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Pressureless sintered silicon carbide tube
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Pressureless sintered silicon carbide tube
Pressureless sintered silicon carbide tube
Pressureless sintered silicon carbide tube

無加圧焼結炭化ケイ素チューブ SSiCチューブ

プレスレス焼結炭化ケイ素（SSiC）は、高純度超微粒子炭化ケイ素粉末（サブミクロンレベル）を真空炉内で2100℃～2200℃の温度で焼結して製造されます。無加圧焼結炭化ケイ素管は、高強度、高硬度、良好な耐摩耗性、高温耐性、耐食性、良好な耐熱衝撃性、高い熱伝導率、良好な耐酸化性などの優れた特性を有し、主にさまざまな熱処理電気炉で使用されます。ガス炉設備、セラミックおよびガラス製造、化学工業、金属精錬およびその他の産業。

  • ブランド:

    ATCERA

  • 商品番号:

    AT-THG-G2001

  • 材料

    SiC

  • 形状

    Tube

  • アプリケーション

    Mechanical Parts , Petrochemical Industry , Metallurgy Industry
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Silicon carbide tube

無加圧焼結炭化ケイ素管の特性

１．プレスレス焼結炭化ケイ素チューブは良好な熱伝導率と良好な熱衝撃耐性を備えており、その熱伝導率は 120W/m*K を超える可能性があります。

2．プレスレス焼結炭化ケイ素管は高温に耐性があり、保護雰囲気のない条件下での使用温度は1650℃に達することができ、熱膨張係数が小さく、耐酸化性にも優れているため、次のような環境での作業が可能です。高温が長時間続く

3．プレスレス焼結炭化ケイ素管は優れた耐食性を持ち、さまざまな酸性およびアルカリ性物質の腐食に耐えることができます。

４．プレスレス焼結炭化ケイ素チューブは、高い機械的強度、高硬度、良好な耐摩耗性および耐浸食性を備えています。

Applications of Pressureless SSiC Tube

無加圧SSiCチューブの応用

プレスレス焼結炭化ケイ素管は、熱電対保護管、加熱管、放熱管、高温炉ローラーおよび構造支持管の製造に使用できます。

1.炭化ケイ素管は、冶金、化学工業、ガラスおよびセラミック製造およびその他の産業で使用される熱電対保護管または温度測定管として使用できます。

２．炭化ケイ素管は、高温電気炉、ガス炉、熱交換器などで使用される加熱管、熱交換管、放熱管の製造に使用できます。

3．炭化ケイ素チューブは、高温炉内のローラー、サポートチューブ、その他の構造に使用できます。

無加圧焼結炭化ケイ素チューブ

のサイズ表

当社は、お客様の正確な仕様に合わせたプライム無加圧焼結炭化ケイ素チューブを提供することに尽力しています。当社の専任チームは、お客様の指示に細心の注意を払い、お客様の期待を超えるよう努めます。さらに、お客様固有の要件に合わせてカスタマイズされたサイズの柔軟性も提供します。

カスタマイズされた設計要求の場合、図面、仕様要件、および使用シナリオ情報が提供されます。

カスタム設計の要件を送信

加工公差:
１．直径 ≤50mm: ±0.5mm
2．直径50～100mm：±1.5mm
3.直径100～300mm：±3mm
４．長さ≤500mm:±2mm
5.長さ500～2000mm：±3mm

