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インテリジェント情報時代に入ってから、半導体デバイスは急速に私たちの生活を占めるようになりました。ワークから発生する熱は半導体デバイスの故障を引き起こす重要な要因であるため、デバイスの故障に起因する多くのトラブルを回避し、長期間有効かつ安全に動作させるためには、効率的な放熱機能を備える必要があります。システム

現在、業界の「放熱」の取り組みにおいて、新電力セラミック基板

の交換は非常に重要な部分です。セラミック基板は、優れた耐高温性、耐食性、高い熱伝導性、高い機械的強度、チップに合わせた熱膨張率、特性劣化が少ないなどの特徴を持ち、金属やプラスチックなどの材料に比べて有利であり、高熱や高温を使用する製品に適しています。過酷な屋外環境に耐えられるため、一般の人々にますます広く受け入れられています[7]。

セラミック基板は、半導体集積回路において次の役割を果たします。チップおよび電子部品に機械的サポートと環境保護を提供します。熱放散チャネルを提供して局所的な過度の温度を回避し、デバイスの信頼性を向上させます。現在、これらの要求を満たすことができるセラミック基板材料は、主にアルミナ、窒化アルミニウム、酸化ベリリウム、窒化ケイ素などである[11]。

中でも窒化ケイ素セラミックスの利点は、高強度、高硬度、高抵抗率、良好な耐熱衝撃性、低誘電損失、低膨張率など、あらゆる面で総合性能に優れた特殊セラミックであることです。性能はよりバランスが取れており、構造用セラミック材料の最高の総合性能です。また、高速鉄道、電気自動車、その他の分野のパワーエレクトロニクスデバイスは、衝突、振動、その他の複雑な機械的環境に直面することが多いため、窒化ケイ素セラミックスの優れた機械的特性により、上記の分野で強い競争力を発揮します。

熱特性に関しては、ライトフットとハガティは、Si3N4 の構造に基づいた窒化ケイ素の理論的熱伝導率が 200 ～ 300W/(m・K) であると提案しているため、窒化ケイ素は熱に対して大きな可能性を秘めていると言えるでしょう。散逸。しかし、理想はいっぱい、現実は骨の感触、窒化ケイ素は他のセラミック材料に比べて敷居が高く、技術的難易度が高いだけでなく加工コストも高い、現在市販されているシリコン窒化物基板 の熱伝導率は基本的に 85 ～ 95 W/m・K ですが、より高い熱伝導率の基板 ( 150W/m・K) はまだ実験室段階にあります

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