Beryllium oxide substrate
Beryllium oxide substrate
Beryllium oxide substrate

酸化ベリリウムセラミック基板 BeO基板

酸化ベリリウムセラミック基板は、酸化ベリリウム粉末を原料とし、成形後高温で焼結したものです。優れた熱伝導性、低い誘電率と誘電損失、信頼性の高い絶縁性能、高温耐性、耐食性を備えています。マイクロ波機器、通信機器、高輝度LED、パワーエレクトロニクス機器、特に各種高出力機器や集積回路に広く使用されています。酸化ベリリウム セラミック基板の高い熱伝導率により、安定した動作が強力に保証されます。

  • ブランド:

    ATCERA
  • 商品番号:

    AT-BeO-J1001
  • 材料

    BeO
  • 形状

    Substrate
  • アプリケーション

    Semiconductor , Electronics and Electricity
Beryllium oxide ceramic substrate

酸化ベリリウムセラミック基板の特性

1.熱伝導率が高く、アルミナ基板の約10倍となる最大310W/(¸*m)を誇ります。高温耐性があり、耐熱衝撃性も良好です。

2.優れた電気絶縁性、高い絶縁破壊電圧、大きな電流容量。

3.誘電率が 7 程度と低く、誘電損失も非常に低いため、信号伝送時のエネルギー損失を低減できます。

Beryllium oxide substrate

BeO 基板の応用

酸化ベリリウムセラミック基板は優れた熱伝導性能を備えており、主に半導体、エレクトロニクス、その他のマイクロエレクトロニクスデバイスの製造において、集積回路(IC)、高周波(RF)デバイス、圧電部品などのチップや電子部品の基板として使用されます。光電コンポーネント、センサー、MEMS、その他のマイクロ電子デバイス。高性能材料として、酸化ベリリウムセラミック基板は安定した支持プラットフォームを提供し、コンポーネントの正常な動作と性能を保証します。

1. LED チップ: 酸化ベリリウム セラミック基板は優れた熱伝導性と機械的強度を備えており、高輝度 LED チップの製造に使用でき、LED の発光効率を大幅に向上させます。

2. 電子部品:酸化ベリリウムセラミック基板は、パワー半導体デバイス、マイクロ波デバイス、センサー、高周波モジュールなどのさまざまな高出力および高性能電子部品の製造に使用でき、より安定した動作を実現します。条件とより高いパフォーマンス指標。

3.光電デバイス: 酸化ベリリウムセラミック基板は、レーザーダイオード、太陽電池、光検出器、光通信デバイスなどを含む光電子部品の製造に使用できます

酸化ベリリウムセラミック基板

のサイズチャート

当社は、お客様の正確な仕様に合わせたプライム酸化ベリリウム基板を提供することに尽力しています。当社の専任チームは、お客様の指示に細心の注意を払い、お客様の期待を超えるよう努めます。さらに、お客様固有の要件に合わせてカスタマイズされたサイズの柔軟性も提供します。

カスタマイズされた設計要求の場合は、図面とパラメータ要件を提供する必要があります。

加工公差:表面粗さ:Ra0.05〜Ra0.8。反りの程度: ≤2 ``.

