silicon carbide crucible
silicon carbide crucible
silicon carbide crucible
silicon carbide crucible
silicon carbide crucible

炭化ケイ素るつぼ無加圧焼結SiCるつぼ

炭化ケイ素るつぼは、高温耐性、優れた熱衝撃安定性、最小限の膨張係数、強酸および強アルカリに対する弾性、耐スポーリング性、良好な耐粉化特性、および優れた高温クリープ耐性など、一連の顕著な特性を誇っています。さらに、熱伝導が速いため、焼成中の製品が均一に加熱され、エネルギー消費が効果的に削減され、焼成プロセスが加速され、生産量が向上します。このるつぼは、リチウムイオン電池材料、電子部品、磁性材料、高腐食性物質、各種セラミック粉末の焼結に広く使用されています

  • ブランド:

    ATCERA
  • 商品番号:

    AT-SIC-G1001
  • 材料

    SiC
  • 形状

    Crucible
  • アプリケーション

    Petrochemical Industry , Metallurgy Industry , Laboratory Equipment and Instruments
SiC crucible

炭化ケイ素るつぼの特性

1.優れた熱伝導率

その熱伝導率は他の耐食性材料をはるかに上回っており、同じ熱伝達効率に対してより小さな熱交換面積の使用を可能にします。

2.優れた耐食性

優れた耐食性、耐酸化性、耐侵食性を有し、高濃度の硫酸、硝酸、リン酸、混酸、強アルカリ、酸化剤などに耐え、優れた寿命を実現します。

3.優れた熱機械特性

高い強度と硬度を誇り、極度の高温高圧下でも優れた耐摩耗性と不浸透性を誇ります。メディアの高速通過が可能で、最大 1300 °C の温度でも正常に動作します。

Ceramic crucible SiC

無加圧焼結SiCるつぼの応用

1.冶金学

アルミニウム、銅、その他の金属およびその合金の溶解および含有に広く使用されています。

2.鋳造業: 鉄、鋼、青銅などのさまざまな金属の溶解および鋳造に使用されます。

3.ガラス製造

ガラス材料の溶解および精製に使用されます。

4.半導体産業

特に炭化ケイ素半導体ウェーハの製造において重要な役割を果たします。

炭化ケイ素 るつぼ

の設計サイズ

お客様の仕様に合わせた最適な炭化ケイ素ルツボを提供することに尽力します。当社の専任チームは、お客様の指示に細心の注意を払い、お客様の期待を超えるよう努めます。さらに、お客様固有の要件に合わせてカスタマイズされたサイズの柔軟性も提供します。

カスタムオーダーの場合は、外径、内径、肉厚、高さ、純度をご指定ください。

drawing of Silicon Carbide Ceramic Crucib Cylindrical

炭化ケイ素セラミックるつぼ円筒
アイテムNO. 外径
(mm)
内径
(mm)
高さ
(mm)
厚み
(mm)
AT-SIC-G1001 10.0 7.8 19.0 1.1
AT-SIC-G1002 12 8 26 2
AT-SIC-G1003 14.5 10.5 33.5 2
AT-SIC-G1004 20 16 31 2
AT-SIC-G1005 22 16 80 3
AT-SIC-G1006 23 19 81 2
AT-SIC-G1007 28 21 110 3.5
AT-SIC-G1008 29 22 17.5 3.5
AT-SIC-G1009 29 24 19.7 2.5
AT-SIC-G1010 32.5 26.5 29 3
AT-SIC-G1011 38 29 32.5 4.5
AT-SIC-G1012 38 29.8 45 4.1
AT-SIC-G1013 41 33 71.5 4
AT-SIC-G1014 42 33 73 4.5
AT-SIC-G1015 45 38 18 3.5
AT-SIC-G1016 47.5 38 74 4.75
AT-SIC-G1017 51 41 122 5
AT-SIC-G1018 51 44 73 3.5
AT-SIC-G1019 52 39 144 6.5
AT-SIC-G1020 53 42 124 5.5
AT-SIC-G1021 60<289​​> <290>51<291> <292>100<293> <294>4.5<295> <296> <297> <298>AT-SIC-G1022<299> <300>61<301> <302>51<303> <304>102<305> <306>5<307> <308> <309> <310>AT-SIC-G1023<311> <312>61<313> <314>52<315> <316>102<317> <318>4.5<319> <320> <321> <322>AT-SIC-G1024<323> <324>61.5<325> <326>53<327> <328>122<329> <330>4.25<331> <332> <333> <334>AT-SIC-G1025<335> <336>63<337> <338>52<339> <340>103.5<341> <342>5.5<343> <344> <345> <346>AT-SIC-G1026<347> <348>65<349> <350>55<351> <352>64.5<353> <354>5<355> <356> <357> <358>AT-SIC-G1027<359> <360>71<361> <362>61<363> <364>111<365> <366>5<367> <368> <369> <370>AT-SIC-G1028<371> <372>72.5<373><374>62.5<375> <376>113<377> <378>5<379> <380> <381> <382>AT-SIC-G1029<383> <384>73<385> <386>62.5<387> <388>125.5<389> <390>5.25<391> <392> <393> <394>AT-SIC-G1030<395> <396>80<397> <398>58<399> <400>91<401> <402>11<403> <404> <405> <406>AT-SIC-G1031<407> <408>93<409> <410>83<411> <412>103<413> <414>5<415> <416> <417> <418>AT-SIC-G1032<419> 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drawing of Silicon Carbide Ceramic Crucib Rectangular





