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半導体産業の活発な発展は、現代科学技術の進歩を支える重要な支えとして、集積回路の小型化、高速化、高性能化の探求を継続的に推進しています。この傾向は、半導体製造プロセスの精度と技術的難易度の飛躍に直接つながり、すべての微細リンクは、先進的で高品質かつ高精度の半導体製造設備に大きく依存しています。シリコンカーバイド（SiC）は、構造用セラミック材料の優れたクラスとして、高密度、優れた熱伝導性、驚くべき曲げ強度、高い弾性率、優れた耐腐食性、優れた耐高温性など、その優れた物理的特性により、並外れた適応性と安定性を示しています。エピタキシャル成長、エッチングなどのウェハ処理中に遭遇する過酷な環境に効果的に耐えることができ、強力な腐食や非常に高い温度条件を含むだけでなく、応力変形や熱歪みが発生しにくいです。そのため、微細研削や研磨、エピタキシャル/酸化/拡散などの熱処理プロセス、リソグラフィー技術、薄膜堆積、精密エッチング、イオン注入など、半導体製造における多くの重要な工程において炭化ケイ素が広く認知され、応用されており、半導体技術を推進する重要な力となっている。

半導体製造におけるエッチング工程では、液体またはガスエッチング装置（フッ素系ガスなど）によってイオン化されたプラズマを使用してウェハを照射し、不要な材料を選択的に除去して、ウェハ表面に所望の回路パターンを残します。薄膜堆積はエッチングの逆プロセスに似ており、堆積法を使用して絶縁材料を繰り返し積み重ね、各層を金属で覆って薄膜を形成します。これら 2 つのプロセスでもプラズマ技術やキャビティやコンポーネントに腐食を引き起こしやすいその他の技術が使用されているため、装置内のコンポーネントには、優れたプラズマ耐性特性と、フッ素含有エッチングガスに対する低反応性および低導電性が求められます。

従来のエッチングおよび堆積装置の部品、例えばフォーカスリングは、シリコンや石英などの材料で作られています。しかし、集積回路の小型化が進むにつれて、集積回路製造におけるエッチング工程の需要と重要性が高まっており、高エネルギープラズマを使用してシリコンウェーハを顕微鏡レベルで精密にエッチングする必要があり、これにより、より狭い線幅とより複雑な装置構造を実現する可能性が生まれています。そのため、優れた物理的および化学的特性、高純度、高均一性などを備えた化学気相堆積（CVD）シリコンカーバイドは、徐々にエッチング、堆積装置のコーティング材料の第一選択肢となっています。現在、エッチング装置のCVDシリコンカーバイド部品 には、フォーカスリング、ガススプレーヘッド、SiCトレイ、エッジリングなどがあります。堆積装置には、チャンバーカバー、キャビティライニング、SiCコーティンググラファイトベースなどがあります。