基板は半導体チップの基本材料であり、抵抗率により導電型と半絶縁型に分けられます。炭化ケイ素基板で作られた半導体デバイスは、高温、高電圧、大電力のアプリケーション要件をよりよく満たすことができ、形状は一般的に円形で、直径は通常2インチ(50mm)、3インチ(75mm)、4インチ(100mm)です。 )、6 インチ (150mm)、8 インチ (200mm) およびその他の仕様。
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炭化ケイ素基板
基板は半導体チップの基本材料であり、抵抗率により導電型と半絶縁型に分けられます。炭化ケイ素基板で作られた半導体デバイスは、高温、高電圧、大電力のアプリケーション要件をよりよく満たすことができ、形状は一般的に円形で、直径は通常2インチ(50mm)、3インチ(75mm)、4インチ(100mm)です。 )、6 インチ (150mm)、8 インチ (200mm) およびその他の仕様。
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SiC基板の特性
â© 高温での優れた安定性
炭化珪素基板は、良好な高温安定性を有し、高温の使用環境において炭化珪素基板によって生じる格子変形が小さく、膨張変形や制御不能な熱膨張が現れにくい
。â© 高い化学的安定性
炭化ケイ素基材は耐食性に優れており、酸、アルカリ環境の腐食に耐えることができます。化学的安定性が良好で、長期使用でも腐食の問題がありません。
â© 優れた機械的特性
炭化ケイ素基材は機械的強度と硬度に優れ、大きな圧力とトルク力に耐えることができ、耐摩耗性が良好です。一方、その弾性率は大きく、ヤング率が高く、変形したり、互いに貼り付けたりするのは容易ではありません。
SiC基板の主な用途
炭化ケイ素基板は半導体チップの基本材料であり、シリコン基板と比較して、高温、高電圧、高周波、大電力のニーズをよりよく満たすことができ、電気自動車、太陽光発電、鉄道輸送などに広く使用されています。 、データセンター、充電パイルおよびその他の製品および機器。
1.ハイパワーデバイス(導電性タイプ)
炭化ケイ素基板は、高い熱伝導率、高い絶縁破壊電界強度、低いエネルギー損失を備えており、パワーモジュールやドライブモジュールなどの高出力デバイスの製造に適しています。
2.高周波電子機器(半絶縁型)〈11〉 <12>炭化ケイ素基板は導電性が高く、高周波作業のニーズを満たすことができ、RF パワーアンプ、マイクロ波デバイス、高周波スイッチに適しています。<13> <14><15> <16>3.光電子デバイス(半絶縁型)<17> <18>炭化ケイ素基板は、広いエネルギーギャップと高い熱安定性を備えており、フォトダイオード、太陽電池、レーザーダイオードおよびその他のデバイスの製造に適しています。<19> <20><21> <22>4. 温度センサー(導電型)<23> <24>炭化ケイ素基板は高い熱伝導率と熱安定性を備えており、広い動作範囲と高精度の温度センサーの製造に適しています。<25>
カスタマイズされたサービス
カスタマイズリクエストのプロセス
→図面とサンプルの提供
â© 製造ソリューションおよび製造方法の評価
â© コストの計算と見積り
â© モジュール費用の支払い
→サンプル納品
→サンプルの評価と確認
â© 大量注文の前払い
→量産
â© 製品の一括納品
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