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現代の電子技術の急速な発展に伴い、マイクロ波 RF コンポーネントおよび高周波回路の設計はますます複雑になり、コンポーネントの性能要件はますます高くなっています。これらのニーズを満たすために、薄膜技術は、先進のマイクロエレクトロニクス技術として、マイクロ波部品や高周波回路の設計においてますます重要な役割を果たしています。この記事では、薄膜減衰器、薄膜カプラー、薄膜ブリッジ、薄膜抵抗器、薄膜コンデンサなど、アルミナ基板設計に基づくいくつかの薄膜コンポーネントを紹介します。これらの部品は、そのユニークな特性と幅広い応用分野により、マイクロ波 RF 部品や高周波回路において不可欠な役割を果たしています。

1 フィルムアッテネータ

アルミナセラミック基板を用いた薄膜アッテネータの設計は、マイクロ波RFモジュールの大信号減衰や、プログラム減衰回路における減衰値の多段階調整によく使用されます。また、窒化タンタル膜層の二乗抵抗の合理的な設計とアルミナセラミック回路の膜プロセス設計にも基づいています。薄膜アッテネータは、超広帯域において安定した性能で減衰値の高い平坦性を実現できます。

2 薄膜カプラー

酸化アルミニウムセラミック基板設計のフィルムカプラは、マイクロ波コンポーネントシステムの電力検出や信号分離によく使用され、任意の弱い結合度カプラに設計でき、窒化タンタル設計の統合絶縁負荷を使用でき、ポートは表面ペーストパッケージの形状で、回路に直接溶接して作業します。広帯域に適用する必要がある場合には、多段階の形式に設計することができます。

3 フィルムブリッジ

3dB ブリッジとも呼ばれるアルミナ セラミック基板設計のフィルム ブリッジの使用は、信号を分離して 90° または 180° の位相差を持たせるためによく使用されます。ランゲ ブリッジは、金ワイヤ ボンディングを介して、その応用形態です。ライン間の信号接続を実現します。

4 薄膜抵抗

アルミナセラミック基板設計フィルム抵抗器の使用は、回路の高精度、低ノイズ、高安定性でよく使用され、マイクロストリップフィルム回路設計および処理に統合されることが多く、さまざまな抵抗に個別に設計することもできます使用される皮膜抵抗器の種類、または金線ボンディングを介して抵抗ネットワークに設計され、必要な抵抗値を選択します。

5 薄膜静電容量

薄膜コンデンサは、高周波フィルタリングによく使用されるアルミナセラミック基板を使用して設計されています。電源用に任意の静電容量の薄膜コンデンサを設計できます。通常のチップコンデンサに比べて性能が安定しており、高周波回路に適しています

要約すると、薄膜減衰器、薄膜カプラ、薄膜ブリッジ、薄膜抵抗器、薄膜コンデンサなどのアルミナ セラミック基板上に設計された薄膜コンポーネントは、マイクロ波 RF コンポーネントや高周波 RF コンポーネントにおいて優れた性能と幅広い応用の見通しを示しています。周波数回路。これらのコンポーネントは、高精度、低ノイズ、高安定性という利点を備えているだけでなく、超広帯域で高性能のインジケータを実現することができ、現代の電子技術の発展を強力にサポートします。科学技術の進歩と需要の改善に伴い、薄膜技術はマイクロ波 RF コンポーネントや高周波回路の設計においてより重要な役割を果たし続け、エレクトロニクス技術の継続的な開発と革新を促進すると考えられます。