• AlN基板の作製プロセスに関する研究 AlN基板の作製プロセスに関する研究 Aug 28 , 2024
    マイクロエレクトロニクスのパッケージング技術の発展に伴い、電子部品の出力と密度が増加し、単位体積あたりの熱が増加しているため、新世代の回路基板の放熱能力(つまり、熱伝導率)に対する要件が高まっています。もより厳しくなります。現在、開発されている高熱伝導率セラミック基板は、AlN、SiC、BeOである。 BeO は有毒であり、環境保護に貢献しません。 SiC の誘電率は基板として使用するには高すぎます。 AlN は、Si に近い熱膨張係数と適度な誘電率のため、大きな注目を集めています[9]。 従来の厚膜スラリーはAl2O3基板をベースに開発されており、その組成はAlN基板と反応しやすい ガスが発生し、厚膜回路のパフォーマンスに壊滅的な影響を与えます。さらに、AlN 基板の熱膨張係数は Al2O3 基板の熱膨張係数よりも低く、AlN 基板上で焼結された従来のスラリーには熱膨張の不一致の問題があ...
  • マイクロエレクトロニクスにおける熱管理を強化するための窒化アルミニウム (AlN) 基板上の抵抗器製造の進歩 マイクロエレクトロニクスにおける熱管理を強化するための窒化アルミニウム (AlN) 基板上の抵抗器製造の進歩 Aug 29 , 2024
    マイクロエレクトロニクスのパッケージング技術の継続的な進化に伴い、電子部品の出力密度が大幅に増加し、その結果、単位体積あたりの発熱量が急激に増加し、新世代の回路基板の性能に関してより厳しい基準が設けられています。放熱効率(熱伝導率)のこと。現在、研究者らは、窒化アルミニウム (AlN)、炭化ケイ素 (SiC)、酸化ベリリウム (BeO) など、熱伝導率の高いいくつかのセラミック基板材料の探索と開発を積極的に行っています。 )。ただし、BEO は潜在的な毒性のため環境的に制限されています。 SiC は誘電率が高いため、理想的な基板材料とは考えられていません。対照的に、AlN はシリコン (Si) と同様の熱膨張係数と適度な誘電率特性により、基板材料として注目を集めています [7]。 従来、厚膜スラリーは主にアルミナ (Al2O3) 基板に基づいて開発されてきましたが、これらのスラリーの成分は...
  • AlN基板上への厚膜抵抗体の作製技術 AlN基板上への厚膜抵抗体の作製技術 Aug 30 , 2024
    マイクロエレクトロニクスのパッケージング技術の継続的な進歩に伴い、電子部品の出力と集積度が大幅に向上し、単位体積あたりの発熱量が大幅に増加し、放熱効率(つまり、放熱効率)に対する要件がより厳しくなりました。 、その熱伝導性能)を備えた新世代の回路基板。現在、研究者らは、窒化アルミニウム (AlN)、炭化ケイ素 (SiC)、酸化ベリリウムなど、熱伝導率の高いさまざまなセラミック基板材料の開発に取り組んでいます。 BeO)。ただし、BeO はその毒性により環境的に制限されています。 SiC は誘電率が高いため、基板材料としての使用には適していません。対照的に、AlN はシリコン (Si) 材料と同様の熱膨張係数と適度な誘電率を備えているため、基板材料として最適な選択肢です。[7] 伝統的に、厚膜スラープは主にアルミナ (Al2O3) 基板用に設計されていますしかし、これらのスラープの組成は、A...
  • 焼結助剤を最適化してAlN基板の性能を向上 焼結助剤を最適化してAlN基板の性能を向上 Sep 02 , 2024
    実際の応用では、窒化アルミニウム基板は、高い熱伝導率と高い電気絶縁特性に加えて、多くの分野で高い曲げ強度も要求されます。現在、市場に流通している窒化アルミニウムの三点曲げ強度は通常400~500MPaであり、特に高い信頼性が要求されるIGBTパワーデバイスの分野において、窒化アルミニウムセラミック基板の普及と応用が著しく制限されている。 AlN 材料の複雑な製造プロセスと高い製造コストにより、国内の AlN 材料のほとんどは依然として高熱伝導率と高強度の用途要件を満たすことができません。 窒化アルミニウムセラミック基板の製造では、焼結方法と焼結助剤の選択により、半分の労力で2倍の結果が得られることが多く、現在、焼結助剤の導入は窒化アルミニウムセラミックを焼結するための一般的な方法です。一方で、低温共晶相の形成、液相焼結の実現により、緻密なボディが促進される。一方、窒化アルミニウムは酸素不純...