Drawing of Pressureless Sintered Silicon Carbide Tube One End Closed

窒化物結合炭化ケイ素チューブ片端閉鎖
アイテムNO. 外径(mm) 内径(mm) 長さ(mm) NBSiCの純度(%)
AT-THG-G1001 20 10 500 92%
AT-THG-G1002 25 15 500 92%
AT-THG-G1003 30 20 500 92%
AT-THG-G1004 35 25 500 92%
AT-THG-G1005 40 30 500 92%
AT-THG-G1006 45 35 500 92%
AT-THG-G1007 50 40 500 92%
AT-THG-G1008 55 45 500 92%
AT-THG-G1009 60 50 500 92%
AT-THG-G1010 70 25 850 99%
AT-THG-G1011 70 30 850 99%
AT-THG-G1012 90 63 1000 99%
AT-THG-G1013 100 73 1250 99%
AT-THG-G1014 110 80 1200 99%
AT-THG-G1015 119 99 1050 99%
AT-THG-G1016 120 95 1200 99%
AT-THG-G1017 133 105 430 99%
AT-THG-G1018 155 130 1040 99%
AT-THG-G1019 168 140 430 99%
AT-THG-G1020 273 243 700 99%
AT-THG-G1021 280 230 1500 99%
AT-THG-G1022 20 8 1000 99%
AT-THG-G1023 25 13 1500 99%
AT-THG-G1024 30 18 1500 99%
AT-THG-G1025 35 23 1500 99%
AT-THG-G1026<37​​5> <376>40<377> <378>26<37​​9> <380>1600<381> <382>99%<383> <384> <385> <386>AT-THG-G1027<387> <388>50<389> <390>35<391> <392>1600<393> <394>99%<395> <396> <397> <398>AT-THG-G1028<399> <400>60<401> <402>40<403> <404>1600<405> <406>99%<407> <408> <409> <410>AT-THG-G1029<411> <412>20<413> <414>10<415> <416>500<417> <418>99%<419> <420> <421> <422>AT-THG-G1030<423> <424>25<425> <426>15<427> <428>500<429> <430>99%<431> <432> <433> <434>AT-THG-G1031<435> <436>30<437> <438>20<439> <440>500<441> <442>99%<443> <444> <445> <446>AT-THG-G1032<447> <448>35<449> <450>25<451> <452>500<453> <454>99%<455> <456> <457> <458>AT-THG-G1033<459> <460>40<461> <462>30<463> <464>500<465> <466>99%<467> <468> <469> <470>AT-THG-G1034<471> <472>45<473> <474>35<475> <476>500<477> <478>99%<479> <480> <481> <482>AT-THG-G1035<483> <484>50<485> <486>40<487> <488>500<489> <490>99%<491> <492> <493> <494>AT-THG-G1036<495><496>55<497> <498>45<499> <500>500<501> <502>99%<503> <504> <505> <506>AT-THG-G1037<507> <508>60<509> <510>50<511> <512>500<513> <514>99%<515> <516> <517> <518> <519> <520> <521><522> <523> <524> <525> <526> <527> <528>窒化物接合炭化ケイ素チューブ両端開放<529> <530> <531> <532>アイテムNO.<533> <534>外径(mm)<535> <536>内径 (mm)<537> <538>長さ(mm)<539> <540>NBSiC の純度 (%)<541> <542> <543> <544>AT-THG-G2001<545> <546>22<547> <548>12<549> <550>1000<551> <552>99%<553> <554> <555> <556>AT-THG-G2002<557> <558>28<559> <560>18<561> <562>1000<563> <564>99%<565> <566> <567> <568>AT-THG-G2003<569> <570>32<571> <572>10<573> <574>1000<575> <576>99%<577> <578> <579> <580>AT-THG-G2004<581> <582>38<583> <584>28<585> <586>1000<587> <588>99%<589> <590> <591> <592>AT-THG-G2005<593> <594>42<595> <596>32<597> <598>1000<599> <600>99%<601> <602> <603> <604>AT-THG-G2006<605> <606>47<607> <608>37<609> <610>1000<611> <612>99%<613> <614> <615> <616>AT-THG-G2007<617> <618>56<619> <620>46<621> <622>1000<623> <624>99%<625> <626> <627> <628>AT-THG-G2008<629> <630>55<631> <632>45<633> <634>1000<635> <636>99%<637> <638> <639> <640>AT-THG-G2009<641> <642>68<643> <644>56<645> <646>1000<647> <648>99%<649> <650> <651> <652>AT-THG-G2010<653> <654>40<655> <656>20<657> <658>500<659> <660>99%<661> <662> <663> <664>AT-THG-G2011<665> <666>30<667> <668>18<669> <670>500<671> <672>99%<673> <674> <675> <676>AT-THG-G2012<677> <678>40<679> <680>25<681> <682>500<683> <684>99%<685> <686> <687> <688>AT-THG-G2013<689> <690>30<691> <692>18<693> <694>400<695> <696>99%<697> <698> <699> <700>AT-THG-G2014<701> <702>40<703> <704>40<705> <706>400<707> <708>99%<709> <710> <711> <712>AT-THG-G2015<713> <714>70<715> <716>25<717> <718>850<719> <720>99%<721> <722> <723> <724>AT-THG-G2016<725> <726>70<727> <728>30<729> <730>850<731> <732>99%<733> <734> <735> <736>AT-THG-G2017<737> <738>90<739> <740>63<741> <742>1000<743> <744>99%<745> <746> <747> <748>AT-THG-G2018<749> <750>105<751> <752>70<753> <754>1250<755> <756>99%<757> <758> <759> <760>AT-THG-G2019<761> <762>104<763> <764>82<765> <766>1200<767> <768>99%<769> <770><771> <772>AT-THG-G2020<773> <774>120<775> <776>100<777> <778>1050<779> <780>99%<781> <782> <783> <784>AT-THG-G2021<785> <786>115<787> <788>90<789> <790>1200<791> <792>99%<793> <794> <795> <796>AT-THG-G2022<797> <798>128<799> <800>90<801> <802>430<803> <804>99%<805> <806> <807> <808>AT-THG-G2023<809> <810>150<811> <812>140<813> <814>1040<815> <816>99%<817> <818> <819> <820>AT-THG-G2024<821> <822>170<823> <824>140<825> <826>430<827> <828>99%<829> <830> <831> <832>AT-THG-G2025<833> <834>270<835> <836>240<837> <838>700<839> <840>99%<841> <842> <843> <844>AT-THG-G2026<845> <846>285<847> <848>235<849> <850>1500<851> <852>99%<853> <854> <855> <856>AT-THG-G2027<857> <858>22<859> <860>10<861> <862>1000<863> <864>99%<865> <866> <867> <868>AT-THG-G2028<869> <870>25<871> <872>13<873> <874>1500<875> <876>99%<877> <878> <879> <880>AT-THG-G2029<881> <882>30<883> <884>18<885> <886>1500<887> <888>99%<889> <890> <891> <892>AT-THG-G2030<893> <894>35<895> <896>23<897> <898>1500<899> <900>99%<901> <902> <903> <904>AT-THG-G2031<905> <906>40<907> <908>26<909> <910>1600<911> <912>99%<913> <914> <915> <916>AT-THG-G2032<917> <918>50<919> <920>35<921> <922>1600<923> <924>99%<925> <926> <927> <928>AT-THG-G2033<929> <930>60<931> <932>40<933> <934>1600<935> <936>99%<937> <938> <939> <940> <941> <942>