drawing of Silicon Carbide Ceramic Crucib Arch





drawing of Silicon Carbide Lid Circular Plate Cover



<2>シリコン<3>カーバイド<4>材料<5>の技術データ <6><7> <8> <9> <10> <11>アイテム<12> <13>ユニット<14> <15>インデックスデータ<16> <17> <18> <19>反応焼結SiC<20>(SiSiC)<21> <22>SiCと結合した窒化ケイ素<23>(NBSiC)<24> <25>SiCn無加圧焼結体<26>(SSiC)<27> <28> <29> <30>SiC含有量<31> <32>%<33> <34>85<35> <36>80<37> <38>99<39> <40> <41> <42>無料のシリコン含有量<43> <44>%<45> <46>15<47> <48>0<49> <50>0<51> <52> <53> <54>最大。使用温度<55> <56>~<57> <58>1380<59> <60>1550<61> <62>1600<63> <64> <65> <66>密度<67> <68>g/cm3<69> <70>3.02<71> <72>2.72<73> <74>3.1<75> <76> <77> <78>気孔率<79> <80>%<81> <82>0<83> <84>12<85> <86>0<87> <88> <89> <90>曲げ強度<91> <92>20?<93> <94>MPa<95> <96>250<97> <98>160<99> <100>380<101> <102> <103> <104>1200?<105> <106>MPa<107> <108>280<109> <110>180<111> <112>400<113> <114> <115> <116>弾性率<117> <118>20â<119> <120>GPa<121> <122>330<123> <124>220<125> <126>420<127> <128> <129> <130>1200?<131> <132>GPa<133> <134>300<135> <136>/<137> <138>/<139> <140> <141> <142>熱伝導率<143> <144>1200?<145> <146>W/m.k<147> <148>45<149> <150>15<151> <152>74<153> <154> <155> <156>熱膨張係数<157> <158>K-1×10-6<159> <160>4.5<161> <162>5<163> <164>4.1<165> <166> <167> <168>ビッカース硬度<169> <170>HV<171> <172>kg/mm2<173> <174>2500<175> <176>2500<177> <178>2800<179> <180> <181> <182> <183> <184> <185>*この表は、当社のSiC製品および部品の製造に一般的に使用される炭化ケイ素材料の標準特性を示しています。カスタマイズされた炭化ケイ素製品および部品の特性は、関与する特定のプロセスによって異なる場合があることに注意してください。<186>




