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Pressureless sintered silicon carbide tube
Pressureless sintered silicon carbide tube
Pressureless sintered silicon carbide tube
Pressureless sintered silicon carbide tube
Pressureless sintered silicon carbide tube

無加圧焼結炭化ケイ素チューブ SSiCチューブ

プレスレス焼結炭化ケイ素（SSiC）は、高純度超微粒子炭化ケイ素粉末（サブミクロンレベル）を真空炉内で2100℃～2200℃の温度で焼結して製造されます。無加圧焼結炭化ケイ素管は、高強度、高硬度、良好な耐摩耗性、高温耐性、耐食性、良好な耐熱衝撃性、高い熱伝導率、良好な耐酸化性などの優れた特性を有し、主にさまざまな熱処理電気炉で使用されます。ガス炉設備、セラミックおよびガラス製造、化学工業、金属精錬およびその他の産業。

  • ブランド:

    ATCERA

  • 商品番号:

    AT-THG-G2001

  • 材料

    SiC

  • 形状

    Tube

  • アプリケーション

    Mechanical Parts , Petrochemical Industry , Metallurgy Industry
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Silicon carbide tube

無加圧焼結炭化ケイ素管の特性

１．プレスレス焼結炭化ケイ素チューブは良好な熱伝導率と良好な熱衝撃耐性を備えており、その熱伝導率は 120W/m*K を超える可能性があります。

2．プレスレス焼結炭化ケイ素管は高温に耐性があり、保護雰囲気のない条件下での使用温度は1650℃に達することができ、熱膨張係数が小さく、耐酸化性にも優れているため、次のような環境での作業が可能です。高温が長時間続く

3．プレスレス焼結炭化ケイ素管は優れた耐食性を持ち、さまざまな酸性およびアルカリ性物質の腐食に耐えることができます。

４．プレスレス焼結炭化ケイ素チューブは、高い機械的強度、高硬度、良好な耐摩耗性および耐浸食性を備えています。

Applications of Pressureless SSiC Tube

無加圧SSiCチューブの応用

プレスレス焼結炭化ケイ素管は、熱電対保護管、加熱管、放熱管、高温炉ローラーおよび構造支持管の製造に使用できます。

1.炭化ケイ素管は、冶金、化学工業、ガラスおよびセラミック製造およびその他の産業で使用される熱電対保護管または温度測定管として使用できます。

２．炭化ケイ素管は、高温電気炉、ガス炉、熱交換器などで使用される加熱管、熱交換管、放熱管の製造に使用できます。

3．炭化ケイ素チューブは、高温炉内のローラー、サポートチューブ、その他の構造に使用できます。

無加圧焼結炭化ケイ素チューブ

のサイズ表

当社は、お客様の正確な仕様に合わせたプライム無加圧焼結炭化ケイ素チューブを提供することに尽力しています。当社の専任チームは、お客様の指示に細心の注意を払い、お客様の期待を超えるよう努めます。さらに、お客様固有の要件に合わせてカスタマイズされたサイズの柔軟性も提供します。

カスタマイズされた設計要求の場合、図面、仕様要件、および使用シナリオ情報が提供されます。

カスタム設計の要件を送信

加工公差:
１．直径 ≤50mm: ±0.5mm
2．直径50～100mm：±1.5mm
3.直径100～300mm：±3mm
４．長さ≤500mm:±2mm
5.長さ500～2000mm：±3mm

