼り付けたりするのは容易ではありません。

<31​​> <32><33> <34><35> <36><37> <38> <39> <40>

<2>炭化ケイ素材料<3>の技術データ <4><5> <6> <7> <8> <9>アイテム<10> <11>ユニット<12> <13>インデックスデータ<14> <15> <16> <17>反応焼結SiC<18>(SiSiC)<19> <20>SiCと結合した窒化ケイ素<21>(NBSiC)<22> <23>SiCn無加圧焼結体<24>(SSiC)<25> <26> <27> <28>SiC含有量<29> <30>%<31> <32>85<33> <34>80<35> <36>99<37> <38> <39> <40>無料のシリコン含有量<41> <42>%<43> <44>15<45> <46>0<47> <48>0<49> <50> <51> <52>最大。使用温度<53> <54>~<55> <56>1380<57> <58>1550<59> <60>1600<61> <62> <63> <64>密度<65> <66>g/cm3<67> <68>3.02<69> <70>2.72<71> <72>3.1<73> <74> <75> <76>気孔率<77> <78>%<79> <80>0<81> <82>12<83> <84>0<85> <86> <87> <88>曲げ強度<89> <90>20?<91> <92>MPa<93> <94>250<95> <96>160<97> <98>380<99> <100> <101> <102>1200?<103> <104>MPa<105> <106>280<107> <108>180<109> <110>400<111> <112> <113> <114>弾性率<115> <116>20â<117> <118>GPa<119> <120>330<121> <122>220<123> <124>420<125> <126> <127> <128>1200?<129> <130>GPa<131> <132>300<133> <134>/<135> <136>/<137> <138> <139> <140>熱伝導率<141> <142>1200?<143> <144>W/m.k<145> <146>45<147> <148>15<149> <150>74<151> <152> <153> <154>熱膨張係数<155> <156>K-1×10-6<157> <158>4.5<159> <160>5<161> <162>4.1<163> <164> <165> <166>ビッカース硬度<167> <168>HV<169> <170>kg/mm2<171> <172>2500<173> <174>2500<175> <176>2800<177> <178> <179> <180> <181> <182> <183>*この表は、当社のSiC製品および部品の製造に一般的に使用される炭化ケイ素材料の標準特性を示しています。カスタマイズされた炭化ケイ素製品および部品の特性は、関与する特定のプロセスによって異なる場合があることに注意してください。<184>




SiC基板の主な用途

炭化ケイ素基板は半導体チップの基本材料であり、シリコン基板と比較して、高温、高電圧、高周波、大電力のニーズをよりよく満たすことができ、電気自動車、太陽光発電、鉄道輸送などに広く使用されています。 、データセンター、充電パイルおよびその他の製品および機器。

1.ハイパワーデバイス(導電性タイプ)

炭化ケイ素基板は、高い熱伝導率、高い絶縁破壊電界強度、低いエネルギー損失を備えており、パワーモジュールやドライブモジュールなどの高出力デバイスの製造に適しています。

2.高周波電子機器(半絶縁型)〈11〉 <12>炭化ケイ素基板は導電性が高く、高周波作業のニーズを満たすことができ、RF パワーアンプ、マイクロ波デバイス、高周波スイッチに適しています。<13> <14><15> <16>3.光電子デバイス(半絶縁型)<17> <18>炭化ケイ素基板は、広いエネルギーギャップと高い熱安定性を備えており、フォトダイオード、太陽電池、レーザーダイオードおよびその他のデバイスの製造に適しています。<19> <20><21> <22>4. 温度センサー(導電型)<23> <24>炭化ケイ素基板は高い熱伝導率と熱安定性を備えており、広い動作範囲と高精度の温度センサーの製造に適しています。<25>

カスタマイズされたサービス

カスタマイズリクエストのプロセス

→図面とサンプルの提供

â© 製造ソリューションおよび製造方法の評価

â© コストの計算と見積り

â© モジュール費用の支払い

→サンプル納品

→サンプルの評価と確認

â© 大量注文の前払い

→量産

â© 製品の一括納品

ATcera の炭化ケイ素基板を選ぶ理由

サプライヤーの広範な専門知識

先進工業用セラミックスの分野で 20 年以上の経験を持つ ATCERA は、専門的な技術サポートと最適化されたソリューションを提供できます。

高度な生産インフラ

高度な加工設備と厳格な品質管理システム。

確実なバッチ供給

安定した生産能力とサプライチェーン、バッチ配送が十分に保証されています。

優れた費用対効果

高いコストパフォーマンスと万全のアフターサービス。

よくある質問

当社はアルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、石英セラミックスなどの先進的なセラミック材料に主に焦点を当てていますが、常に新しい材料と技術を模索しています。特定の材料要件がある場合は、当社までご連絡ください。お客様のニーズを満たすか、適切なパートナーを見つけるために最善を尽くします。

絶対に。当社の技術チームはセラミック材料に関する深い知識と製品設計における豊富な経験を持っています。お客様の製品の最適なパフォーマンスを確保するために、材料選択のアドバイスと製品設計のサポートを喜んで提供させていただきます

当社には固定の最低注文金額要件はありません。私たちは常にお客様のニーズを満たすことに重点を置き、注文の規模に関係なく、高品質のサービスと製品を提供するよう努めています

セラミック製品に加えて、当社は以下のような追加サービスも提供します。お客様のニーズに基づいて、お客様自身で製造したブランクまたは半完成ブランクを使用したカスタマイズされたセラミック加工サービス。外部委託のセラミックパッケージングおよびメタライゼーションサービスにご興味がございましたら、詳細についてお問い合わせください。当社は、お客様のさまざまなニーズを満たすワンストップ ソリューションを提供することに常に取り組んでいます。

はい、そうです。世界中のどこにお住まいであっても、ご注文の商品を安全かつタイムリーにお届けいたします。

お問い合わせを送信

アップロード
* File ONLY PDF/JPG./PNG. Available.
Submit Now

お問い合わせ

お問い合わせ
以下のフォームにできる限り記入してください。細かいことは気にしないでください。
提出する
Looking for ビデオ?
お問い合わせ #
19311583352

オフィスアワー

  • 月曜日から金曜日: 午前 9 時から午後 12 時、午後 2 時から午後 5 時 30 分

当社の営業時間は、グリニッジ標準時 (GMT) より 8 時間進んだ北京時間に基づいていることにご注意ください。お問い合わせや面談の日程調整につきましては、ご理解とご協力を賜りますようお願い申し上げます。お急ぎの場合や営業時間外のご質問につきましては、メールにてお気軽にお問い合わせください。できるだけ早くご連絡させていただきます。平素は格別のお引き立てを賜り、誠にありがとうございます。今後ともよろしくお願いいたします。

製品

whatsApp

接触