使用上の注意

1.急激な温度変化を避けるため、金属を溶解または鋳造する前にるつぼを予熱してください。加熱中は、るつぼを底部の泥三角ブラケットで支えます。るつぼのひずみに対する耐性には限界があり、過度の温度とその後の急激な低下は潜在的な危険を引き起こす可能性があるため、使用後の急冷は避けてください。[61] <62><63> <64><65> <66>2.加熱材料をるつぼに追加するときは、溶解効率を高めるために、ゆっくりと注入し、空気循環のための十分なスペースを残してください。過剰に充填すると、製錬プロセス中に金属が流出する可能性があり、オペレーターに危険をもたらす可能性があります。[67] <68><69> <70><71> <72>3. 炭化ケイ素るつぼの効率が高いため、蒸発が近づくと、るつぼを完全に乾燥させるのではなく、濃度を維持し、残留熱を蒸発に利用することが重要です。蒸発プロセスはゆっくりと冷却し、適切に処理する必要があります。不適切な取り扱いを避けるために、関連する操作説明書を注意深く読んで従うことが重要です。<73> <74> <75> <76> <77> <78> <79> <80> <81> <82> <83> <84> <85> <86> <87> <88> <89> <90> <91> <92> <93> <94> <95> <96> <97> <98> <99> <100> <101> <102> <103> <104> <105> <106> <107> <108> <109> <110> <111> <112> <113> <114> <115> <116> <117> <118> <119> <120> <121> <122> <123>