Drawing of Pressureless Sintered Silicon Carbide Tube One End Closed

窒化物結合炭化ケイ素チューブ片端閉鎖
アイテムNO. 外径(mm) 内径(mm) 長さ(mm) NBSiCの純度(%)
AT-THG-G1001 20 10 500 92%
AT-THG-G1002 25 15 500 92%
AT-THG-G1003 30 20 500 92%
AT-THG-G1004 35 25 500 92%
AT-THG-G1005 40 30 500 92%
AT-THG-G1006 45 35 500 92%
AT-THG-G1007 50 40 500 92%
AT-THG-G1008 55 45 500 92%
AT-THG-G1009 60 50 500 92%
AT-THG-G1010 70 25 850 99%
AT-THG-G1011 70 30 850 99%
AT-THG-G1012 90 63 1000 99%
AT-THG-G1013 100 73 1250 99%
AT-THG-G1014 110 80 1200 99%
AT-THG-G1015 119 99 1050 99%
AT-THG-G1016 120 95 1200 99%
AT-THG-G1017 133 105 430 99%
AT-THG-G1018 155 130 1040 99%
AT-THG-G1019 168 140 430 99%
AT-THG-G1020 273 243 700 99%
AT-THG-G1021 280 230 1500 99%
AT-THG-G1022 20 8 1000 99%
AT-THG-G1023 25 13 1500 99%
AT-THG-G1024 30 18 1500 99%
AT-THG-G1025 35 23 1500 99%
AT-THG-G1026<37​​5> <376>40<377> <378>26<37​​9> <380>1600<381> <382>99%<383> <384> <385> <386>AT-THG-G1027<387> <388>50<389> <390>35<391> <392>1600<393> <394>99%<395> <396> <397> <398>AT-THG-G1028<399> <400>60<401> <402>40<403> <404>1600<405> <406>99%<407> <408> <409> <410>AT-THG-G1029<411> <412>20<413> <414>10<415> <416>500<417> <418>99%<419> <420> <421> <422>AT-THG-G1030<423> <424>25<425> <426>15<427> <428>500<429> <430>99%<431> <432> <433> <434>AT-THG-G1031<435> <436>30<437> <438>20<439> <440>500<441> <442>99%<443> <444> <445> <446>AT-THG-G1032<447> <448>35<449> <450>25<451> <452>500<453> <454>99%<455> <456> <457> <458>AT-THG-G1033<459> <460>40<461> <462>30<463> <464>500<465> <466>99%<467> <468> <469> <470>AT-THG-G1034<471> <472>45<473> <474>35<475> <476>500<477> <478>99%<479> <480> <481> <482>AT-THG-G1035<483> <484>50<485> <486>40<487> <488>500<489> <490>99%<491> <492> <493> <494>AT-THG-G1036<495><496>55<497> <498>45<499> <500>500<501> <502>99%<503> <504> <505> <506>AT-THG-G1037<507> <508>60<509> <510>50<511> <512>500<513> <514>99%<515> <516> <517> <518> <519> <520> <521><522> <523> <524> <525> <526> <527> <528>窒化物接合炭化ケイ素チューブ両端開放<529> <530> <531> <532>アイテムNO.<533> <534>外径(mm)<535> <536>内径 (mm)<537> <538>長さ(mm)<539> <540>NBSiC の純度 (%)<541> <542> <543> <544>AT-THG-G2001<545> <546>22<547> <548>12<549> <550>1000<551> <552>99%<553> <554> <555> <556>AT-THG-G2002<557> <558>28<559> <560>18<561> <562>1000<563> <564>99%<565> <566> <567> <568>AT-THG-G2003<569> <570>32<571> <572>10<573> <574>1000<575> <576>99%<577> <578> <579> <580>AT-THG-G2004<581> <582>38<583> <584>28<585> <586>1000<587> <588>99%<589> <590> <591> <592>AT-THG-G2005<593> <594>42<595> <596>32<597> <598>1000<599> <600>99%<601> <602> <603> <604>AT-THG-G2006<605> <606>47<607> <608>37<609> <610>1000<611> <612>99%<613> <614> <615> <616>AT-THG-G2007<617> <618>56<619> <620>46<621> <622>1000<623> <624>99%<625> <626> <627> <628>AT-THG-G2008<629> <630>55<631> <632>45<633> <634>1000<635> <636>99%<637> <638> <639> <640>AT-THG-G2009<641> <642>68<643> <644>56<645> <646>1000<647> <648>99%<649> <650> <651> <652>AT-THG-G2010<653> <654>40<655> <656>20<657> <658>500<659> <660>99%<661> <662> <663> <664>AT-THG-G2011<665> <666>30<667> <668>18<669> <670>500<671> <672>99%<673> <674> <675> <676>AT-THG-G2012<677> <678>40<679> <680>25<681> <682>500<683> <684>99%<685> <686> <687> <688>AT-THG-G2013<689> <690>30<691> <692>18<693> <694>400<695> <696>99%<697> <698> <699> <700>AT-THG-G2014<701> <702>40<703> <704>40<705> <706>400<707> <708>99%<709> <710> <711> <712>AT-THG-G2015<713> <714>70<715> <716>25<717> <718>850<719> <720>99%<721> <722> <723> <724>AT-THG-G2016<725> <726>70<727> <728>30<729> <730>850<731> <732>99%<733> <734> <735> <736>AT-THG-G2017<737> <738>90<739> <740>63<741> <742>1000<743> <744>99%<745> <746> <747> <748>AT-THG-G2018<749> <750>105<751> <752>70<753> <754>1250<755> <756>99%<757> <758> <759> <760>AT-THG-G2019<761> <762>104<763> <764>82<765> <766>1200<767> <768>99%<769> <770><771> <772>AT-THG-G2020<773> <774>120<775> <776>100<777> <778>1050<779> <780>99%<781> <782> <783> <784>AT-THG-G2021<785> <786>115<787> <788>90<789> <790>1200<791> <792>99%<793> <794> <795> <796>AT-THG-G2022<797> <798>128<799> <800>90<801> <802>430<803> <804>99%<805> <806> <807> <808>AT-THG-G2023<809> <810>150<811> <812>140<813> <814>1040<815> <816>99%<817> <818> <819> <820>AT-THG-G2024<821> <822>170<823> <824>140<825> <826>430<827> <828>99%<829> <830> <831> <832>AT-THG-G2025<833> <834>270<835> <836>240<837> <838>700<839> <840>99%<841> <842> <843> <844>AT-THG-G2026<845> <846>285<847> <848>235<849> <850>1500<851> <852>99%<853> <854> <855> <856>AT-THG-G2027<857> <858>22<859> <860>10<861> <862>1000<863> <864>99%<865> <866> <867> <868>AT-THG-G2028<869> <870>25<871> <872>13<873> <874>1500<875> <876>99%<877> <878> <879> <880>AT-THG-G2029<881> <882>30<883> <884>18<885> <886>1500<887> <888>99%<889> <890> <891> <892>AT-THG-G2030<893> <894>35<895> <896>23<897> <898>1500<899> <900>99%<901> <902> <903> <904>AT-THG-G2031<905> <906>40<907> <908>26<909> <910>1600<911> <912>99%<913> <914> <915> <916>AT-THG-G2032<917> <918>50<919> <920>35<921> <922>1600<923> <924>99%<925> <926> <927> <928>AT-THG-G2033<929> <930>60<931> <932>40<933> <934>1600<935> <936>99%<937> <938> <939> <940> <941> <942>