酸化ベリリウムセラミック基板角型
アイテムNO. 長さ×幅
(mm)
厚み
(mm)
AT-BeO-J1001 50.8*50.8 0.38
AT-BeO-J1002 76.2*76.2 0.38
AT-BeO-J1003 101.6*101.6 0.38
AT-BeO-J1004 114.3*114.3 0.38
AT-BeO-J1005 32.1*9 0.5
AT-BeO-J1006 40*9 0.5
AT-BeO-J1007 45*2.5 0.5
AT-BeO-J1008 50.8*50.8 0.5
AT-BeO-J1009 76.2*76.2 0.5
AT-BeO-J1010 101.6*101.6 0.5
AT-BeO-J1011 114.3*114.3 0.5
AT-BeO-J1012 7*6 0.635
AT-BeO-J1013 40*30 0.635
AT-BeO-J1014 42*42 0.635
AT-BeO-J1015 50.8*50.8 0.635
AT-BeO-J1016 76.2*76.2 0.635
AT-BeO-J1017 101.6*101.6 0.635
AT-BeO-J1018 114.3*114.3 0.635
AT-BeO-J1019 25.5*19.5 1
AT-BeO-J1020 27*18.2 1
AT-BeO-J1021 36.7*9.7 1
AT-BeO-J1022 46.8*22.4 1
AT-BeO-J1023 50.8*50.8 1
AT-BeO-J1024 76.2*76.2 1
AT-BeO-J1025 101.6*101.6 1
AT-BeO-J1026 114.3*114.3 1
AT-BeO-J1027 12.7*10 1.5
AT-BeO-J1028 30*30 1.5
AT-BeO-J1029 50.8*50.8 1.5
AT-BeO-J1030 76.2*76.2 1.5
AT-BeO-J1031 101.6*101.6 1.5
AT-BeO-J1032 114.3*114.3 1.5

