Silicon Nitride Substrate
Silicon Nitride Substrate
Silicon Nitride Substrate
Silicon Nitride Substrate
Silicon Nitride Substrate

窒化ケイ素基板 Si3N4 基板 セラミック基板

窒化ケイ素セラミック基板は、高純度の窒化ケイ素粉末で作られた新世代の半導体基板材料であり、優れた熱伝導性と絶縁性、高い機械的強度と硬度、小さな熱膨張係数、良好な耐熱衝撃性能を備え、半導体で広く使用されています。パワーコンポーネント、インバーター、パワーモジュール、マルチデバイス集積回路などを含む集積回路

  • ブランド:

    ATCERA
  • 商品番号:

    AT-DHG-JB001
  • 材料

    Si3N4
  • 形状

    Substrate
  • アプリケーション

    Semiconductor , Electronics and Electricity
Si3N4 Substrate

窒化ケイ素基板の特性

1.高温耐性、最高使用温度は 1300 °C に達する可能性があります

2.大きな熱伝導率、最大 95W/(â*m)、小さい熱膨張係数、わずか 3*10-6/Å、優れた耐熱衝撃性を備えています。

3.高い機械的強度、良好な靭性、機械的衝撃に対する強い耐性;

4.優れた電気絶縁性、高い絶縁破壊電圧、大きな電流容量;

5.さまざまな酸、アルカリ、その他の化学物質の侵食に耐えることができ、耐食性は非常に優れています。

Applications of Si3N4 Substrate

Si3N4基板の応用

窒化ケイ素セラミック基板は、主に半導体、エレクトロニクス、その他のマイクロエレクトロニクスデバイスの製造において、集積回路(IC)、高周波(RF)デバイス、圧電部品、光電部品、センサー、MEMS などのチップおよび電子部品の基板として使用されます。その他のマイクロ電子デバイス。高性能材料として、窒化ケイ素セラミック基板は安定した支持プラットフォームを提供し、コンポーネントの正常な動作と性能を保証します。

1.電子産業への応用

窒化ケイ素セラミック基板は、高い絶縁性能と優れた高温耐性を備えており、電子部品の高い信頼性と高性能の要件を満たすことができ、主に電子コンデンサ、抵抗器、磁性部品などの電子部品の製造に使用されます。の上。さらに、高周波信号の安定した伝送を確保するための高速通信機器の中間層の製造にも使用できます。[61] <62><63> <64>2.光電産業<65> <66>窒化ケイ素セラミック基板は優れた熱性能と機械的強度を提供することができ、光電産業、特に高出力 LED の製造で広く使用されており、LED コンポーネントの安定性と寿命を保証します。さらに、太陽電池パネルの機械的強度と耐薬品性を高めるための支持材の製造にも使用できます[67]。 <68><69> <70>3.電気産業<71> <72>窒化ケイ素セラミック基板は優れた絶縁性能と良好な放熱性を備えており、パワーモジュール、加熱モジュールなどのさまざまな高出力電気部品の製造に使用でき、電気機器の耐用年数と信頼性を効果的に確保します。 .<73> <74> <75> <76> <77>

Si3N4基板のサイズチャート

お客様の仕様に合わせて最適な窒化ケイ素セラミック基板を提供することに尽力します。当社の専任チームは、お客様の指示に細心の注意を払い、お客様の期待を超えるよう努めます。さらに、お客様固有の要件に合わせてカスタマイズされたサイズにも柔軟に対応します

カスタマイズされた設計要求の場合は、図面および仕様要件を提供する必要があります。

加工公差:
1.直径:±0.003mm
2.穴深さ:±0.005mm
3.表面粗さ:Ra0.02
4.円筒度:±0.002mm
5.同心度:±0.002mm
6.平行度:±0.002mm

Drawing of Si3N4 Substrate Square and Rectangular

Si3N4 基板 正方形および長方形
商品番号 長さ
(mm)

