• 現代の通信技術における高精度マイクロ波コンポーネントの重要性? 現代の通信技術における高精度マイクロ波コンポーネントの重要性? Oct 17 , 2024
    現代のマイクロ波通信技術の急速な発展に伴い、高性能かつ高精度のマイクロ波回路部品の設計がますます重要になっています。マイクロ波高周波 (RF) モジュールでは、薄膜回路技術が独自の利点を持つ重要な設計手法となっています。この論文では、薄膜マイクロストリップ回路、薄膜フィルタ、薄膜負荷、薄膜イコライザ、薄膜電力分配器など、アルミナ基板をベースとしたいくつかの薄膜回路コンポーネントを詳細に紹介します。これらのコンポーネントはマイクロ波回路においてかけがえのない役割を果たしており、その設計精度と性能はマイクロ波システム全体の性能に直接影響します。 アルミナ基板の回路への応用 1 薄膜マイクロストリップ回路 酸化アルミニウムセラミック基板は薄膜マイクロストリップ回路の設計に使用され、金層の厚さは最大3.5umまで可能で、金属ワイヤボンディングを使用して外部回路と接続できます。一般的なプレートの厚さ...
  • アルミナ基板上の薄膜コンポーネントの設計 アルミナ基板上の薄膜コンポーネントの設計 Oct 18 , 2024
    現代の電子技術の急速な発展に伴い、マイクロ波 RF コンポーネントおよび高周波回路の設計はますます複雑になり、コンポーネントの性能要件はますます高くなっています。これらのニーズを満たすために、薄膜技術は、先進のマイクロエレクトロニクス技術として、マイクロ波部品や高周波回路の設計においてますます重要な役割を果たしています。この記事では、薄膜減衰器、薄膜カプラー、薄膜ブリッジ、薄膜抵抗器、薄膜コンデンサなど、アルミナ基板設計に基づくいくつかの薄膜コンポーネントを紹介します。これらの部品は、そのユニークな特性と幅広い応用分野により、マイクロ波 RF 部品や高周波回路において不可欠な役割を果たしています。 1 フィルムアッテネータ アルミナセラミック基板を用いた薄膜アッテネータの設計は、マイクロ波RFモジュールの大信号減衰や、プログラム減衰回路における減衰値の多段階調整によく使用されます。また、窒...
  • 半導体技術用の高品質炭化ケイ素基板を準備するにはどうすればよいですか? 半導体技術用の高品質炭化ケイ素基板を準備するにはどうすればよいですか? Oct 22 , 2024
    半導体技術の急速な発展に伴い、炭化ケイ素(SiC)は優れた物理的および化学的特性を備えた半導体材料として、高性能電子デバイスの分野で大きな応用可能性を示しています。ただし、SiC 材料の利点を最大限に発揮するには、高品質の炭化ケイ素基板の準備が重要です。この論文は、最終的な SiC 基板が高性能電子デバイスの厳しい要件を確実に満たせるようにするための、一連の正確なプロセス ステップを通じて、SiC 基板の精密な準備プロセスについて議論することを目的としています。 1.初期処理:滑らかで丸い 単結晶成長プロセス後に得られたSiC結晶は、まず表面の凹凸や成長欠陥を除去するために平滑化する必要があります。このステップは、その後の処理のための適切な基礎を提供します。 次に、クリスタルアンカーのエッジを滑らかにするためにローリングプロセスが実行され、切断作業に好ましい条件が作り出され、切断プロセス中...
  • 切断技術は炭化ケイ素基板の品質とその後のプロセスにどのような影響を与えますか? 切断技術は炭化ケイ素基板の品質とその後のプロセスにどのような影響を与えますか? Oct 22 , 2024
    SiC(炭化ケイ素)基板の製造工程において、SiCインゴットの切断は重要な工程です。基板の表面品質や寸法精度が直接決まるだけでなく、コスト管理にも決定的な影響を与えます。表面粗さ (Ra)、総厚さ偏差 (TTV)、反り (BOW)、曲げ (WARP) など、切断プロセスによって決定される重要なパラメータは、基板の最終品質、歩留まり、生産コストに大きな影響を与えます。 。さらに、切断の品質は、その後の研削および研磨プロセスの効率とコストにも直接関係します。したがって、SiC インゴットの切断技術の開発と進歩は、炭化ケイ素基板製造業界全体のレベルを向上させる上で非常に重要です。 ダイヤモンド鋸刃、丸鋸刃、除去、Ra差が大きい、反りが大きい、スリットが広い、速度が遅い、精度が低い、騒音が大きい 電気スパーク: ワイヤー + 電流、除去、ワイドスリット、大きな表面燃焼層厚 モルタルライン: 銅メッ...