<31​​1> <312> <31​​3> <314> <315> <316>酸化ベリリウムセラミック基板ラウンド<317> <318> <319> <320>アイテムNO.<321> <322>直径<323>(mm)<324> <325>厚み<326>(mm)<327> <328> <329> <330>AT-BeO-J2001<331> <332>20<333><334>1.0 <335> <336> <337> <338>AT-BeO-J2002<339> <340>26<341> <342>1.0 <343> <344> <345> <346>AT-BeO-J2003<347> <348>30<349> <350>1.0 <351> <352> <353> <354>AT-BeO-J2004<355> <356>35<357> <358>1.0 <359> <360> <361> <362>AT-BeO-J2005<363> <364>50<365> <366>1.0 <367> <368> <369> <370>AT-BeO-J2006<371> <372>52<373> <374>1.0 <375> <376> <377> <378>AT-BeO-J2007<379> <380>60<381> <382>1.0 <383> <384> <385> <386>AT-BeO-J2008<387> <388>75<389> <390>1.0 <391> <392> <393> <394>AT-BeO-J2009<395> <396>100<397> <398>1.0 <399> <400> <401> <402>AT-BeO-J2010<403> <404>110<405> <406>1.0 <407> <408> <409> <410>AT-BeO-J2011<411> <412>20<413> <414>1.2 <415> <416> <417> <418>AT-BeO-J2012<419> <420>26<421> <422>1.2 <423> <424> <425> <426>AT-BeO-J2013<427> <428>30<429> <430>1.2 <431> <432> <433> <434>AT-BeO-J2014<435> <436>35<437> <438>1.2 <439> <440> <441> <442>AT-BeO-J2015<443> <444>50<445> <446>1.2 <447> <448> <449> <450>AT-BeO-J2016<451> <452>52<453> <454>1.2 <455> <456> <457> <458>AT-BeO-J2017<459> <460>60<461> <462>1.2 <463> <464> <465> <466>AT-BeO-J2018<467><468>75<469> <470>1.2 <471> <472> <473> <474>AT-BeO-J2019<475> <476>100<477> <478>1.2 <479> <480> <481> <482>AT-BeO-J2020<483> <484>110<485> <486>1.2 <487> <488> <489> <490>AT-BeO-J2021<491> <492>20<493> <494>1.5 <495> <496> <497> <498>AT-BeO-J2022<499> <500>26<501> <502>1.5 <503> <504> <505> <506>AT-BeO-J2023<507> <508>30<509> <510>1.5 <511> <512> <513> <514>AT-BeO-J2024<515> <516>35<517> <518>1.5 <519> <520> <521> <522>AT-BeO-J2025<523> <524>50<525> <526>1.5 <527> <528> <529> <530>AT-BeO-J2026<531> <532>52<533> <534>1.5 <535> <536> <537> <538>AT-BeO-J2027<539> <540>60<541> <542>1.5 <543> <544> <545> <546>AT-BeO-J2028<547> <548>75<549> <550>1.5 <551> <552> <553> <554>AT-BeO-J2029<555> <556>100<557> <558>1.5 <559> <560> <561> <562>AT-BeO-J2030<563> <564>110<565> <566>1.5 <567> <568> <569> <570>AT-BeO-J2031<571> <572>20<573> <574>2.0 <575> <576> <577> <578>AT-BeO-J2032<579> <580>26<581> <582>2.0 <583> <584> <585> <586>AT-BeO-J2033<587> <588>30<589> <590>2.0 <591> <592> <593> <594>AT-BeO-J2034<595> <596>35<597> <598>2.0 <599> <600> <601> <602>AT-BeO-J2035<603> <604>50<605> <606>2.0 <607> <608> <609> <610>AT-BeO-J2036<611> <612>52<613> <614>2.0 <615> <616> <617> <618>AT-BeO-J2037<619> <620>60<621> <622>2.0 <623> <624> <625> <626>AT-BeO-J2038<627> <628>75<629> <630>2.0 <631> <632> <633> <634>AT-BeO-J2039<635> <636>100<637> <638>2.0 <639> <640> <641> <642>AT-BeO-J2040<643> <644>110<645> <646>2.0 <647> <648> <649> <650>AT-BeO-J2041<651> <652>20<653> <654>2.5 <655> <656> <657> <658>AT-BeO-J2042<659> <660>26<661> <662>2.5 <663> <664> <665> <666>AT-BeO-J2043<667> <668>30<669> <670>2.5 <671> <672> <673> <674>AT-BeO-J2044<675> <676>35<677> <678>2.5 <679> <680> <681> <682>AT-BeO-J2045<683> <684>50<685> <686>2.5 <687> <688> <689> <690>AT-BeO-J2046<691> <692>52<693> <694>2.5 <695> <696> <697> <698>AT-BeO-J2047<699> <700>60<701> <702>2.5 <703> <704> <705> <706>AT-BeO-J2048<707> <708>75<709> <710>2.5 <711> <712> <713> <714>AT-BeO-J2049<715> <716>100<717> <718>2.5 <719> <720> <721> <722>AT-BeO-J2050<723> <724>110<725> <726>2.5 <727> <728> <729> <730>AT-BeO-J2051<731> <732>20<733> <734>3.0 <735> <736><737> <738>AT-BeO-J2052<739> <740>26<741> <742>3.0 <743> <744> <745> <746>AT-BeO-J2053<747> <748>30<749> <750>3.0 <751> <752> <753> <754>AT-BeO-J2054<755> <756>35<757> <758>3.0 <759> <760> <761> <762>AT-BeO-J2055<763> <764>50<765> <766>3.0 <767> <768> <769> <770>AT-BeO-J2056<771> <772>52<773> <774>3.0 <775> <776> <777> <778>AT-BeO-J2057<779> <780>60<781> <782>3.0 <783> <784> <785> <786>AT-BeO-J2058<787> <788>75<789> <790>3.0 <791> <792> <793> <794>AT-BeO-J2059<795> <796>100<797> <798>3.0 <799> <800> <801> <802>AT-BeO-J2060<803> <804>110<805> <806>3.0 <807> <808> <809> <810> <811> <812> <813> <814> <815> <816> <817> <818> <819> <820>