貴重な情報

SiC Ceramic Crucible Packing

SiCるつぼパッキン

炭化ケイ素るつぼは、損傷の可能性を避けるために、適切な容器に慎重に梱包されています。

カスタマイズの利点
カスタマイズの利点

1.アプリケーションシナリオに従って、ニーズを分析し、適切な材料と加工計画を選択します。

2. 専門チームが迅速に対応し、要求を確認してから 24 時間以内にソリューションと見積もりを提供します。

3. 柔軟なビジネス協力メカニズム、少なくとも 1 つの数量カスタマイズをサポートします。

4. 製品がお客様のニーズを満たしていることを確認するために、サンプルとテストレポートを迅速に提供します。

5. 使用コストを削減するために、製品の使用とメンテナンスに関する提案を提供します。

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長い間、高出力ハイブリッド集積回路の基板材料のほとんどには Al2O3 および BeO セラミックスが使用されてきましたが、Al2O3 基板の熱伝導率は低く、熱膨張係数は Si とあまり一致しません。 BeO の総合的な性能は優れていますが、高い生産コストと高い毒性の欠点により、その応用と普及が制限されています。したがって、性能、コスト、環境保護の要素から、この 2 つは現代の電子パワーデバイスや開発のニーズを満たすことができません。 窒化アルミニウムセラミックスは、優れた総合特性を有し、近年広く注目されている新世代の先端セラミックスであり、特に高熱伝導率、低誘電率という利点をはじめ、多くの面で幅広い応用の可能性を秘めています。 、低誘電損失、優れた電気絶縁性、シリコンと一致する熱膨張係数、非毒性。これは、高密度、高出力、高速の集積回路基板およびパッケージに理想的な材料となります。 高い熱...
セラミック基板材料の進化:アルミナから窒化アルミニウム、窒化ケイ素へのブレークスルー
今日の急速に変化するエレクトロニクス産業において、セラミック基板材料は高性能電子デバイスを支える重要な基盤であり、その性能と特性は電子製品の全体的な性能と信頼性に直接影響します。初期のアルミナセラミックスから、後期の窒化アルミニウム、窒化ケイ素、その他の新材料に至るまで、セラミック基板材料の開発は科学技術の絶え間ない進歩と革新を目撃してきました。この記事では、これらのセラミック基板材料の独自の利点と応用の見通し、特に窒化アルミニウムおよび窒化ケイ素セラミックがその優れた性能によって高出力デバイスの放熱および高強度の放熱環境のソリューションにおいてどのように際立っているかを探ります。 、現代のエレクトロニクス産業において不可欠な重要な材料となっています。 アルミナ基板セラミック基板のパイオニアとして、1929 年以来ドイツのシーメンス社によって開発に成功し、1933 年に工業生産を開始しまし...
パワーデバイスの放熱性を高めるパッケージ材料としての窒化アルミニウム基板の適用可能性
電子技術の急速な発展に伴い、電子チップの総合的な性能は日々向上していますが、全体のサイズは縮小しています。この傾向はパフォーマンスの大幅な向上をもたらしますが、熱流束の劇的な増加という深刻な課題も伴います。電子機器の場合、わずかな温度上昇でも性能や寿命に大きな影響を与える可能性があります。研究によると、デバイスの温度が 10 ℃上昇するごとに、デバイスの実効寿命は 30% ~ 50% 短縮されます。したがって、熱を効果的に管理し、デバイスの放熱能力を向上させる方法が、高出力デバイスの開発における重要な技術的ボトルネックとなっています。これに関連して、優れた性能を備えた窒化アルミニウム基板が、パワーデバイスのパッケージングの分野で徐々に好ましい材料になりつつあります。 窒化アルミニウム基板の性能上の利点 高い熱伝導率 窒化アルミニウム(AlN)は、高性能セラミック素材として優れた熱伝導率が際...
窒化珪素基板の熱伝導率向上
先端セラミック材料の分野では、窒化ケイ素 (Si3N4) がその優れた機械的強度、化学的安定性、高温特性で注目を集めています。しかし、窒化ケイ素セラミックスの熱伝導率は、その幅広い用途に影響を与える重要な要素の 1 つとして、材料科学研究において重要なテーマとなっています。本論文は、窒化ケイ素セラミックスの熱伝達メカニズム、特にフォノン伝導時の格子振動と散乱現象を調査し、窒化ケイ素の焼結プロセスにおける炭素添加剤の独特の役割と熱伝導率を改善するメカニズムに焦点を当てることを目的としています。この論文は、実験データと理論モデルの包括的な分析を通じて、高い熱伝導率を備えた窒化ケイ素基板を調製するための新しいアイデアと戦略を提供することを目的としています。 熱伝達メカニズムの再理解 典型的な共有結合セラミック材料である窒化ケイ素の熱伝達機構は主に格子振動とフォノン伝導に依存します。格子内のフォノ...
窒化ケイ素基板の格子振動機構と焼結助剤戦略の解明
高性能電子パッケージング、航空宇宙、エネルギー変換などの最先端技術において、窒化ケイ素 (Si3N4) 基板材料は、その優れた機械的特性、化学的安定性、高温耐性により高く評価されています。しかし、窒化ケイ素の熱伝導率は、その幅広い用途に影響を与える重要な要素の 1 つとして、常に材料科学研究の焦点であり、難しさでもあります。この論文は、窒化ケイ素基板の主な熱伝達メカニズム、つまり格子振動とフォノン伝導を深く調査し、窒化ケイ素基板の熱伝導率に対する焼結助剤の選択と最適化戦略の影響を系統的に分析することを目的としています。窒化シリコン基板の熱管理効率を改善するための理論的基礎と実践的なガイダンス。 熱伝達メカニズムの理解を深める 窒化ケイ素の主な熱伝達メカニズム、つまり格子振動とフォノン伝導は、複雑かつ微細なプロセスです。格子内でのフォノンの非線形伝播と衝突は、格子間結合によって制限されるだけ...
窒化ケイ素基板の熱伝導率の最適化
高性能熱管理ソリューションの中核として窒化ケイ素 (Si3N4) 基板材料を探求する場合、その熱伝達メカニズムを理解することが重要です。窒化ケイ素の主な熱伝達メカニズムは、フォノンと呼ばれる量子化された熱電荷キャリアを介して熱を伝達するプロセスである格子振動に依存することが知られています。 格子内でのフォノンの伝播は単純な直線運動ではなく、格子間の複雑な結合の影響を受けるため、フォノン間の衝突が頻繁に発生し、フォノンの平均自由行程、つまり平均値が大幅に減少します。フォノンが 2 回の衝突の間に自由に移動できる距離。このメカニズムは、窒化ケイ素材料の熱伝導率に直接影響します。[7] さらに、Si3N4 結晶内のさまざまな欠陥、不純物、粒子界面がフォノン散乱の主な原因となります。これらの散乱現象はフォノンの平均自由行程の減少にもつながり、その結果、材料全体の熱伝導率が低下します。特に、窒化ケイ...
半導体デバイスの放熱分野における窒化ケイ素基板の応用可能性
インテリジェント情報時代に入ってから、半導体デバイスは急速に私たちの生活を占めるようになりました。ワークから発生する熱は半導体デバイスの故障を引き起こす重要な要因であるため、デバイスの故障に起因する多くのトラブルを回避し、長期間有効かつ安全に動作させるためには、効率的な放熱機能を備える必要があります。システム 現在、業界の「放熱」の取り組みにおいて、新電力セラミック基板の交換は非常に重要な部分です。セラミック基板は、優れた耐高温性、耐食性、高い熱伝導性、高い機械的強度、チップに合わせた熱膨張率、特性劣化が少ないなどの特徴を持ち、金属やプラスチックなどの材料に比べて有利であり、高熱や高温を使用する製品に適しています。過酷な屋外環境に耐えられるため、一般の人々にますます広く受け入れられています[7]。 セラミック基板は、半導体集積回路において次の役割を果たします。チップおよび電子部品に機械的サ...
焼結助剤を最適化してAlN基板の性能を向上
実際の応用では、窒化アルミニウム基板は、高い熱伝導率と高い電気絶縁特性に加えて、多くの分野で高い曲げ強度も要求されます。現在、市場に流通している窒化アルミニウムの三点曲げ強度は通常400~500MPaであり、特に高い信頼性が要求されるIGBTパワーデバイスの分野において、窒化アルミニウムセラミック基板の普及と応用が著しく制限されている。 AlN 材料の複雑な製造プロセスと高い製造コストにより、国内の AlN 材料のほとんどは依然として高熱伝導率と高強度の用途要件を満たすことができません。 窒化アルミニウムセラミック基板の製造では、焼結方法と焼結助剤の選択により、半分の労力で2倍の結果が得られることが多く、現在、焼結助剤の導入は窒化アルミニウムセラミックを焼結するための一般的な方法です。一方で、低温共晶相の形成、液相焼結の実現により、緻密なボディが促進される。一方、窒化アルミニウムは酸素不純...
AlN基板上への厚膜抵抗体の作製技術
マイクロエレクトロニクスのパッケージング技術の継続的な進歩に伴い、電子部品の出力と集積度が大幅に向上し、単位体積あたりの発熱量が大幅に増加し、放熱効率(つまり、放熱効率)に対する要件がより厳しくなりました。 、その熱伝導性能)を備えた新世代の回路基板。現在、研究者らは、窒化アルミニウム (AlN)、炭化ケイ素 (SiC)、酸化ベリリウムなど、熱伝導率の高いさまざまなセラミック基板材料の開発に取り組んでいます。 BeO)。ただし、BeO はその毒性により環境的に制限されています。 SiC は誘電率が高いため、基板材料としての使用には適していません。対照的に、AlN はシリコン (Si) 材料と同様の熱膨張係数と適度な誘電率を備えているため、基板材料として最適な選択肢です。[7] 伝統的に、厚膜スラープは主にアルミナ (Al2O3) 基板用に設計されていますしかし、これらのスラープの組成は、A...