(mm)
厚さ
(mm)
AT-DHG-JB001 10 10 0.32
AT-DHG-JB002 20 20 0.32
AT-DHG-JB003 30 30 4.0
AT-DHG-JB004 40 40 0.5
AT-DHG-JB005 50 50 0.32
AT-DHG-JB006 50 50 0.635
AT-DHG-JB007 50 50 1.0
AT-DHG-JB008 50 50 2.0
AT-DHG-JB009 50 50 4.0
AT-DHG-JB010 50 50 9.0
AT-DHG-JB011 100 100 0.3
AT-DHG-JB012 100 100 0.5
AT-DHG-JB013 100 100 0.6
AT-DHG-JB014 100 100 1.0
AT-DHG-JB015 100 100 4.0
AT-DHG-JB016 100 100 9.0
AT-DHG-JB017 114 114 0.3
AT-DHG-JB018 114 114 0.5
AT-DHG-JB019 114 114 0.6
AT-DHG-JB020 114 114 1.0
AT-DHG-JB021 190 138 0.3
AT-DHG-JB022 190 138 0.5
AT-DHG-JB023 190 138 0.6
AT-DHG-JB024 190 138 1.0

Drawing of Si3N4 Substrate Round

Si3N4 基板ラウンド
商品番号 直径
(mm)
厚み
(mm)
AT-DHG-JB025 5 0.25
AT-DHG-JB026 5 0.32
AT-DHG-JB027 5 0.625
AT-DHG-JB028 5 1
AT-DHG-JB029 10 0.25
AT-DHG-JB030 10 0.32
AT-DHG-JB031 10 0.625
AT-DHG-JB032 10 1
AT-DHG-JB033 20 0.25
AT-DHG-JB034 20 0.32
AT-DHG-JB035 20 0.625
AT-DHG-JB036 20 1
AT-DHG-JB037 40 0.25
AT-DHG-JB038 40 0.32
AT-DHG-JB039 40 0.625
AT-DHG-JB040 40 1
AT-DHG-JB041 50 0.25
AT-DHG-JB042 50 0.32
AT-DHG-JB043 50 0.625
AT-DHG-JB044 50 1
AT-DHG-JB045 100 0.32
AT-DHG-JB046 100 1
AT-DHG-JB047 100 2
AT-DHG-JB048 150 0.32
AT-DHG-JB049 150 1
AT-DHG-JB050 150 2
AT-DHG-JB051 150 20

<2>窒化ケイ素材料<3>の技術データ <4> <5> <6> <7> <8> <9>Si3N4タイプ<10> <11>ガス圧焼結Si3N4<12> <13>Si3N4 ホットプレス焼結<14> <15> <16> <17>密度(g/cm<18>3<19>)<20> <21>3.2<22> <23>3.3<24> <25> <26> <27>曲げ強さ(MPa)<28> <29>700<30> <31>900<32> <33> <34> <35>ヤング率 (GPa)<36> <37>300<38> <39>300<40> <41> <42> <43>ポアソン比<44> <45>0.25<46> <47>0.28<48> <49> <50> <51>圧縮強度(MPa)<52> <53>2500<54> <55>3000<56> <57> <58> <59>硬度(GPa)<60> <61>15<62> <63>16<64> <65> <66> <67>破壊靱性(MPa・m<68>1/2<69>)<70> <71>5~7<72> <73>6~8<74> <75> <76> <77>最高使用温度 (°C)<78> <79>1100<80> <81>1300<82> <83> <84> <85>熱伝導率(W/m*K)<86> <87>20<88> <89>25<90> <91> <92> <93>熱膨張係数 (/)<94> <95>3*10<96>-6<97> <98>3.1*10<99>-6<100> <101> <102> <103>耐熱衝撃性 (ΔT )<104> <105>550<106> <107>800<108> <109> <110> <111> <112> <113> <114>*この表は、当社の Si<115>3<116>N<117>4<118> 製品および部品の製造に一般的に使用される窒化ケイ素材料の標準特性を示しています。カスタマイズされた窒化ケイ素製品および部品の特性は、関与する特定のプロセスによって異なる場合があることに注意してください。詳細なパラメータは、安定化剤の種類と組成によって決定されます。<119>

使用上の注意

1.使用中の衝突や衝撃は損傷を避けるものでなければなりません。
2.窒化ケイ素セラミック基板の使用温度は厳密に管理され、長時間の高温作業は避けなければなりません。
3.窒化ケイ素セラミック基板は、酸、アルカリ、塩、その他の化学薬品に対して優れた耐食性を備えていますが、フッ化水素酸との接触は避けなければなりません。
4.窒化ケイ素セラミック基板の表面は塵や埃で汚れやすく、性能や寿命に影響を与える可能性があるため、使用中に定期的に洗浄して表面を清潔で光沢のある状態に保つ必要があります