Drawing of Pressureless Sintered Silicon Carbide Tube Open Both End

<2>シリコン<3>カーバイド<4>材料<5>の技術データ <6><7> <8> <9> <10> <11>アイテム<12> <13>ユニット<14> <15>インデックスデータ<16> <17> <18> ＜１９＞反応焼結ＳｉＣ＜２０＞（ＳｉＳｉＣ）＜２１＞ ＜２２＞ＳｉＣと結合した窒化ケイ素＜２３＞（ＮＢＳｉＣ）＜２４＞ <25>SiCn無加圧焼結体<26>(SSiC)<27> <28> <29> <30>SiC含有量<31> <32>%<33> <34>85<35> <36>80<37> <38>99<39> <40> <41> <42>無料のシリコン含有量<43> <44>%<45> <46>15<47> <48>0<49> <50>0<51> <52> <53> <54>最大。使用温度<55> <56>～<57> <58>1380<59> <60>1550<61> <62>1600<63> <64> <65> <66>密度<67> <68>g/cm3<69> <70>3.02<71> <72>2.72<73> <74>3.1<75> <76> <77> <78>気孔率<79> <80>%<81> <82>0<83> <84>12<85> <86>0<87> <88> <89> <90>曲げ強度<91> <92>20?<93> <94>MPa<95> <96>250<97> <98>160<99> <100>380<101> <102> <103> <104>1200?<105> <106>MPa<107> <108>280<109> <110>180<111> <112>400<113> <114> <115> <116>弾性率<117> <118>20â<119> <120>GPa<121> <122>330<123> <124>220<125> <126>420<127> <128> <129> <130>1200?<131> <132>GPa<133> <134>300<135> <136>/<137> <138>/<139> <140> <141> <142>熱伝導率<143> <144>1200?<145> <146>W/m.k<147> <148>45<149> <150>15<151> <152>74<153> <154> <155> <156>熱膨張係数<157> <158>K-1×10-6<159> <160>4.5<161> <162>5<163> <164>4.1<165> <166> <167> <168>ビッカース硬度<169> <170>HV<171> <172>kg/mm2<173> <174>2500<175> <176>2500<177> <178>2800<179> <180> <181> <182> <183> <184> <185>*この表は、当社のSiC製品および部品の製造に一般的に使用される炭化ケイ素材料の標準特性を示しています。カスタマイズされた炭化ケイ素製品および部品の特性は、関与する特定のプロセスによって異なる場合があることに注意してください。<186>