Drawing of Pressureless Sintered Silicon Carbide Tube Open Both End

<2>シリコン<3>カーバイド<4>材料<5>の技術データ <6><7> <8> <9> <10> <11>アイテム<12> <13>ユニット<14> <15>インデックスデータ<16> <17> <18> ＜１９＞反応焼結ＳｉＣ＜２０＞（ＳｉＳｉＣ）＜２１＞ ＜２２＞ＳｉＣと結合した窒化ケイ素＜２３＞（ＮＢＳｉＣ）＜２４＞ <25>SiCn無加圧焼結体<26>(SSiC)<27> <28> <29> <30>SiC含有量<31> <32>%<33> <34>85<35> <36>80<37> <38>99<39> <40> <41> <42>無料のシリコン含有量<43> <44>%<45> <46>15<47> <48>0<49> <50>0<51> <52> <53> <54>最大。使用温度<55> <56>～<57> <58>1380<59> <60>1550<61> <62>1600<63> <64> <65> <66>密度<67> <68>g/cm3<69> <70>3.02<71> <72>2.72<73> <74>3.1<75> <76> <77> <78>気孔率<79> <80>%<81> <82>0<83> <84>12<85> <86>0<87> <88> <89> <90>曲げ強度<91> <92>20?<93> <94>MPa<95> <96>250<97> <98>160<99> <100>380<101> <102> <103> <104>1200?<105> <106>MPa<107> <108>280<109> <110>180<111> <112>400<113> <114> <115> <116>弾性率<117> <118>20â<119> <120>GPa<121> <122>330<123> <124>220<125> <126>420<127> <128> <129> <130>1200?<131> <132>GPa<133> <134>300<135> <136>/<137> <138>/<139> <140> <141> <142>熱伝導率<143> <144>1200?<145> <146>W/m.k<147> <148>45<149> <150>15<151> <152>74<153> <154> <155> <156>熱膨張係数<157> <158>K-1×10-6<159> <160>4.5<161> <162>5<163> <164>4.1<165> <166> <167> <168>ビッカース硬度<169> <170>HV<171> <172>kg/mm2<173> <174>2500<175> <176>2500<177> <178>2800<179> <180> <181> <182> <183> <184> <185>*この表は、当社のSiC製品および部品の製造に一般的に使用される炭化ケイ素材料の標準特性を示しています。カスタマイズされた炭化ケイ素製品および部品の特性は、関与する特定のプロセスによって異なる場合があることに注意してください。<186>