貴重な情報

Si3N4 Substrate Packing

Si3N4基板パッキン

窒化ケイ素セラミック基板は、潜在的な損傷を避けるために、適切な容器に慎重に梱包されています。

カスタマイズの利点
カスタマイズの利点

1.アプリケーションシナリオに従って、ニーズを分析し、適切な材料と加工計画を選択します。

2. 専門チームが迅速に対応し、要求を確認してから 24 時間以内にソリューションと見積もりを提供します。

3. 柔軟なビジネス協力メカニズム、少なくとも 1 つの数量カスタマイズをサポートします。

4. 製品がお客様のニーズを満たしていることを確認するために、サンプルとテストレポートを迅速に提供します。

5. 使用コストを削減するために、製品の使用とメンテナンスに関する提案を提供します。

関連ブログ
プレスプロセスは炭化ケイ素るつぼの性能にどのような影響を与えますか?
炭化ケイ素るつぼは、優れた高温耐性、耐食性、高強度のため、セラミックス、冶金、ガラスなどの高温産業で広く使用されています。プレス成形は、シックルツボの製造における一般的な成形方法です。その技術プロセスとパラメータ制御は、るつぼの最終性能に重要な影響を与えます。この論文の目的は、炭化ケイ素るつぼの製造に対する理論的基礎と技術的サポートを提供するために、炭化ケイ素るつぼのプレスプロセスについて説明することです。 原料の混合と準備 SIC るつぼのプレス成形プロセスでは、まず原材料の混合と準備が行われます。原材料には主に炭化ケイ素粉末、結合剤、可塑剤などが含まれます。これらの原料を一定の割合で均一に混合してプラスチック泥を形成します。原材料の混合プロセスでは、各成分の均一な分布を確保するために比率を厳密に制御する必要があり、これがその後の成形の良好な基盤となります。 プレス成形工程 混合した泥を...
炭化ケイ素るつぼが高温産業に不可欠な理由は何ですか?
最新の高温産業技術の継続的な発展に伴い、材料特性に対する要件が高まっています。 炭化ケイ素るつぼは、その独特な材料組成と一連の優れた特性を備えており、高温産業分野では欠かせない材料となっています。この記事の目的は、SIC るつぼの 7 つの優れた特性と、高温産業におけるその幅広い用途について説明することです。 高温安定性 SIC るつぼは非常に高い融点 (約 2700°C) を持ち、非常に高い温度でも安定した状態を保つことができ、容易に変形したり溶けたりしません。この特性により、セラミック焼結や金属精錬など、高温処理が必要なプロセスでの使用に最適です。高温環境下でも、炭化ケイ素るつぼは構造の完全性と安定した性能を維持でき、高温産業に信頼できる材料保証を提供します。 . 優れた熱伝導率 炭化ケイ素は熱伝導性に優れており、熱を素早く均一に伝達します。この特性により、SIC るつぼは加熱効率の向...
炭化ケイ素るつぼの性能の最適化: 材料とプロセス
セラミック材料科学技術の絶え間ない進歩に伴い、高性能非酸化物セラミック材料の一種である炭化ケイ素(SiC)は、その独特の物理的および化学的特性により、多くの産業分野で大きな応用可能性を示しています。特に高温炉では、優れた耐高温性、耐食性、高熱伝導率特性を備えた炭化ケイ素るつぼが、高温焼結プロセスを支え、保護するための重要なコンポーネントとなっています。この論文の目的は、SICるつぼの材料組成を調査し、そのコア材料の特性を分析し、補助材料がどのように連携してるつぼの全体的な性能を最適化するかを調べることです。 炭化ケイ素芯材の特徴 1.高い硬度と耐摩耗性: 炭化ケイ素の硬度はダイヤモンドに次ぐもので、るつぼに優れた耐摩耗性を与え、耐用年数を効果的に延長します。 2. 優れた耐食性: 炭化ケイ素は、さまざまな酸およびアルカリ媒体に対して優れた化学的安定性を備えており、さまざまな複雑な環境での焼...
窒化アルミニウムセラミック銅クラッドプレートを効率的に準備して最適化するにはどうすればよいですか?
パワーエレクトロニクス技術の急速な発展、特に高電圧、大電流、高周波 IGBT モジュールなどのパワー半導体デバイスの幅広い用途に伴い、セラミック銅被覆基板に対する要件がさらに厳しくなっています。窒化アルミニウム (AlN) は、高い熱伝導率、低い誘電率、優れた機械的特性を備えたセラミック材料の一種であり、高性能セラミックの銅被覆基板を作製するのに理想的な選択肢です。ただし、窒化アルミニウム基板の表面特性により、銅や酸化銅がその上に濡れて広がるのが難しく、DBC (直接接合銅) プロセスへの直接適用は制限されます。したがって、窒化アルミニウムセラミック銅クラッドプレートの効率的な製造プロセスを探索し、その性能を最適化することが現在の研究の焦点となっている[3]。 窒化アルミニウム DBC 調製プロセスの課題と解決策: 窒化アルミニウムの表面特性により、銅との直接接合が困難になります。窒化アル...
高出力IGBTモジュールのパッケージングに最適なセラミック基板材料はどれですか?
最新のパワー エレクトロニクス システムでは、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ) モジュールがエネルギー変換と制御の中核コンポーネントであり、その長期安定性と信頼性が非常に重要です。 IGBT モジュールのパッケージ構造の主要コンポーネントであるセラミック クラッド基板は、回路コンポーネントを搭載するだけでなく、モジュールの放熱効率と耐用年数に直接影響する熱伝導という重い役割も担っています。この論文は、特に熱伝導率と熱膨張係数の整合性の観点から、セラミック銅クラッドプレートの性能に対するさまざまなセラミック基板材料の影響を調査し、アルミナ、窒化ケイ素、および窒化アルミニウムセラミック基板材料の長所と短所を分析することを目的としています。高出力モジュールのパッケージング材料の選択に理論的根拠を提供するためのものです。 アルミナ基板の用途制限: アルミナ セラミック基板は、その...