使用上の注意

1.アプリケーションシナリオとパラメータ要件に従って、適切なタイプの炭化ケイ素チューブを選択します。
2.設置および使用の際は強度に注意し、壊れたり損傷しないように激しい衝撃を避け、自由な膨張を確保するために一定のスペースを確保し、熱膨張による損傷を避けてください。
3. 使用時に水分を多量に含む物体に接触させたり、最高使用温度を超えたりしないでください。そうしないと、炭化ケイ素チューブの寿命に影響を与える可能性があります。
４．初めて使用する場合、または長期保管後に再度使用する場合は、加熱速度を制御し、低電力加熱を使用してゆっくり加熱する必要があります。
5.予備のシリコン カーボン チューブは、涼しく乾燥した浸食のない場所に置く必要があります。

貴重な情報

Nitride Bonded Silicon Carbide Tube Packing

無加圧SSiCチューブパッキン

無加圧焼結炭化ケイ素チューブは、損傷の可能性を避けるために、適切な容器に慎重に梱包されています。

カスタマイズの利点
カスタマイズの利点

１．アプリケーションシナリオに従って、ニーズを分析し、適切な材料と加工計画を選択します。

2. 専門チームが迅速に対応し、要求を確認してから 24 時間以内にソリューションと見積もりを提供します。

3. 柔軟なビジネス協力メカニズム、少なくとも 1 つの数量カスタマイズをサポートします。

4. 製品がお客様のニーズを満たしていることを確認するために、サンプルとテストレポートを迅速に提供します。

5. 使用コストを削減するために、製品の使用とメンテナンスに関する提案を提供します。

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窒化珪素基板の熱伝導率向上
先端セラミック材料の分野では、窒化ケイ素 (Si3N4) がその優れた機械的強度、化学的安定性、高温特性で注目を集めています。しかし、窒化ケイ素セラミックスの熱伝導率は、その幅広い用途に影響を与える重要な要素の 1 つとして、材料科学研究において重要なテーマとなっています。本論文は、窒化ケイ素セラミックスの熱伝達メカニズム、特にフォノン伝導時の格子振動と散乱現象を調査し、窒化ケイ素の焼結プロセスにおける炭素添加剤の独特の役割と熱伝導率を改善するメカニズムに焦点を当てることを目的としています。この論文は、実験データと理論モデルの包括的な分析を通じて、高い熱伝導率を備えた窒化ケイ素基板を調製するための新しいアイデアと戦略を提供することを目的としています。 熱伝達メカニズムの再理解 典型的な共有結合セラミック材料である窒化ケイ素の熱伝達機構は主に格子振動とフォノン伝導に依存します。格子内のフォノ...
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窒化ケイ素基板の格子振動機構と焼結助剤戦略の解明
高性能電子パッケージング、航空宇宙、エネルギー変換などの最先端技術において、窒化ケイ素 (Si3N4) 基板材料は、その優れた機械的特性、化学的安定性、高温耐性により高く評価されています。しかし、窒化ケイ素の熱伝導率は、その幅広い用途に影響を与える重要な要素の 1 つとして、常に材料科学研究の焦点であり、難しさでもあります。この論文は、窒化ケイ素基板の主な熱伝達メカニズム、つまり格子振動とフォノン伝導を深く調査し、窒化ケイ素基板の熱伝導率に対する焼結助剤の選択と最適化戦略の影響を系統的に分析することを目的としています。窒化シリコン基板の熱管理効率を改善するための理論的基礎と実践的なガイダンス。 熱伝達メカニズムの理解を深める 窒化ケイ素の主な熱伝達メカニズム、つまり格子振動とフォノン伝導は、複雑かつ微細なプロセスです。格子内でのフォノンの非線形伝播と衝突は、格子間結合によって制限されるだけ...
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窒化ケイ素基板の熱伝導率の最適化
高性能熱管理ソリューションの中核として窒化ケイ素 (Si3N4) 基板材料を探求する場合、その熱伝達メカニズムを理解することが重要です。窒化ケイ素の主な熱伝達メカニズムは、フォノンと呼ばれる量子化された熱電荷キャリアを介して熱を伝達するプロセスである格子振動に依存することが知られています。 格子内でのフォノンの伝播は単純な直線運動ではなく、格子間の複雑な結合の影響を受けるため、フォノン間の衝突が頻繁に発生し、フォノンの平均自由行程、つまり平均値が大幅に減少します。フォノンが 2 回の衝突の間に自由に移動できる距離。このメカニズムは、窒化ケイ素材料の熱伝導率に直接影響します。[7] さらに、Si3N4 結晶内のさまざまな欠陥、不純物、粒子界面がフォノン散乱の主な原因となります。これらの散乱現象はフォノンの平均自由行程の減少にもつながり、その結果、材料全体の熱伝導率が低下します。特に、窒化ケイ...