使用上の注意

1.アプリケーションシナリオとパラメータ要件に従って、適切なタイプの炭化ケイ素チューブを選択します。
2.設置および使用の際は強度に注意し、壊れたり損傷しないように激しい衝撃を避け、自由な膨張を確保するために一定のスペースを確保し、熱膨張による損傷を避けてください。
3. 使用時に水分を多量に含む物体に接触させたり、最高使用温度を超えたりしないでください。そうしないと、炭化ケイ素チューブの寿命に影響を与える可能性があります。
４．初めて使用する場合、または長期保管後に再度使用する場合は、加熱速度を制御し、低電力加熱を使用してゆっくり加熱する必要があります。
5.予備のシリコン カーボン チューブは、涼しく乾燥した浸食のない場所に置く必要があります。

貴重な情報

Nitride Bonded Silicon Carbide Tube Packing

無加圧SSiCチューブパッキン

無加圧焼結炭化ケイ素チューブは、損傷の可能性を避けるために、適切な容器に慎重に梱包されています。

カスタマイズの利点
カスタマイズの利点

１．アプリケーションシナリオに従って、ニーズを分析し、適切な材料と加工計画を選択します。

2. 専門チームが迅速に対応し、要求を確認してから 24 時間以内にソリューションと見積もりを提供します。

3. 柔軟なビジネス協力メカニズム、少なくとも 1 つの数量カスタマイズをサポートします。

4. 製品がお客様のニーズを満たしていることを確認するために、サンプルとテストレポートを迅速に提供します。

5. 使用コストを削減するために、製品の使用とメンテナンスに関する提案を提供します。

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高出力IGBTモジュールのパッケージングに最適なセラミック基板材料はどれですか?
最新のパワー エレクトロニクス システムでは、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ) モジュールがエネルギー変換と制御の中核コンポーネントであり、その長期安定性と信頼性が非常に重要です。 IGBT モジュールのパッケージ構造の主要コンポーネントであるセラミック クラッド基板は、回路コンポーネントを搭載するだけでなく、モジュールの放熱効率と耐用年数に直接影響する熱伝導という重い役割も担っています。この論文は、特に熱伝導率と熱膨張係数の整合性の観点から、セラミック銅クラッドプレートの性能に対するさまざまなセラミック基板材料の影響を調査し、アルミナ、窒化ケイ素、および窒化アルミニウムセラミック基板材料の長所と短所を分析することを目的としています。高出力モジュールのパッケージング材料の選択に理論的根拠を提供するためのものです。 アルミナ基板の用途制限: アルミナ セラミック基板は、その...
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超高圧はどのようにしてナノ構造の透明セラミックの調製を可能にするのでしょうか?
高効率材料の一種である透明セラミックは、その独特の光透過率、高強度、優れた熱安定性により、光学、エレクトロニクス、航空宇宙、その他の分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、透明セラミックを製造する従来の方法は、異常な粒子成長、高い焼結温度、複雑なプロセスなどの課題に直面することがよくあります。近年、透明セラミックを調製するための超高圧技術の使用が研究のホットスポットとなっており、特にナノ構造の透明セラミックの調製では、この方法はプロセスを簡素化するだけでなく、材料の性能も大幅に向上します。この論文では、ナノ構造透明セラミックの超高圧調製の方法、利点、および潜在的な応用について説明します。 透明セラミックスの超高圧作製の基本原理 透明セラミックスの超高圧作製の核心は、高純度の粉末原料を1GPa以上の超高圧環境下で直接焼結してセラミックバルクを形成することです。このプロセスでは、超高圧環...
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熱間静水圧プレス焼結技術はどのようにして高品質の透明セラミックの製造を促進するのでしょうか?
高性能材料の一種である透明セラミックスは、その独特の光透過性、高強度、優れた熱安定性により、光学、エレクトロニクス、航空宇宙およびその他の分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、透明セラミックスの製造プロセス、特に材料の最終特性に直接関係する焼結プロセスは複雑です。数ある焼結法の中でも、熱間静水圧プレスは、その独特の利点により、高品質の透明セラミックスを製造するための重要な技術の 1 つとなっています。この記事では、関連分野の研究開発の参考となるよう、透明セラミックの製造における熱間静水圧プレス焼結技術の原理、特徴、応用について詳しく説明します。 熱間静水圧プレス焼結技術の概要 熱間等方焼結は、常温等方圧と高温焼結の利点を組み合わせ、高圧容器内の保護ガスに等方圧を加えることにより、セラミックビレットの均一で効率的な焼結を実現します。 静水圧均一性の利点 従来の焼結法と比較して、熱間静...