超高圧はどのようにしてナノ構造の透明セラミックの調製を可能にするのでしょうか?
高効率材料の一種である透明セラミックは、その独特の光透過率、高強度、優れた熱安定性により、光学、エレクトロニクス、航空宇宙、その他の分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、透明セラミックを製造する従来の方法は、異常な粒子成長、高い焼結温度、複雑なプロセスなどの課題に直面することがよくあります。近年、透明セラミックを調製するための超高圧技術の使用が研究のホットスポットとなっており、特にナノ構造の透明セラミックの調製では、この方法はプロセスを簡素化するだけでなく、材料の性能も大幅に向上します。この論文では、ナノ構造透明セラミックの超高圧調製の方法、利点、および潜在的な応用について説明します。 透明セラミックスの超高圧作製の基本原理 透明セラミックスの超高圧作製の核心は、高純度の粉末原料を1GPa以上の超高圧環境下で直接焼結してセラミックバルクを形成することです。このプロセスでは、超高圧環...
熱間静水圧プレス焼結技術はどのようにして高品質の透明セラミックの製造を促進するのでしょうか?
高性能材料の一種である透明セラミックスは、その独特の光透過性、高強度、優れた熱安定性により、光学、エレクトロニクス、航空宇宙およびその他の分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、透明セラミックスの製造プロセス、特に材料の最終特性に直接関係する焼結プロセスは複雑です。数ある焼結法の中でも、熱間静水圧プレスは、その独特の利点により、高品質の透明セラミックスを製造するための重要な技術の 1 つとなっています。この記事では、関連分野の研究開発の参考となるよう、透明セラミックの製造における熱間静水圧プレス焼結技術の原理、特徴、応用について詳しく説明します。 熱間静水圧プレス焼結技術の概要 熱間等方焼結は、常温等方圧と高温焼結の利点を組み合わせ、高圧容器内の保護ガスに等方圧を加えることにより、セラミックビレットの均一で効率的な焼結を実現します。 静水圧均一性の利点 従来の焼結法と比較して、熱間静...
ホットプレス焼結は高性能透明セラミック製造の未来となるでしょうか?
透明セラミックスは、優れた光透過性、高強度、高硬度、優れた耐熱性、優れた特性により、高性能かつ多機能な新しい無機非金属材料として、光学、エレクトロニクス、航空宇宙などの分野で大きな応用可能性を示しています。化学的安定性。透明セラミックスの製造方法は数多くありますが、その中でもホットプレス焼結法はその独特な技術特性により、高性能透明セラミックス材料を実現するための重要な技術の一つとなっています。この論文の目的は、透明セラミックスの製造におけるホットプレス焼結技術の応用原理と技術的利点、および将来の材料科学の発展に対するその促進効果について議論することです。 ホットプレス焼結の基本原理とプロセス ホットプレス焼結技術 粉末またはセラミックの予備成形体を高融点金属または黒鉛の型に入れ、高温環境下で一定の圧力を加えて粉末粒子の密着と拡散を促進し、焼結を完了させる技術短時間で処理します。このプロセス...
真空焼結技術はどのようにして透明なセラミックスの作製を容易にするのでしょうか?
一種の高性能材料である透明セラミックスは、その独特の光透過性と優れた機械的特性により、光学窓、レーザー媒質、高温波透過材料の分野で大きな応用可能性を示しています。透明セラミックスを製造する多くの方法の中で、真空焼結技術は、その独特の利点により最も広く研究され、応用されている方法の 1 つとなっています。この論文では、透明セラミック材料の研究開発に理論的参照と実践的な指針を提供するために、透明セラミックの製造における真空焼結技術の原理、特性、および応用について説明します。 真空焼結の基本原理と仕組み 真空焼結とは、完全または部分的な真空環境でセラミック本体を加熱して焼結温度に達し、緻密化プロセスを完了する方法を指します。真空環境は内外の圧力差を生み出し、細孔の効果的な排出を促進し、セラミックスの気孔率を大幅に低減し、粒子の成長を促進して、高密度の微細構造を形成します。さらに、真空条件は高温で...
透明セラミックの製造における冷間静水圧プレスの利点は何ですか?
高性能材料の一種である透明セラミックスは、その優れた光透過性、高硬度、高温耐性などの特性により、光学、エレクトロニクス、航空宇宙などの分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、透明セラミックスの作製プロセスは複雑であり、成形技術は最終的な性能を決定する重要な要素の1つです。多くの成形方法の中でも、静水圧プレスは、均一な圧力を加えて内部欠陥の形成を効果的に回避できるため、透明セラミックの製造で最も一般的に使用される成形技術の 1 つとなっています。この論文は、透明セラミックの製造における冷間静水圧プレスの応用と利点に焦点を当てています。 まずは冷間静水圧プレスの基本原理と特徴 冷間静水圧プレスは、粉末材料をゴム袋に入れて鋼製の型に入れ、全方向から圧力を加えて粉末を緻密化して成形するプロセスです。この方法の核となる利点は、粉末に均一な圧力を加えることができ、乾式プレスのプロセスにおける不均...

