• AMB 窒化ケイ素基板が SiC パワーデバイスのパッケージングに第一選択である理由 AMB 窒化ケイ素基板が SiC パワーデバイスのパッケージングに第一選択である理由 Oct 10 , 2024
    パワーエレクトロニクス技術の急速な発展に伴い、優れた高温安定性、高エネルギー密度、低損失特性を備えた炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスは、新エネルギー車、スマートグリッド、効率的なエネルギー変換分野で大きな応用可能性を示しています。ただし、SiC デバイスの性能上の利点を最大限に活用するには、適切なパッケージ基板を選択することが重要です。多くのセラミック基板タイプの中でも、活性金属ろう付け (AMB) 窒化ケイ素 (Si3N4) 基板 は、その独自の利点により、徐々に SiC パワーデバイスのパッケージングに推奨されるソリューションになりました。この論文の目的は、AMB セラミック基板、特に Si3N4-AMB 基板が傑出しており、高温、高出力、高放熱、高信頼性といった SiC パワー デバイスのパッケージング ニーズを満たす理由を探ることです 。 パワーデバイスパッケージの中核部品である...
  • Ag-Cu-Ti合金フィラー金属を使用したAMB窒化ケイ素基板の活性ろう付けにおける課題と考慮事項 Ag-Cu-Ti合金フィラー金属を使用したAMB窒化ケイ素基板の活性ろう付けにおける課題と考慮事項 Oct 11 , 2024
    ろう付けは、AMB 窒化ケイ素基板のプロセスで最も重要なプロセスであり、活性ろう材の調製と活性金属ろう付けが現時点で重要かつ困難な点です。 Ti、Zr、Hf、V、Nb などは、窒化ケイ素基板表面に浸透できる一般的な活性金属元素であり、セラミックと金属の間の活性シールに広く使用されています。中でも、活性元素として Ti を含む Ag-Cu-Ti 合金は、最も研究されており、最も広く使用されている活性ろう材です。 800~950°Cの温度でほとんどのセラミック表面を濡らすことができ、ろう付けヘッドは高い強度と安定した性能を備えているため、セラミックと金属、セラミックとセラミックの間のシールをより良く実現できます。 Ag-Cu-Ti 活性ろう材の使用には次の 4 つの形態があり、Ti 元素の形態とろう材の組み合わせによって異なります。 a. Ti粉末(またはTiH、粉末)ペーストをプレコートし、...
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絶対に。当社の技術チームはセラミック材料に関する深い知識と製品設計における豊富な経験を持っています。お客様の製品の最適なパフォーマンスを確保するために、材料選択のアドバイスと製品設計のサポートを喜んで提供させていただきます

当社には固定の最低注文金額要件はありません。私たちは常にお客様のニーズを満たすことに重点を置き、注文の規模に関係なく、高品質のサービスと製品を提供するよう努めています

セラミック製品に加えて、当社は以下のような追加サービスも提供します。お客様のニーズに基づいて、お客様自身で製造したブランクまたは半完成ブランクを使用したカスタマイズされたセラミック加工サービス。外部委託のセラミックパッケージングおよびメタライゼーションサービスにご興味がございましたら、詳細についてお問い合わせください。当社は、お客様のさまざまなニーズを満たすワンストップ ソリューションを提供することに常に取り組んでいます。

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