<2>酸化ベリリウム材料<3>の技術データ <4> <5> <6> <7>BeOタイプ<8> <9>Be-97<10> <11>Be-99<12> <13> <14> <15>BeO純度<16> <17>â§97%<18> <19>â§99%<20> <21> <22> <23>密度 (g/cm<24>3<25>)<26> <27>§2.85<28> <29>§2.85<30> <31> <32> <33>曲げ強さ(MPa)<34> <35>170<36> <37>190<38> <39> <40> <41>硬度(Hv)<42> <43>1200<44> <45>1250<46> <47> <48> <49>破壊靱性(MPa・m<50>1/2<51>)<52> <53>2.5~3.5<54> <55>2.5~3.5<56> <57> <58> <59>最高使用温度 (°C)<60> <61>1600<62> <63>1650<64> <65> <66> <67>熱伝導率(W/m*K)<68> <69>220-240<70> <71>260-310<72> <73> <74> <75>熱膨張係数(/)<76> <77>7~8.5*10<78>-6<79> <80>7~8.5*10<81>-6<82> <83> <84> <85>誘電率(1MHz時)<86> <87>6.5<88> <89>7<90> <91> <92> <93>耐電圧 (kV/mm)<94> <95>15<96> <97>20<98> <99> <100> <101> <102> <103> <104> <105> <106>*この表は、BeO 製品および部品の製造に一般的に使用される酸化ベリリウム材料の標準特性を示しています。カスタマイズされた酸化ベリリウム製品および部品の特性は、関与する特定のプロセスによって異なる場合があることに注意してください。<107> <108> <109> <110> <111> <112> <113> <114> <115> <116> <117>








使用上の注意

1.使用中の衝突や衝撃は損傷を避けるためのものです。
2.酸化ベリリウムセラミック基板の使用温度は厳密に管理され、長時間の高温作業は避けなければなりません。
3.酸化ベリリウムセラミック基板は、酸、アルカリ、塩、その他の化学物質に対して優れた耐食性を持っていますが、強酸、特にフッ化水素酸との接触は避けなければなりません
4.酸化ベリリウムセラミック基板の表面は塵や埃で汚染されやすく、性能や耐用年数に影響を与える可能性があるため、使用中は定期的に洗浄して表面を清潔で光沢のある状態に保つ必要があります

