Silicon carbide ceramic substrate
Silicon carbide ceramic substrate
Silicon carbide ceramic substrate
Silicon carbide ceramic substrate

炭化ケイ素セラミック基板 SiC基板

基板は半導体チップの基本材料であり、抵抗率により導電型と半絶縁型に分けられます。炭化ケイ素基板で作られた半導体デバイスは、高温、高電圧、大電力のアプリケーション要件をよりよく満たすことができ、形状は一般的に円形で、直径は通常2インチ(50mm)、3インチ(75mm)、4インチ(100mm)です。 )、6 インチ (150mm)、8 インチ (200mm) およびその他の仕様。

  • ブランド:

    ATCERA
  • 商品番号:

    AT-SIC-CD001
  • 材料

    SiC
  • 形状

    Substrate
  • アプリケーション

    Semiconductor , Photovoltaic Cell Industry
sic 4h

炭化ケイ素セラミック基板の特性

炭化ケイ素基板は、優れた放熱性、高い導電率、高い絶縁破壊電界強度、大きなエネルギーギャップ、優れた耐食性を備え、高出力、低損失、高周波部品の要件を満たすことができ、長期の維持が可能です。過酷な環境でも安定した性能を発揮します。

1.高温での優れた安定性

SiC基板は良好な高温安定性を有し、高温の使用環境において炭化ケイ素基板によって生成される格子変形は小さく、膨張変形や制御不能な熱膨張が現れるのは容易ではない。

2.高い化学的安定性

炭化ケイ素基材は耐食性に優れており、酸およびアルカリ環境の腐食に耐えることができます。化学的安定性が良好で、長期間使用しても腐食の問題はありません。

3.優れた機械的特性

SiC基板は機械的強度と硬度に優れ、大きな圧力やトルク力に耐えることができ、耐摩耗性も良好です。一方、弾性率が大きく、ヤング率が高く、変形したり貼り合わせたりしにくい[28]。 <29> <30> <31> <32> <33> <34> <35> <36> <37><38>SiC基板の応用<39> <40> <41> <42>炭化ケイ素基板は半導体チップの基本材料であり、シリコン基板と比較して、高温、高電圧、高周波、大電力のニーズをよりよく満たすことができ、電気自動車、太陽光発電などに広く使用されています。 、鉄道交通機関、データセンター、充電杭およびその他の製品および機器。<43> <44><45> <46>1.高出力デバイス(導電型): 炭化ケイ素基板は、高い熱伝導率、高い絶縁破壊電界強度、低いエネルギー損失を備えており、パワーモジュールやドライブモジュールなどの高出力デバイスの製造に適しています<47>。 <48><49> <50>2. 高周波電子デバイス (半絶縁型): 炭化ケイ素基板は高い導電率を持ち、高周波作業のニーズを満たすことができ、RF パワーアンプ、マイクロ波デバイス、高周波スイッチに適しています。<51> <52><53> <54>3.光電子デバイス(半絶縁型):炭化ケイ素基板はエネルギーギャップが広く、熱安定性が高いため、フォトダイオード、太陽電池、レーザーダイオードなどのデバイスの製造に適しています。<55> <56><57> <58>4.温度センサー(導電型):炭化ケイ素基板は熱伝導率と熱安定性が高く、動作範囲が広く高精度な温度センサーの製造に適しています。<59> <60> <61> <62> <63> <64> <65><66> <67> <68> <69>

Applications of SiC Substrate

炭化ケイ素セラミック基板

のサイズ表

お客様の仕様に合わせた最適なSiC基板を提供することに尽力します。当社の専任チームは、お客様の指示に細心の注意を払い、お客様の期待を超えるよう努めます。さらに、お客様固有の要件に合わせてカスタマイズされたサイズの柔軟性も提供します。

カスタマイズされた設計要求の場合、サイズおよび材料パラメータ情報が提供されます。

加工公差:
1.直径:±0.25mm
2.厚み:±25μm
3.結晶方位:<001> ±0.5°
4.結晶面方位:±0.5°
5.エッジ方向: ≤2°
その他のパラメータについてはATCERAまでお問い合わせください。

Drawing of SiC Substrate Square

SiC基板スクエア
アイテムNO. 長さ×幅
(mm)
厚み
(mm)
AT-SIC-CD001 10*3 0.5/1.0
AT-SIC-CD002 10*5 0.5/1.0
AT-SIC-CD003 10*10 0.5/1.0
AT-SIC-CD004 15*15 0.5/1.0
AT-SIC-CD005 20*15 0.5/1.0
AT-SIC-CD006 20*20 0.5/1.0