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半導体デバイスの放熱分野における窒化ケイ素基板の応用可能性
インテリジェント情報時代に入ってから、半導体デバイスは急速に私たちの生活を占めるようになりました。ワークから発生する熱は半導体デバイスの故障を引き起こす重要な要因であるため、デバイスの故障に起因する多くのトラブルを回避し、長期間有効かつ安全に動作させるためには、効率的な放熱機能を備える必要があります。システム 現在、業界の「放熱」の取り組みにおいて、新電力セラミック基板の交換は非常に重要な部分です。セラミック基板は、優れた耐高温性、耐食性、高い熱伝導性、高い機械的強度、チップに合わせた熱膨張率、特性劣化が少ないなどの特徴を持ち、金属やプラスチックなどの材料に比べて有利であり、高熱や高温を使用する製品に適しています。過酷な屋外環境に耐えられるため、一般の人々にますます広く受け入れられています[7]。 セラミック基板は、半導体集積回路において次の役割を果たします。チップおよび電子部品に機械的サ...
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焼結助剤を最適化してAlN基板の性能を向上
実際の応用では、窒化アルミニウム基板は、高い熱伝導率と高い電気絶縁特性に加えて、多くの分野で高い曲げ強度も要求されます。現在、市場に流通している窒化アルミニウムの三点曲げ強度は通常400～500MPaであり、特に高い信頼性が要求されるIGBTパワーデバイスの分野において、窒化アルミニウムセラミック基板の普及と応用が著しく制限されている。 AlN 材料の複雑な製造プロセスと高い製造コストにより、国内の AlN 材料のほとんどは依然として高熱伝導率と高強度の用途要件を満たすことができません。 窒化アルミニウムセラミック基板の製造では、焼結方法と焼結助剤の選択により、半分の労力で2倍の結果が得られることが多く、現在、焼結助剤の導入は窒化アルミニウムセラミックを焼結するための一般的な方法です。一方で、低温共晶相の形成、液相焼結の実現により、緻密なボディが促進される。一方、窒化アルミニウムは酸素不純...
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AlN基板上への厚膜抵抗体の作製技術
マイクロエレクトロニクスのパッケージング技術の継続的な進歩に伴い、電子部品の出力と集積度が大幅に向上し、単位体積あたりの発熱量が大幅に増加し、放熱効率（つまり、放熱効率）に対する要件がより厳しくなりました。 、その熱伝導性能）を備えた新世代の回路基板。現在、研究者らは、窒化アルミニウム (AlN)、炭化ケイ素 (SiC)、酸化ベリリウムなど、熱伝導率の高いさまざまなセラミック基板材料の開発に取り組んでいます。 BeO)。ただし、BeO はその毒性により環境的に制限されています。 SiC は誘電率が高いため、基板材料としての使用には適していません。対照的に、AlN はシリコン (Si) 材料と同様の熱膨張係数と適度な誘電率を備えているため、基板材料として最適な選択肢です。[7] 伝統的に、厚膜スラープは主にアルミナ (Al2O3) 基板用に設計されていますしかし、これらのスラープの組成は、A...
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当社はアルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、石英セラミックスなどの先進的なセラミック材料に主に焦点を当てていますが、常に新しい材料と技術を模索しています。特定の材料要件がある場合は、当社までご連絡ください。お客様のニーズを満たすか、適切なパートナーを見つけるために最善を尽くします。

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セラミック製品に加えて、当社は以下のような追加サービスも提供します。お客様のニーズに基づいて、お客様自身で製造したブランクまたは半完成ブランクを使用したカスタマイズされたセラミック加工サービス。外部委託のセラミックパッケージングおよびメタライゼーションサービスにご興味がございましたら、詳細についてお問い合わせください。当社は、お客様のさまざまなニーズを満たすワンストップ ソリューションを提供することに常に取り組んでいます。

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無加圧焼結炭化ケイ素チューブ SSiCチューブ
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