  • パワーエレクトロニクスデバイスにおける炭化ケイ素基板の利点は何ですか? パワーエレクトロニクスデバイスにおける炭化ケイ素基板の利点は何ですか? Oct 24 , 2024
    炭化ケイ素基板 は、新世代の半導体製品として、その優れた物理的および化学的特性により、パワー エレクトロニクス デバイスの分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、SiCインゴットの高効率・低ロス切断は量産化を制限する重要な技術の一つとなっています。現在、SiCインゴットの切断技術はモルタルワイヤ切断とダイヤモンドワイヤ切断の2つが主流となっており、砥粒の投入方法、加工効率、材料ロス、環境への影響などに大きな違いがあります。この記事は、これら 2 つの切断技術の特性を比較および分析し、SiC 切断プロセスの最適化の方向性について議論することを目的としています。 1.砥粒輸入モードと処理効率 ・モルタルワイヤー切断:遊離砥粒を使用するため、加工速度は比較的遅い。 ・ダイヤモンドワイヤー切断:電気めっき、樹脂結合などの方法で砥粒を固定し、切断速度が5倍以上向上し、生産効率が大幅に向上します...
  • 炭化ケイ素基板の表面粗さの問題を解決するには? 炭化ケイ素基板の表面粗さの問題を解決するには? Oct 24 , 2024
    半導体デバイスにおける炭化ケイ素 (SiC) の幅広い用途に伴い、炭化ケイ素基板 の品質要件はますます厳しくなっています。 SiC デバイスには、表面の厚さ変化、表面粗さ (Ra)、加工損傷、ライナー膜の残留応力などについて厳しい規制があります。しかし、切断・剥離後のSiC基板には、変質層、表面粗さの高さ、平坦度の悪さなどの問題が発生することがよくあります。これらの問題は、後続のエピタキシープロセス用に高品質の研磨シートを得るために、効果的な平坦化プロセスによって解決されなければなりません。この記事では、SiC 基板の平坦化プロセスにおける研削および研削技術に焦点を当て、その利点と欠点を比較および分析します。 1.研削加工の現状と限界 研削工程は粗研削と精研削の2段階で高いシェアを誇り、化学機械研磨(CMP)の前に片面機械研磨(DMP)を必要とします。その利点はコストが比較的低いことですが...
  • 炭化ケイ素基板のCMP効率を向上させる技術の進歩 炭化ケイ素基板のCMP効率を向上させる技術の進歩 Oct 25 , 2024
    半導体技術の継続的な進歩に伴い、炭化ケイ素 (SiC) は高性能材料として、パワー エレクトロニクス デバイスの分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、炭化ケイ素基板の準備プロセスでは、特に超平滑な表面を得るために薄化、研削、研磨およびその他のプロセスを行った後の表面品質管理が特に重要です。中でも化学機械研磨(CMP)は重要な工程の一つであり、前工程で残されたダメージ層を除去し、高い表面レベリングを達成するために非常に重要です。しかし、従来の CMP プロセスは、生産効率とコストに直接影響を与える材料除去率 (MRR) が低いという問題に直面しています。したがって、SiC 基板の CMP 効率を向上させるための新しい技術の探索が現在の研究の焦点となっています。[3]。 1. SiC基板CMPの基本原理と課題 薄化または研削された SiC 基板の表面損傷深さは通常 2 ~ 5μm であ...
  • 高品質のアルミナ基板の準備にプロセスの最適化が重要なのはなぜですか? 高品質のアルミナ基板の準備にプロセスの最適化が重要なのはなぜですか? Oct 29 , 2024
    アルミナ基板の準備は高精度の多段階プロセスであり、溶媒の選択はスラリーの均一性、乾燥効率、最終製品の物理的特性に直接影響します。溶媒は、各成分を迅速に溶解して安定したスラリーを形成できなければならないだけでなく、グリーンビレットの効率的な乾燥を確保して全体の生産効率を向上させるために、急速な揮発特性も備えている必要があります。しかし、単一の溶媒ではすべてのプロセス要件、特に温度勾配乾燥の要件を満たすことは多くの場合困難であり、応力亀裂や表面剥離などの欠陥を引き起こす可能性があります。 したがって、溶媒を選択する際には、その溶解性、揮発性、後工程への影響を考慮する必要があります。実際には、乾燥プロセスを最適化し、欠陥の発生を減らし、高い品質を確保するために、溶解性、揮発速度、プロセス適応性のバランスを取るために、水、エタノール、トルエン、トリクロロエタン、アセトンなどの溶媒を組み合わせて使用...
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