• 炭化ケイ素基板の表面粗さの問題を解決するには? 炭化ケイ素基板の表面粗さの問題を解決するには? Oct 24 , 2024
    半導体デバイスにおける炭化ケイ素 (SiC) の幅広い用途に伴い、炭化ケイ素基板 の品質要件はますます厳しくなっています。 SiC デバイスには、表面の厚さ変化、表面粗さ (Ra)、加工損傷、ライナー膜の残留応力などについて厳しい規制があります。しかし、切断・剥離後のSiC基板には、変質層、表面粗さの高さ、平坦度の悪さなどの問題が発生することがよくあります。これらの問題は、後続のエピタキシープロセス用に高品質の研磨シートを得るために、効果的な平坦化プロセスによって解決されなければなりません。この記事では、SiC 基板の平坦化プロセスにおける研削および研削技術に焦点を当て、その利点と欠点を比較および分析します。 1.研削加工の現状と限界 研削工程は粗研削と精研削の2段階で高いシェアを誇り、化学機械研磨(CMP)の前に片面機械研磨(DMP)を必要とします。その利点はコストが比較的低いことですが...
  • 炭化ケイ素基板のCMP効率を向上させる技術の進歩 炭化ケイ素基板のCMP効率を向上させる技術の進歩 Oct 25 , 2024
    半導体技術の継続的な進歩に伴い、炭化ケイ素 (SiC) は高性能材料として、パワー エレクトロニクス デバイスの分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、炭化ケイ素基板の準備プロセスでは、特に超平滑な表面を得るために薄化、研削、研磨およびその他のプロセスを行った後の表面品質管理が特に重要です。中でも化学機械研磨(CMP)は重要な工程の一つであり、前工程で残されたダメージ層を除去し、高い表面レベリングを達成するために非常に重要です。しかし、従来の CMP プロセスは、生産効率とコストに直接影響を与える材料除去率 (MRR) が低いという問題に直面しています。したがって、SiC 基板の CMP 効率を向上させるための新しい技術の探索が現在の研究の焦点となっています。[3]。 1. SiC基板CMPの基本原理と課題 薄化または研削された SiC 基板の表面損傷深さは通常 2 ~ 5μm であ...
  • 高出力IGBTモジュールのパッケージングに最適なセラミック基板材料はどれですか? 高出力IGBTモジュールのパッケージングに最適なセラミック基板材料はどれですか? Nov 11 , 2024
    最新のパワー エレクトロニクス システムでは、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ) モジュールがエネルギー変換と制御の中核コンポーネントであり、その長期安定性と信頼性が非常に重要です。 IGBT モジュールのパッケージ構造の主要コンポーネントであるセラミック クラッド基板は、回路コンポーネントを搭載するだけでなく、モジュールの放熱効率と耐用年数に直接影響する熱伝導という重い役割も担っています。この論文は、特に熱伝導率と熱膨張係数の整合性の観点から、セラミック銅クラッドプレートの性能に対するさまざまなセラミック基板材料の影響を調査し、アルミナ、窒化ケイ素、および窒化アルミニウムセラミック基板材料の長所と短所を分析することを目的としています。高出力モジュールのパッケージング材料の選択に理論的根拠を提供するためのものです。 アルミナ基板の用途制限: アルミナ セラミック基板は、その...
  • 窒化アルミニウムセラミック銅クラッドプレートを効率的に準備して最適化するにはどうすればよいですか? 窒化アルミニウムセラミック銅クラッドプレートを効率的に準備して最適化するにはどうすればよいですか? Nov 12 , 2024
    パワーエレクトロニクス技術の急速な発展、特に高電圧、大電流、高周波 IGBT モジュールなどのパワー半導体デバイスの幅広い用途に伴い、セラミック銅被覆基板に対する要件がさらに厳しくなっています。窒化アルミニウム (AlN) は、高い熱伝導率、低い誘電率、優れた機械的特性を備えたセラミック材料の一種であり、高性能セラミックの銅被覆基板を作製するのに理想的な選択肢です。ただし、窒化アルミニウム基板の表面特性により、銅や酸化銅がその上に濡れて広がるのが難しく、DBC (直接接合銅) プロセスへの直接適用は制限されます。したがって、窒化アルミニウムセラミック銅クラッドプレートの効率的な製造プロセスを探索し、その性能を最適化することが現在の研究の焦点となっている[3]。 窒化アルミニウム DBC 調製プロセスの課題と解決策: 窒化アルミニウムの表面特性により、銅との直接接合が困難になります。窒化アル...
  • 炭化ケイ素るつぼの性能の最適化: 材料とプロセス 炭化ケイ素るつぼの性能の最適化: 材料とプロセス Nov 13 , 2024
    セラミック材料科学技術の絶え間ない進歩に伴い、高性能非酸化物セラミック材料の一種である炭化ケイ素(SiC)は、その独特の物理的および化学的特性により、多くの産業分野で大きな応用可能性を示しています。特に高温炉では、優れた耐高温性、耐食性、高熱伝導率特性を備えた炭化ケイ素るつぼが、高温焼結プロセスを支え、保護するための重要なコンポーネントとなっています。この論文の目的は、SICるつぼの材料組成を調査し、そのコア材料の特性を分析し、補助材料がどのように連携してるつぼの全体的な性能を最適化するかを調べることです。 炭化ケイ素芯材の特徴 1.高い硬度と耐摩耗性: 炭化ケイ素の硬度はダイヤモンドに次ぐもので、るつぼに優れた耐摩耗性を与え、耐用年数を効果的に延長します。 2. 優れた耐食性: 炭化ケイ素は、さまざまな酸およびアルカリ媒体に対して優れた化学的安定性を備えており、さまざまな複雑な環境での焼...
  • 炭化ケイ素るつぼが高温産業に不可欠な理由は何ですか? 炭化ケイ素るつぼが高温産業に不可欠な理由は何ですか? Nov 14 , 2024
    最新の高温産業技術の継続的な発展に伴い、材料特性に対する要件が高まっています。 炭化ケイ素るつぼは、その独特な材料組成と一連の優れた特性を備えており、高温産業分野では欠かせない材料となっています。この記事の目的は、SIC るつぼの 7 つの優れた特性と、高温産業におけるその幅広い用途について説明することです。 高温安定性 SIC るつぼは非常に高い融点 (約 2700°C) を持ち、非常に高い温度でも安定した状態を保つことができ、容易に変形したり溶けたりしません。この特性により、セラミック焼結や金属精錬など、高温処理が必要なプロセスでの使用に最適です。高温環境下でも、炭化ケイ素るつぼは構造の完全性と安定した性能を維持でき、高温産業に信頼できる材料保証を提供します。 . 優れた熱伝導率 炭化ケイ素は熱伝導性に優れており、熱を素早く均一に伝達します。この特性により、SIC るつぼは加熱効率の向...
  • プレスプロセスは炭化ケイ素るつぼの性能にどのような影響を与えますか? プレスプロセスは炭化ケイ素るつぼの性能にどのような影響を与えますか? Nov 15 , 2024
    炭化ケイ素るつぼは、優れた高温耐性、耐食性、高強度のため、セラミックス、冶金、ガラスなどの高温産業で広く使用されています。プレス成形は、シックルツボの製造における一般的な成形方法です。その技術プロセスとパラメータ制御は、るつぼの最終性能に重要な影響を与えます。この論文の目的は、炭化ケイ素るつぼの製造に対する理論的基礎と技術的サポートを提供するために、炭化ケイ素るつぼのプレスプロセスについて説明することです。 原料の混合と準備 SIC るつぼのプレス成形プロセスでは、まず原材料の混合と準備が行われます。原材料には主に炭化ケイ素粉末、結合剤、可塑剤などが含まれます。これらの原料を一定の割合で均一に混合してプラスチック泥を形成します。原材料の混合プロセスでは、各成分の均一な分布を確保するために比率を厳密に制御する必要があり、これがその後の成形の良好な基盤となります。 プレス成形工程 混合した泥を...
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よくある質問