関連製品

よくある質問

当社はアルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、石英セラミックスなどの先進的なセラミック材料に主に焦点を当てていますが、常に新しい材料と技術を模索しています。特定の材料要件がある場合は、当社までご連絡ください。お客様のニーズを満たすか、適切なパートナーを見つけるために最善を尽くします。

絶対に。当社の技術チームはセラミック材料に関する深い知識と製品設計における豊富な経験を持っています。お客様の製品の最適なパフォーマンスを確保するために、材料選択のアドバイスと製品設計のサポートを喜んで提供させていただきます

当社には固定の最低注文金額要件はありません。私たちは常にお客様のニーズを満たすことに重点を置き、注文の規模に関係なく、高品質のサービスと製品を提供するよう努めています

セラミック製品に加えて、当社は以下のような追加サービスも提供します。お客様のニーズに基づいて、お客様自身で製造したブランクまたは半完成ブランクを使用したカスタマイズされたセラミック加工サービス。外部委託のセラミックパッケージングおよびメタライゼーションサービスにご興味がございましたら、詳細についてお問い合わせください。当社は、お客様のさまざまなニーズを満たすワンストップ ソリューションを提供することに常に取り組んでいます。

はい、そうです。世界中のどこにお住まいであっても、ご注文の商品を安全かつタイムリーにお届けいたします。

お問い合わせを送信

アップロード
* File ONLY PDF/JPG./PNG. Available.
Submit Now

お問い合わせ

お問い合わせ
以下のフォームにできる限り記入してください。細かいことは気にしないでください。
提出する
Looking for ビデオ?
お問い合わせ #
19311583352

オフィスアワー

  • 月曜日から金曜日: 午前 9 時から午後 12 時、午後 2 時から午後 5 時 30 分

当社の営業時間は、グリニッジ標準時 (GMT) より 8 時間進んだ北京時間に基づいていることにご注意ください。お問い合わせや面談の日程調整につきましては、ご理解とご協力を賜りますようお願い申し上げます。お急ぎの場合や営業時間外のご質問につきましては、メールにてお気軽にお問い合わせください。できるだけ早くご連絡させていただきます。平素は格別のお引き立てを賜り、誠にありがとうございます。今後ともよろしくお願いいたします。

製品

whatsApp

接触