Drawing of SiC Substrate Round

SiC基板ラウンド
アイテムNO. 直径
(インチ)
厚み
(mm)
AT-SIC-CD101 2 2
AT-SIC-CD102 3 3
AT-SIC-CD103 4 4
AT-SIC-CD104 6 2
AT-SIC-CD105 8 3

<2>シリコン<3>カーバイド<4>材料<5>の技術データ <6><7> <8> <9> <10> <11>アイテム<12> <13>ユニット<14> <15>インデックスデータ<16> <17> <18> <19>反応焼結SiC<20>(SiSiC)<21> <22>SiCと結合した窒化ケイ素<23>(NBSiC)<24> <25>SiCn無加圧焼結体<26>(SSiC)<27> <28> <29> <30>SiC含有量<31> <32>%<33> <34>85<35> <36>80<37> <38>99<39> <40> <41> <42>無料のシリコン含有量<43> <44>%<45> <46>15<47> <48>0<49> <50>0<51> <52> <53> <54>最大。使用温度<55> <56>~<57> <58>1380<59> <60>1550<61> <62>1600<63> <64> <65> <66>密度<67> <68>g/cm3<69> <70>3.02<71> <72>2.72<73> <74>3.1<75> <76> <77> <78>気孔率<79> <80>%<81> <82>0<83> <84>12<85> <86>0<87> <88> <89> <90>曲げ強度<91> <92>20?<93> <94>MPa<95> <96>250<97> <98>160<99> <100>380<101> <102> <103> <104>1200?<105> <106>MPa<107> <108>280<109> <110>180<111> <112>400<113> <114> <115> <116>弾性率<117> <118>20â<119> <120>GPa<121> <122>330<123> <124>220<125> <126>420<127> <128> <129> <130>1200?<131> <132>GPa<133> <134>300<135> <136>/<137> <138>/<139> <140> <141> <142>熱伝導率<143> <144>1200?<145> <146>W/m.k<147> <148>45<149> <150>15<151> <152>74<153> <154> <155> <156>熱膨張係数<157> <158>K-1×10-6<159> <160>4.5<161> <162>5<163> <164>4.1<165> <166> <167> <168>ビッカース硬度<169> <170>HV<171> <172>kg/mm2<173> <174>2500<175> <176>2500<177> <178>2800<179> <180> <181> <182> <183> <184> <185>*この表は、当社の SiC 製品および部品の製造に一般的に使用される炭化ケイ素材料の標準特性を示しています。カスタマイズされた炭化ケイ素製品および部品の特性は、関与する特定のプロセスによって異なる場合があることに注意してください。<186>




クリーンな方法

1.アルカリ性洗浄剤: アルカリ性洗浄剤は炭化ケイ素表面の有機汚染物質と一部の無機不純物を除去できます。ユーザーは水酸化ナトリウムと界面活性剤を含むアルカリ性洗浄剤を選択できます。洗浄時には、炭化ケイ素基板を洗浄液に浸漬し、超音波で撹拌し、最後に脱イオン水ですすぐ。 <37><38> <39>2.酸性洗浄剤: 酸性洗浄剤は、フッ化水素酸と硝酸を含む酸性洗浄剤を使用して、炭化ケイ素の表面の金属イオンと一部の無機汚染物質を除去できます。洗浄時には、炭化珪素基板を洗浄液に浸漬し、超音波で撹拌し、最後に純水ですすぐ。 <41><42> <43>3. 酸素プラズマ洗浄: 酸素プラズマ洗浄は、酸素プラズマの化学反応を通じて炭化ケイ素表面の有機および無機汚染物質を除去する物理的洗浄方法です。洗浄の際には、炭化珪素基板をプラズマ洗浄機に設置し、酸素を注入してプラズマを発生させて洗浄する<44>。 <45> <46> <47> <48> <49> <50> <51> <52> <53> <54> <55> <56> <57> <58> <59> <60> <61> <62> <63> <64> <65> <66> <67> <68><69>

貴重な情報

SiC Substrate Packing

SiC基板パッキン

SiC 基板は、潜在的な損傷を避けるために、適切な容器に慎重に梱包されています。

カスタマイズの利点
カスタマイズの利点

1.アプリケーションシナリオに従って、ニーズを分析し、適切な材料と加工計画を選択します。

2. 専門チームが迅速に対応し、要求を確認してから 24 時間以内にソリューションと見積もりを提供します。

3. 柔軟なビジネス協力メカニズム、少なくとも 1 つの数量カスタマイズをサポートします。

4. 製品がお客様のニーズを満たしていることを確認するために、サンプルとテストレポートを迅速に提供します。

5. 使用コストを削減するために、製品の使用とメンテナンスに関する提案を提供します。

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