• 切断技術は炭化ケイ素基板の品質とその後のプロセスにどのような影響を与えますか? 切断技術は炭化ケイ素基板の品質とその後のプロセスにどのような影響を与えますか? Oct 22 , 2024
    SiC(炭化ケイ素)基板の製造工程において、SiCインゴットの切断は重要な工程です。基板の表面品質や寸法精度が直接決まるだけでなく、コスト管理にも決定的な影響を与えます。表面粗さ (Ra)、総厚さ偏差 (TTV)、反り (BOW)、曲げ (WARP) など、切断プロセスによって決定される重要なパラメータは、基板の最終品質、歩留まり、生産コストに大きな影響を与えます。 。さらに、切断の品質は、その後の研削および研磨プロセスの効率とコストにも直接関係します。したがって、SiC インゴットの切断技術の開発と進歩は、炭化ケイ素基板製造業界全体のレベルを向上させる上で非常に重要です。 ダイヤモンド鋸刃、丸鋸刃、除去、Ra差が大きい、反りが大きい、スリットが広い、速度が遅い、精度が低い、騒音が大きい 電気スパーク: ワイヤー + 電流、除去、ワイドスリット、大きな表面燃焼層厚 モルタルライン: 銅メッ...
  • パワーエレクトロニクスデバイスにおける炭化ケイ素基板の利点は何ですか? パワーエレクトロニクスデバイスにおける炭化ケイ素基板の利点は何ですか? Oct 24 , 2024
    炭化ケイ素基板 は、新世代の半導体製品として、その優れた物理的および化学的特性により、パワー エレクトロニクス デバイスの分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、SiCインゴットの高効率・低ロス切断は量産化を制限する重要な技術の一つとなっています。現在、SiCインゴットの切断技術はモルタルワイヤ切断とダイヤモンドワイヤ切断の2つが主流となっており、砥粒の投入方法、加工効率、材料ロス、環境への影響などに大きな違いがあります。この記事は、これら 2 つの切断技術の特性を比較および分析し、SiC 切断プロセスの最適化の方向性について議論することを目的としています。 1.砥粒輸入モードと処理効率 ・モルタルワイヤー切断:遊離砥粒を使用するため、加工速度は比較的遅い。 ・ダイヤモンドワイヤー切断:電気めっき、樹脂結合などの方法で砥粒を固定し、切断速度が5倍以上向上し、生産効率が大幅に向上します...
  • 炭化ケイ素基板の表面粗さの問題を解決するには? 炭化ケイ素基板の表面粗さの問題を解決するには? Oct 24 , 2024
    半導体デバイスにおける炭化ケイ素 (SiC) の幅広い用途に伴い、炭化ケイ素基板 の品質要件はますます厳しくなっています。 SiC デバイスには、表面の厚さ変化、表面粗さ (Ra)、加工損傷、ライナー膜の残留応力などについて厳しい規制があります。しかし、切断・剥離後のSiC基板には、変質層、表面粗さの高さ、平坦度の悪さなどの問題が発生することがよくあります。これらの問題は、後続のエピタキシープロセス用に高品質の研磨シートを得るために、効果的な平坦化プロセスによって解決されなければなりません。この記事では、SiC 基板の平坦化プロセスにおける研削および研削技術に焦点を当て、その利点と欠点を比較および分析します。 1.研削加工の現状と限界 研削工程は粗研削と精研削の2段階で高いシェアを誇り、化学機械研磨(CMP)の前に片面機械研磨(DMP)を必要とします。その利点はコストが比較的低いことですが...
  • 炭化ケイ素基板のCMP効率を向上させる技術の進歩 炭化ケイ素基板のCMP効率を向上させる技術の進歩 Oct 25 , 2024
    半導体技術の継続的な進歩に伴い、炭化ケイ素 (SiC) は高性能材料として、パワー エレクトロニクス デバイスの分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、炭化ケイ素基板の準備プロセスでは、特に超平滑な表面を得るために薄化、研削、研磨およびその他のプロセスを行った後の表面品質管理が特に重要です。中でも化学機械研磨(CMP)は重要な工程の一つであり、前工程で残されたダメージ層を除去し、高い表面レベリングを達成するために非常に重要です。しかし、従来の CMP プロセスは、生産効率とコストに直接影響を与える材料除去率 (MRR) が低いという問題に直面しています。したがって、SiC 基板の CMP 効率を向上させるための新しい技術の探索が現在の研究の焦点となっています。[3]。 1. SiC基板CMPの基本原理と課題 薄化または研削された SiC 基板の表面損傷深さは通常 2 ~ 5μm であ...
