• ゾルゲル研磨技術: 炭化ケイ素基板研磨を革新する課題と機会 ゾルゲル研磨技術: 炭化ケイ素基板研磨を革新する課題と機会 Sep 23 , 2024
    半導体材料業界の新興スターである炭化ケイ素は、その優れた性能指標によりマイクロエレクトロニクス技術の革新トレンドを徐々にリードしています。従来の半導体材料よりもはるかに優れたその独特の熱伝導率は、効率的な熱放散の可能性をもたらし、特に高出力電子デバイスにおいて比類のない利点を示します。広いバンドギャップ特性と相まって、炭化ケイ素基板 は極端な環境でも安定した電気的性能を維持でき、温度変動の影響を受けないため、航空宇宙や航空宇宙などのハイエンド用途での応用範囲が大幅に広がります。新エネルギー車。さらに、高絶縁破壊電界と高電子移動度という 2 つの重要なパラメーターにより、パワー エレクトロニクス コンバーターや RF 通信デバイスなどの高周波および高電圧電子デバイスにおける炭化ケイ素の応用のための強固な基盤が築かれました。 、そのおかげでパフォーマンスの飛躍を達成しました。 炭化ケイ素の幅広...
  • 超微細研削分野における窒化ケイ素ボールの応用性能と利点の分析 超微細研削分野における窒化ケイ素ボールの応用性能と利点の分析 Sep 25 , 2024
    ナノテクノロジーと超微粒子材料科学の急速な発展に伴い、高純度で超微粒子の粉末に対する需要は日に日に高まっています。 窒化ケイ素ボールは、優れた硬度、非常に低い摩耗率、優れた化学的安定性を備え、徐々に超微粉砕の分野で重要な研削媒体になりました。この論文の目的は、研削媒体としての窒化ケイ素セラミックボールの性能特性を体系的に説明し、超微粉砕プロセスにおけるその応用利点と特定の用途について深く議論し、研究と研究のための理論的基礎と実践的なガイダンスを提供することです。関連分野への応用 超微粉砕技術は現代の材料調製および加工の重要な分野であり、材料特性の向上と材料応用分野の拡大にとって非常に重要です。スチールボールやアルミナボールなどの従来の粉砕メディアは、磨耗が大きい、材料が汚染されやすい、高純度かつ低純度の超微粉砕の要件を満たすことが難しいなど、粉砕プロセスで多くの問題を抱えていました。汚染。...
  • 窒化ケイ素ボール: ハイテク粉末粉砕メディアの新しい選択肢 窒化ケイ素ボール: ハイテク粉末粉砕メディアの新しい選択肢 Sep 26 , 2024
    ハイテク産業の急速な発展に伴い、粉末材料の細かさ、純度、一貫性に対する要求が高まっています。粉末調製プロセスの重要な要素である粉砕媒体の性能は、最終製品の品質を直接決定します。伝統的に、ジルコニアセラミックボールは、その高い曲げ強度、耐摩耗性、および一定の高い靭性により、超微粉砕の分野で広く使用されています。ただし、適時の故障と高温での性能の不安定性により、ハイエンドの粉末製造での用途は制限されます。この論文の目的は、新世代の粉砕媒体としての 窒化ケイ素ボール の独自の利点を探り、それがどのように ジルコニア ボール に取って代わり、ハイテク粉末の品質を大幅に向上させることができるかを説明することです。製品 材料科学の重要な分野である粉体産業は、その製品の性能が半導体、生物医学、航空宇宙、その他のハイテク分野の発展に直接関係しています。粉体調製の中核ツールである粉砕媒体の選択は、粉砕効率、...
  • 窒化アルミニウム基板のアプリケーション要件 窒化アルミニウム基板のアプリケーション要件 Sep 30 , 2024
    高度なセラミック材料としての窒化アルミニウム (AlN) は、その独特の物理的および化学的特性により、電子パッケージング、パワーエレクトロニクス、高周波通信およびその他の分野で大きな応用可能性を示しています。これらの分野の中核コンポーネントとして、窒化アルミニウム基板は、基本的な物理的性能要件を満たすだけでなく、特定のアプリケーション シナリオの複雑なニーズにも適応する必要があります。この論文は、窒化アルミニウムセラミック基板の物理的特性から始まり、さまざまな応用分野におけるその特定の要件を詳細に議論し、最先端の研究と組み合わせて、材料設計によって窒化アルミニウムセラミック基板の総合的な性能を向上させる方法を分析します。および調製技術。 窒化アルミニウム基板の物性 窒化アルミニウムセラミックは、高い熱伝導率、高い電気絶縁性、良好な機械的強度、優れた熱安定性、および化学的不活性性で知られてい...
  • 窒化アルミニウム基板の準備と焼結助剤の選択 窒化アルミニウム基板の準備と焼結助剤の選択 Sep 30 , 2024