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当社はアルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、石英セラミックスなどの先進的なセラミック材料に主に焦点を当てていますが、常に新しい材料と技術を模索しています。特定の材料要件がある場合は、当社までご連絡ください。お客様のニーズを満たすか、適切なパートナーを見つけるために最善を尽くします。

絶対に。当社の技術チームはセラミック材料に関する深い知識と製品設計における豊富な経験を持っています。お客様の製品の最適なパフォーマンスを確保するために、材料選択のアドバイスと製品設計のサポートを喜んで提供させていただきます

当社には固定の最低注文金額要件はありません。私たちは常にお客様のニーズを満たすことに重点を置き、注文の規模に関係なく、高品質のサービスと製品を提供するよう努めています

セラミック製品に加えて、当社は以下のような追加サービスも提供します。お客様のニーズに基づいて、お客様自身で製造したブランクまたは半完成ブランクを使用したカスタマイズされたセラミック加工サービス。外部委託のセラミックパッケージングおよびメタライゼーションサービスにご興味がございましたら、詳細についてお問い合わせください。当社は、お客様のさまざまなニーズを満たすワンストップ ソリューションを提供することに常に取り組んでいます。

はい、そうです。世界中のどこにお住まいであっても、ご注文の商品を安全かつタイムリーにお届けいたします。

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