貴重な情報

BeO Substrate Packing

BeO基板パッキン

酸化ベリリウム基板は、潜在的な損傷を避けるために、適切な容器に慎重に梱包されています。

<31​​> <32> <33> <34>

カスタマイズの利点
カスタマイズの利点

1.アプリケーションシナリオに従って、ニーズを分析し、適切な材料と加工計画を選択します。

2. 専門チームが迅速に対応し、要求を確認してから 24 時間以内にソリューションと見積もりを提供します。

3. 柔軟なビジネス協力メカニズム、少なくとも 1 つの数量カスタマイズをサポートします。

4. 製品がお客様のニーズを満たしていることを確認するために、サンプルとテストレポートを迅速に提供します。

5. 使用コストを削減するために、製品の使用とメンテナンスに関する提案を提供します。

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高性能熱管理ソリューションの中核として窒化ケイ素 (Si3N4) 基板材料を探求する場合、その熱伝達メカニズムを理解することが重要です。窒化ケイ素の主な熱伝達メカニズムは、フォノンと呼ばれる量子化された熱電荷キャリアを介して熱を伝達するプロセスである格子振動に依存することが知られています。 格子内でのフォノンの伝播は単純な直線運動ではなく、格子間の複雑な結合の影響を受けるため、フォノン間の衝突が頻繁に発生し、フォノンの平均自由行程、つまり平均値が大幅に減少します。フォノンが 2 回の衝突の間に自由に移動できる距離。このメカニズムは、窒化ケイ素材料の熱伝導率に直接影響します。[7] さらに、Si3N4 結晶内のさまざまな欠陥、不純物、粒子界面がフォノン散乱の主な原因となります。これらの散乱現象はフォノンの平均自由行程の減少にもつながり、その結果、材料全体の熱伝導率が低下します。特に、窒化ケイ...
半導体デバイスの放熱分野における窒化ケイ素基板の応用可能性
インテリジェント情報時代に入ってから、半導体デバイスは急速に私たちの生活を占めるようになりました。ワークから発生する熱は半導体デバイスの故障を引き起こす重要な要因であるため、デバイスの故障に起因する多くのトラブルを回避し、長期間有効かつ安全に動作させるためには、効率的な放熱機能を備える必要があります。システム 現在、業界の「放熱」の取り組みにおいて、新電力セラミック基板の交換は非常に重要な部分です。セラミック基板は、優れた耐高温性、耐食性、高い熱伝導性、高い機械的強度、チップに合わせた熱膨張率、特性劣化が少ないなどの特徴を持ち、金属やプラスチックなどの材料に比べて有利であり、高熱や高温を使用する製品に適しています。過酷な屋外環境に耐えられるため、一般の人々にますます広く受け入れられています[7]。 セラミック基板は、半導体集積回路において次の役割を果たします。チップおよび電子部品に機械的サ...
焼結助剤を最適化してAlN基板の性能を向上
実際の応用では、窒化アルミニウム基板は、高い熱伝導率と高い電気絶縁特性に加えて、多くの分野で高い曲げ強度も要求されます。現在、市場に流通している窒化アルミニウムの三点曲げ強度は通常400~500MPaであり、特に高い信頼性が要求されるIGBTパワーデバイスの分野において、窒化アルミニウムセラミック基板の普及と応用が著しく制限されている。 AlN 材料の複雑な製造プロセスと高い製造コストにより、国内の AlN 材料のほとんどは依然として高熱伝導率と高強度の用途要件を満たすことができません。 窒化アルミニウムセラミック基板の製造では、焼結方法と焼結助剤の選択により、半分の労力で2倍の結果が得られることが多く、現在、焼結助剤の導入は窒化アルミニウムセラミックを焼結するための一般的な方法です。一方で、低温共晶相の形成、液相焼結の実現により、緻密なボディが促進される。一方、窒化アルミニウムは酸素不純...
AlN基板上への厚膜抵抗体の作製技術
マイクロエレクトロニクスのパッケージング技術の継続的な進歩に伴い、電子部品の出力と集積度が大幅に向上し、単位体積あたりの発熱量が大幅に増加し、放熱効率(つまり、放熱効率)に対する要件がより厳しくなりました。 、その熱伝導性能)を備えた新世代の回路基板。現在、研究者らは、窒化アルミニウム (AlN)、炭化ケイ素 (SiC)、酸化ベリリウムなど、熱伝導率の高いさまざまなセラミック基板材料の開発に取り組んでいます。 BeO)。ただし、BeO はその毒性により環境的に制限されています。 SiC は誘電率が高いため、基板材料としての使用には適していません。対照的に、AlN はシリコン (Si) 材料と同様の熱膨張係数と適度な誘電率を備えているため、基板材料として最適な選択肢です。[7] 伝統的に、厚膜スラープは主にアルミナ (Al2O3) 基板用に設計されていますしかし、これらのスラープの組成は、A...

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絶対に。当社の技術チームはセラミック材料に関する深い知識と製品設計における豊富な経験を持っています。お客様の製品の最適なパフォーマンスを確保するために、材料選択のアドバイスと製品設計のサポートを喜んで提供させていただきます

当社には固定の最低注文金額要件はありません。私たちは常にお客様のニーズを満たすことに重点を置き、注文の規模に関係なく、高品質のサービスと製品を提供するよう努めています

セラミック製品に加えて、当社は以下のような追加サービスも提供します。お客様のニーズに基づいて、お客様自身で製造したブランクまたは半完成ブランクを使用したカスタマイズされたセラミック加工サービス。外部委託のセラミックパッケージングおよびメタライゼーションサービスにご興味がございましたら、詳細についてお問い合わせください。当社は、お客様のさまざまなニーズを満たすワンストップ ソリューションを提供することに常に取り組んでいます。

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