窒化ケイ素セラミック基板は、高純度の窒化ケイ素粉末で作られた新世代の半導体基板材料であり、優れた熱伝導性と絶縁性、高い機械的強度と硬度、小さな熱膨張係数、良好な耐熱衝撃性能を備え、半導体で広く使用されています。パワーコンポーネント、インバーター、パワーモジュール、マルチデバイス集積回路などを含む集積回路
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窒化ケイ素基板
窒化ケイ素セラミック基板は、高純度の窒化ケイ素粉末で作られた新世代の半導体基板材料であり、優れた熱伝導性と絶縁性、高い機械的強度と硬度、小さな熱膨張係数、良好な耐熱衝撃性能を備え、半導体で広く使用されています。パワーコンポーネント、インバーター、パワーモジュール、マルチデバイス集積回路などを含む集積回路
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Si3N4基板の特性
1. 高温耐性、最高使用温度は 1300 °C に達することができます。
2.大きな熱伝導率、最大 95W/(?*m)、小さな熱膨張係数、わずか 3*10-6/?、優れた耐熱衝撃性を備えています。
3.高い機械的強度、良好な靭性、機械的衝撃に対する強い耐性;
4.優れた電気絶縁性、高い絶縁破壊電圧、大きな電流容量;
5.さまざまな酸、アルカリ、その他の化学物質の侵食に耐えることができ、耐食性は非常に優れています。
Si3N4タイプ | ガス圧焼結Si3N4 | Si3N4 ホットプレス焼結 |
密度(g/cm3) | 3.2 | 3.3 |
曲げ強さ(MPa) | 700 | 900 |
ヤング率 (GPa) | 300 | 300 |
ポアソン比 | 0.25 | 0.28 |
圧縮強度(MPa) | 2500 | 3000 |
硬度(GPa) | 15 | 16 |
破壊靱性(MPa・m1/2) | 5~7 | 6~8 |
最高使用温度 (°C) | 1100 | 1300 |
熱伝導率(W/m*K) | 20 | 25 |
熱膨張係数(/) | 3*10-6 | 3.1*10-6 |
耐熱衝撃性(ΔT?) | 550 | 800 |
*この表は、当社のSi3N4製品および部品の製造に一般的に使用される窒化ケイ素材料の標準特性を示しています。カスタマイズされた窒化ケイ素製品および部品の特性は、関与する特定のプロセスによって異なる場合があることに注意してください。詳細なパラメータは、安定化剤の種類と組成によって決定されます。
Si3N4基板の主な用途
窒化ケイ素セラミック基板は、主に半導体、エレクトロニクス、その他のマイクロエレクトロニクスデバイスの製造において、集積回路(IC)、高周波(RF)デバイス、圧電部品、光電部品、センサー、MEMS などのチップおよび電子部品の基板として使用されます。その他のマイクロ電子デバイス。高性能材料として、窒化ケイ素セラミック基板は安定した支持プラットフォームを提供し、コンポーネントの正常な動作と性能を保証します
。1.電子産業への応用
窒化ケイ素セラミック基板は、高い絶縁性能と優れた高温耐性を備えており、電子部品の高い信頼性と高性能の要件を満たすことができ、主に電子コンデンサ、抵抗器、磁性部品などの電子部品の製造に使用されます。の上。さらに、高周波信号の安定した伝送を確保するための高速通信機器の中間層の製造にも使用できます。 <8><9> <10>2.光電産業<11> <12>窒化ケイ素セラミック基板は優れた熱性能と機械的強度を提供することができ、光電産業、特に高出力 LED の製造で広く使用されており、LED コンポーネントの安定性と寿命を保証します。さらに、太陽電池パネルの機械的強度と耐薬品性を高めるための支持材の製造にも使用できます<13>。 <14><15> <16>3.電気産業<17> <18>窒化ケイ素セラミック基板は、優れた絶縁性能と良好な放熱性を備えており、パワーモジュール、加熱モジュールなどのさまざまな高出力電気部品の製造に使用でき、電気機器の耐用年数と信頼性を効果的に確保します。 .<19>
カスタマイズされたサービス
カスタマイズリクエストのプロセス
→図面とサンプルの提供
â© 製造ソリューションおよび製造方法の評価
â© コストの計算と見積り
â© モジュール費用の支払い
→サンプル納品
→サンプルの評価と確認
â© 大量注文の前払い
→量産
â© 製品の一括納品
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