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ホットプレス焼結は高性能透明セラミック製造の未来となるでしょうか?
透明セラミックスは、優れた光透過性、高強度、高硬度、優れた耐熱性、優れた特性により、高性能かつ多機能な新しい無機非金属材料として、光学、エレクトロニクス、航空宇宙などの分野で大きな応用可能性を示しています。化学的安定性。透明セラミックスの製造方法は数多くありますが、その中でもホットプレス焼結法はその独特な技術特性により、高性能透明セラミックス材料を実現するための重要な技術の一つとなっています。この論文の目的は、透明セラミックスの製造におけるホットプレス焼結技術の応用原理と技術的利点、および将来の材料科学の発展に対するその促進効果について議論することです。 ホットプレス焼結の基本原理とプロセス ホットプレス焼結技術 粉末またはセラミックの予備成形体を高融点金属または黒鉛の型に入れ、高温環境下で一定の圧力を加えて粉末粒子の密着と拡散を促進し、焼結を完了させる技術短時間で処理します。このプロセス...
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真空焼結技術はどのようにして透明なセラミックスの作製を容易にするのでしょうか?
一種の高性能材料である透明セラミックスは、その独特の光透過性と優れた機械的特性により、光学窓、レーザー媒質、高温波透過材料の分野で大きな応用可能性を示しています。透明セラミックスを製造する多くの方法の中で、真空焼結技術は、その独特の利点により最も広く研究され、応用されている方法の 1 つとなっています。この論文では、透明セラミック材料の研究開発に理論的参照と実践的な指針を提供するために、透明セラミックの製造における真空焼結技術の原理、特性、および応用について説明します。 真空焼結の基本原理と仕組み 真空焼結とは、完全または部分的な真空環境でセラミック本体を加熱して焼結温度に達し、緻密化プロセスを完了する方法を指します。真空環境は内外の圧力差を生み出し、細孔の効果的な排出を促進し、セラミックスの気孔率を大幅に低減し、粒子の成長を促進して、高密度の微細構造を形成します。さらに、真空条件は高温で...
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透明セラミックの製造における冷間静水圧プレスの利点は何ですか?
高性能材料の一種である透明セラミックスは、その優れた光透過性、高硬度、高温耐性などの特性により、光学、エレクトロニクス、航空宇宙などの分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、透明セラミックスの作製プロセスは複雑であり、成形技術は最終的な性能を決定する重要な要素の1つです。多くの成形方法の中でも、静水圧プレスは、均一な圧力を加えて内部欠陥の形成を効果的に回避できるため、透明セラミックの製造で最も一般的に使用される成形技術の 1 つとなっています。この論文は、透明セラミックの製造における冷間静水圧プレスの応用と利点に焦点を当てています。 まずは冷間静水圧プレスの基本原理と特徴 冷間静水圧プレスは、粉末材料をゴム袋に入れて鋼製の型に入れ、全方向から圧力を加えて粉末を緻密化して成形するプロセスです。この方法の核となる利点は、粉末に均一な圧力を加えることができ、乾式プレスのプロセスにおける不均...
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当社はアルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、石英セラミックスなどの先進的なセラミック材料に主に焦点を当てていますが、常に新しい材料と技術を模索しています。特定の材料要件がある場合は、当社までご連絡ください。お客様のニーズを満たすか、適切なパートナーを見つけるために最善を尽くします。

絶対に。当社の技術チームはセラミック材料に関する深い知識と製品設計における豊富な経験を持っています。お客様の製品の最適なパフォーマンスを確保するために、材料選択のアドバイスと製品設計のサポートを喜んで提供させていただきます

当社には固定の最低注文金額要件はありません。私たちは常にお客様のニーズを満たすことに重点を置き、注文の規模に関係なく、高品質のサービスと製品を提供するよう努めています

セラミック製品に加えて、当社は以下のような追加サービスも提供します。お客様のニーズに基づいて、お客様自身で製造したブランクまたは半完成ブランクを使用したカスタマイズされたセラミック加工サービス。外部委託のセラミックパッケージングおよびメタライゼーションサービスにご興味がございましたら、詳細についてお問い合わせください。当社は、お客様のさまざまなニーズを満たすワンストップ ソリューションを提供することに常に取り組んでいます。

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