  • 半導体デバイスの放熱分野における窒化ケイ素基板の応用可能性 半導体デバイスの放熱分野における窒化ケイ素基板の応用可能性 Sep 03 , 2024
    インテリジェント情報時代に入ってから、半導体デバイスは急速に私たちの生活を占めるようになりました。ワークから発生する熱は半導体デバイスの故障を引き起こす重要な要因であるため、デバイスの故障に起因する多くのトラブルを回避し、長期間有効かつ安全に動作させるためには、効率的な放熱機能を備える必要があります。システム 現在、業界の「放熱」の取り組みにおいて、新電力セラミック基板の交換は非常に重要な部分です。セラミック基板は、優れた耐高温性、耐食性、高い熱伝導性、高い機械的強度、チップに合わせた熱膨張率、特性劣化が少ないなどの特徴を持ち、金属やプラスチックなどの材料に比べて有利であり、高熱や高温を使用する製品に適しています。過酷な屋外環境に耐えられるため、一般の人々にますます広く受け入れられています[7]。 セラミック基板は、半導体集積回路において次の役割を果たします。チップおよび電子部品に機械的サ...
  • 窒化ケイ素基板の熱伝導率の最適化 窒化ケイ素基板の熱伝導率の最適化 Sep 04 , 2024
    高性能熱管理ソリューションの中核として窒化ケイ素 (Si3N4) 基板材料を探求する場合、その熱伝達メカニズムを理解することが重要です。窒化ケイ素の主な熱伝達メカニズムは、フォノンと呼ばれる量子化された熱電荷キャリアを介して熱を伝達するプロセスである格子振動に依存することが知られています。 格子内でのフォノンの伝播は単純な直線運動ではなく、格子間の複雑な結合の影響を受けるため、フォノン間の衝突が頻繁に発生し、フォノンの平均自由行程、つまり平均値が大幅に減少します。フォノンが 2 回の衝突の間に自由に移動できる距離。このメカニズムは、窒化ケイ素材料の熱伝導率に直接影響します。[7] さらに、Si3N4 結晶内のさまざまな欠陥、不純物、粒子界面がフォノン散乱の主な原因となります。これらの散乱現象はフォノンの平均自由行程の減少にもつながり、その結果、材料全体の熱伝導率が低下します。特に、窒化ケイ...
  • 窒化ケイ素基板の格子振動機構と焼結助剤戦略の解明 窒化ケイ素基板の格子振動機構と焼結助剤戦略の解明 Sep 05 , 2024
    高性能電子パッケージング、航空宇宙、エネルギー変換などの最先端技術において、窒化ケイ素 (Si3N4) 基板材料は、その優れた機械的特性、化学的安定性、高温耐性により高く評価されています。しかし、窒化ケイ素の熱伝導率は、その幅広い用途に影響を与える重要な要素の 1 つとして、常に材料科学研究の焦点であり、難しさでもあります。この論文は、窒化ケイ素基板の主な熱伝達メカニズム、つまり格子振動とフォノン伝導を深く調査し、窒化ケイ素基板の熱伝導率に対する焼結助剤の選択と最適化戦略の影響を系統的に分析することを目的としています。窒化シリコン基板の熱管理効率を改善するための理論的基礎と実践的なガイダンス。 熱伝達メカニズムの理解を深める 窒化ケイ素の主な熱伝達メカニズム、つまり格子振動とフォノン伝導は、複雑かつ微細なプロセスです。格子内でのフォノンの非線形伝播と衝突は、格子間結合によって制限されるだけ...
  • 窒化珪素基板の熱伝導率向上 窒化珪素基板の熱伝導率向上 Sep 06 , 2024
    先端セラミック材料の分野では、窒化ケイ素 (Si3N4) がその優れた機械的強度、化学的安定性、高温特性で注目を集めています。しかし、窒化ケイ素セラミックスの熱伝導率は、その幅広い用途に影響を与える重要な要素の 1 つとして、材料科学研究において重要なテーマとなっています。本論文は、窒化ケイ素セラミックスの熱伝達メカニズム、特にフォノン伝導時の格子振動と散乱現象を調査し、窒化ケイ素の焼結プロセスにおける炭素添加剤の独特の役割と熱伝導率を改善するメカニズムに焦点を当てることを目的としています。この論文は、実験データと理論モデルの包括的な分析を通じて、高い熱伝導率を備えた窒化ケイ素基板を調製するための新しいアイデアと戦略を提供することを目的としています。 熱伝達メカニズムの再理解 典型的な共有結合セラミック材料である窒化ケイ素の熱伝達機構は主に格子振動とフォノン伝導に依存します。格子内のフォノ...
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絶対に。当社の技術チームはセラミック材料に関する深い知識と製品設計における豊富な経験を持っています。お客様の製品の最適なパフォーマンスを確保するために、材料選択のアドバイスと製品設計のサポートを喜んで提供させていただきます

当社には固定の最低注文金額要件はありません。私たちは常にお客様のニーズを満たすことに重点を置き、注文の規模に関係なく、高品質のサービスと製品を提供するよう努めています

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