  • アルミナ粉末の特性はアルミナ基板の鋳造プロセスにどのような影響を与えますか? アルミナ粉末の特性はアルミナ基板の鋳造プロセスにどのような影響を与えますか? Oct 28 , 2024
    エレクトロニクス産業の分野では、アルミナ基板は、その優れた絶縁性、化学的安定性、高い熱伝導率、良好な高周波性能により、電子部品に不可欠な基材となっています。支持と放熱の役割を果たすだけでなく、電子部品の絶縁性能も確保します。アルミナ鋳造スラリーは、アルミナセラミック基板を製造するための重要な原料であり、その組成と特性は最終製品の品質と性能を直接決定します。この記事の目的は、純度、サイズ、比表面積、形態、分散などのアルミナ粉末の特性が、アルミナセラミック基板の鋳造プロセスや性能にどのような影響を与えるかを調査することです。 純度効果 アルミナ粉末の純度は、鋳造スラリーの品質の基礎となります。最終製品の外観、収縮、微細構造および性能に対する不純物の悪影響を避けるために、必要なアルミナ含有量は通常 95% 以上です。例えば、遊離鉄粒子を含む酸化アルミニウム粉末は、焼結プロセス中にセラミックの内部...
  • 高品質のアルミナ基板の準備にプロセスの最適化が重要なのはなぜですか? 高品質のアルミナ基板の準備にプロセスの最適化が重要なのはなぜですか? Oct 29 , 2024
    アルミナ基板の準備は高精度の多段階プロセスであり、溶媒の選択はスラリーの均一性、乾燥効率、最終製品の物理的特性に直接影響します。溶媒は、各成分を迅速に溶解して安定したスラリーを形成できなければならないだけでなく、グリーンビレットの効率的な乾燥を確保して全体の生産効率を向上させるために、急速な揮発特性も備えている必要があります。しかし、単一の溶媒ではすべてのプロセス要件、特に温度勾配乾燥の要件を満たすことは多くの場合困難であり、応力亀裂や表面剥離などの欠陥を引き起こす可能性があります。 したがって、溶媒を選択する際には、その溶解性、揮発性、後工程への影響を考慮する必要があります。実際には、乾燥プロセスを最適化し、欠陥の発生を減らし、高い品質を確保するために、溶解性、揮発速度、プロセス適応性のバランスを取るために、水、エタノール、トルエン、トリクロロエタン、アセトンなどの溶媒を組み合わせて使用...
  • 準備中のアルミナ基板の性能に影響を与える主な要因は何ですか? 準備中のアルミナ基板の性能に影響を与える主な要因は何ですか? Oct 30 , 2024
    急速に発展するエレクトロニクス産業において、アルミナ基板は、その優れた絶縁特性、化学的安定性、高い熱伝導率、良好な高周波特性により、電子部品に不可欠な基板となっています。電子部品をサポートするだけでなく、放熱や絶縁にも重要な役割を果たします。しかし、高品質のアルミナセラミック基板の作製プロセスは複雑かつ微細です。原材料の配合、鋳造膜の厚さ、焼結プロセスパラメータなどの重要な要素は、製品の厚さの均一性、外観品質、表面粗さに直接影響し、製品の全体的な性能を決定します。この記事では、アルミナ セラミック基板の調製プロセスを最適化するための参考情報を提供するために、3 つの主要な添加剤、結合剤、可塑剤、分散剤の効果とそれらのプロセス制御について説明しました。 バインダーの選定と添加量の制御 セラミックシートの三次元ネットワークを構築するための重要な有機添加剤として、バインダーは選択された溶媒に可溶...
  • 性能向上のためのアルミナ基板準備プロセスの将来の傾向は何ですか? 性能向上のためのアルミナ基板準備プロセスの将来の傾向は何ですか? Oct 31 , 2024
    アルミナ基板 は、その優れた機械的特性、熱安定性、化学的不活性により、電子パッケージング、熱管理、高性能構造部品に幅広い応用の可能性を示しています。準備プロセスには複雑なプロセスステップが含まれており、その中核となる鋳造プロセスが最終製品の性能に決定的な役割を果たします。この論文は、原料配合、鋳造膜ストリップの厚さ、焼結プロセスパラメータなどの鋳造プロセスにおける重要な制御点を議論し、これらのパラメータがアルミナセラミック基板の厚さの均一性、外観品質、表面粗さにどのように影響するかを分析することを目的としています。準備プロセスを最適化し、製品の全体的なパフォーマンスを向上させるため。 原料配合とスラリー特性 原料配合はアルミナセラミック基板調製の基礎であり、スラリーの粘度、固形分、その他の重要な物理的特性に直接影響します。適切なスラリー配合は、良好なキャスティング効果と均一なフィルム分布を...
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絶対に。当社の技術チームはセラミック材料に関する深い知識と製品設計における豊富な経験を持っています。お客様の製品の最適なパフォーマンスを確保するために、材料選択のアドバイスと製品設計のサポートを喜んで提供させていただきます

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