    ハイテク材料の分野では、優れた熱伝導性、電気絶縁性、機械的強度に優れた窒化アルミニウム(AlN)セラミックスが、エレクトロニクス実装、パワーエレクトロニクス、マイクロ波通信機器などの主要分野のコア素材となっています。 。ただし、窒化アルミニウム基板の準備は複雑なプロセスであり、焼結プロセスと焼結添加剤の選択が最終製品の特性に重要な影響を与えます。この論文では、Alnセラミック基板の製造プロセスから始めて、焼結助剤の選択と基板の性能に対するそれらの影響について詳細に議論し、フロンティア研究と組み合わせて、窒化アルミニウム基板の総合的な性能を向上させる方法について説明します。焼結助剤を最適化することで焼結プロセスを解析します。 窒化アルミニウム基板の作製技術 窒化アルミニウム基板の準備には、主に原料の準備、混合、成形、焼結およびその他の重要なステップが含まれます。 1.原料の準備 原料の準備は...
  • 気圧焼結窒化ケイ素ボールの特性に対する焼結温度の影響 気圧焼結窒化ケイ素ボールの特性に対する焼結温度の影響 Oct 09 , 2024
    窒化ケイ素セラミックスは、その高硬度、高強度、優れた耐摩耗性、化学的安定性により、セラミックベアリング、切削工具、高温構造材料などに幅広い用途の可能性を示しています。本研究では、原料として自作のα-Si3N4粉末を使用し、焼結助剤としてナノスケールのY2O3およびAl2O3を配合し、比
  • AMB 窒化ケイ素基板が SiC パワーデバイスのパッケージングに第一選択である理由 AMB 窒化ケイ素基板が SiC パワーデバイスのパッケージングに第一選択である理由 Oct 10 , 2024
    パワーエレクトロニクス技術の急速な発展に伴い、優れた高温安定性、高エネルギー密度、低損失特性を備えた炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスは、新エネルギー車、スマートグリッド、効率的なエネルギー変換分野で大きな応用可能性を示しています。ただし、SiC デバイスの性能上の利点を最大限に活用するには、適切なパッケージ基板を選択することが重要です。多くのセラミック基板タイプの中でも、活性金属ろう付け (AMB) 窒化ケイ素 (Si3N4) 基板 は、その独自の利点により、徐々に SiC パワーデバイスのパッケージングに推奨されるソリューションになりました。この論文の目的は、AMB セラミック基板、特に Si3N4-AMB 基板が傑出しており、高温、高出力、高放熱、高信頼性といった SiC パワー デバイスのパッケージング ニーズを満たす理由を探ることです 。 パワーデバイスパッケージの中核部品である...
  • Ag-Cu-Ti合金フィラー金属を使用したAMB窒化ケイ素基板の活性ろう付けにおける課題と考慮事項 Ag-Cu-Ti合金フィラー金属を使用したAMB窒化ケイ素基板の活性ろう付けにおける課題と考慮事項 Oct 11 , 2024
    ろう付けは、AMB 窒化ケイ素基板のプロセスで最も重要なプロセスであり、活性ろう材の調製と活性金属ろう付けが現時点で重要かつ困難な点です。 Ti、Zr、Hf、V、Nb などは、窒化ケイ素基板表面に浸透できる一般的な活性金属元素であり、セラミックと金属の間の活性シールに広く使用されています。中でも、活性元素として Ti を含む Ag-Cu-Ti 合金は、最も研究されており、最も広く使用されている活性ろう材です。 800~950°Cの温度でほとんどのセラミック表面を濡らすことができ、ろう付けヘッドは高い強度と安定した性能を備えているため、セラミックと金属、セラミックとセラミックの間のシールをより良く実現できます。 Ag-Cu-Ti 活性ろう材の使用には次の 4 つの形態があり、Ti 元素の形態とろう材の組み合わせによって異なります。 a. Ti粉末(またはTiH、粉末)ペーストをプレコートし、...
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絶対に。当社の技術チームはセラミック材料に関する深い知識と製品設計における豊富な経験を持っています。お客様の製品の最適なパフォーマンスを確保するために、材料選択のアドバイスと製品設計のサポートを喜んで提供させていただきます

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セラミック製品に加えて、当社は以下のような追加サービスも提供します。お客様のニーズに基づいて、お客様自身で製造したブランクまたは半完成ブランクを使用したカスタマイズされたセラミック加工サービス。外部委託のセラミックパッケージングおよびメタライゼーションサービスにご興味がございましたら、詳細についてお問い合わせください。当社は、お客様のさまざまなニーズを満たすワンストップ ソリューションを提供することに常に取り組んでいます。

はい、そうです。世界中のどこにお住まいであっても、ご注文の商品を安全かつタイムリーにお届けいたします。

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