当社はアルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、石英セラミックスなどの先進的なセラミック材料に主に焦点を当てていますが、常に新しい材料と技術を模索しています。特定の材料要件がある場合は、当社までご連絡ください。お客様のニーズを満たすか、適切なパートナーを見つけるために最善を尽くします。

絶対に。当社の技術チームはセラミック材料に関する深い知識と製品設計における豊富な経験を持っています。お客様の製品の最適なパフォーマンスを確保するために、材料選択のアドバイスと製品設計のサポートを喜んで提供させていただきます

当社には固定の最低注文金額要件はありません。私たちは常にお客様のニーズを満たすことに重点を置き、注文の規模に関係なく、高品質のサービスと製品を提供するよう努めています

セラミック製品に加えて、当社は以下のような追加サービスも提供します。お客様のニーズに基づいて、お客様自身で製造したブランクまたは半完成ブランクを使用したカスタマイズされたセラミック加工サービス。外部委託のセラミックパッケージングおよびメタライゼーションサービスにご興味がございましたら、詳細についてお問い合わせください。当社は、お客様のさまざまなニーズを満たすワンストップ ソリューションを提供することに常に取り組んでいます。

はい、そうです。世界中のどこにお住まいであっても、ご注文の商品を安全かつタイムリーにお届けいたします。

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