• 炭化ケイ素基板の研磨における主な課題は何ですか? 炭化ケイ素基板の研磨における主な課題は何ですか? Oct 14 , 2024
    高性能半導体材料としての炭化ケイ素(SiC)は、その優れた物理的および化学的特性により、パワーエレクトロニクス、高周波マイクロ波、オプトエレクトロニクスなどの分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、炭化ケイ素の高硬度と安定した格子構造は、その研磨プロセスに大きな課題をもたらします。この記事では、関連分野での研究と応用の参考となるよう、炭化ケイ素基板の研磨が難しい理由に焦点を当てます。 第一に、研磨の問題による高い硬度と脆さ 炭化ケイ素は超高硬度が大きな特徴で、モース硬度はダイヤモンドに次ぐ9.5にも達します。この高硬度の特性により、研磨プロセスでは同様に高硬度の研磨剤と工具を使用する必要があります。しかし、硬度の高い砥粒を使用すると、研磨中に研磨工具の摩耗が早くなり、研磨効率が低下するだけでなく、研磨品質の低下を招く場合があります。さらに、炭化ケイ素の脆さも研磨プロセスにおける大きな...
  • 大規模用途向けの炭化ケイ素加工の難しさをどのように解決するか? 大規模用途向けの炭化ケイ素加工の難しさをどのように解決するか? Oct 15 , 2024
    炭化珪素基板の加工は難しいが、単結晶炭化珪素の電子部品への応用が今後の発展の方向となり、炭化珪素デバイスの大規模応用・普及が進むよう、困難な炭化ケイ素加工の問題を解決する方法を見つける必要がある。 現在、SiC材料加工技術には主に方向性切断、チップ粗研削、精密研削、機械研磨、化学機械研磨(精密研磨)のプロセスがあります。このうち、化学機械研磨は最終プロセスであり、そのプロセス方法の選択、プロセスルートの配置、およびプロセスパラメータの最適化は、研磨効率とプロセスコストに直接影響します。 ただし、SiC 材料は硬度が高く化学的安定性が高いため、従来の CMP 研磨プロセスでは材料の除去速度が低くなります。したがって、産業界は、以下に示すように、プラズマ支援、触媒支援、紫外線支援、および電場支援を含む、平坦化超精密加工技術をサポートする補助効率技術の研究を開始した。 01 プラズマ支援技術 山...
  • 半導体技術用の高品質炭化ケイ素基板を準備するにはどうすればよいですか? 半導体技術用の高品質炭化ケイ素基板を準備するにはどうすればよいですか? Oct 22 , 2024
    半導体技術の急速な発展に伴い、炭化ケイ素(SiC)は優れた物理的および化学的特性を備えた半導体材料として、高性能電子デバイスの分野で大きな応用可能性を示しています。ただし、SiC 材料の利点を最大限に発揮するには、高品質の炭化ケイ素基板の準備が重要です。この論文は、最終的な SiC 基板が高性能電子デバイスの厳しい要件を確実に満たせるようにするための、一連の正確なプロセス ステップを通じて、SiC 基板の精密な準備プロセスについて議論することを目的としています。 1.初期処理:滑らかで丸い 単結晶成長プロセス後に得られたSiC結晶は、まず表面の凹凸や成長欠陥を除去するために平滑化する必要があります。このステップは、その後の処理のための適切な基礎を提供します。 次に、クリスタルアンカーのエッジを滑らかにするためにローリングプロセスが実行され、切断作業に好ましい条件が作り出され、切断プロセス中...
  • 切断技術は炭化ケイ素基板の品質とその後のプロセスにどのような影響を与えますか? 切断技術は炭化ケイ素基板の品質とその後のプロセスにどのような影響を与えますか? Oct 22 , 2024
    SiC(炭化ケイ素)基板の製造工程において、SiCインゴットの切断は重要な工程です。基板の表面品質や寸法精度が直接決まるだけでなく、コスト管理にも決定的な影響を与えます。表面粗さ (Ra)、総厚さ偏差 (TTV)、反り (BOW)、曲げ (WARP) など、切断プロセスによって決定される重要なパラメータは、基板の最終品質、歩留まり、生産コストに大きな影響を与えます。 。さらに、切断の品質は、その後の研削および研磨プロセスの効率とコストにも直接関係します。したがって、SiC インゴットの切断技術の開発と進歩は、炭化ケイ素基板製造業界全体のレベルを向上させる上で非常に重要です。 ダイヤモンド鋸刃、丸鋸刃、除去、Ra差が大きい、反りが大きい、スリットが広い、速度が遅い、精度が低い、騒音が大きい 電気スパーク: ワイヤー + 電流、除去、ワイドスリット、大きな表面燃焼層厚 モルタルライン: 銅メッ...
  • パワーエレクトロニクスデバイスにおける炭化ケイ素基板の利点は何ですか? パワーエレクトロニクスデバイスにおける炭化ケイ素基板の利点は何ですか? Oct 24 , 2024
    炭化ケイ素基板 は、新世代の半導体製品として、その優れた物理的および化学的特性により、パワー エレクトロニクス デバイスの分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、SiCインゴットの高効率・低ロス切断は量産化を制限する重要な技術の一つとなっています。現在、SiCインゴットの切断技術はモルタルワイヤ切断とダイヤモンドワイヤ切断の2つが主流となっており、砥粒の投入方法、加工効率、材料ロス、環境への影響などに大きな違いがあります。この記事は、これら 2 つの切断技術の特性を比較および分析し、SiC 切断プロセスの最適化の方向性について議論することを目的としています。 1.砥粒輸入モードと処理効率 ・モルタルワイヤー切断:遊離砥粒を使用するため、加工速度は比較的遅い。 ・ダイヤモンドワイヤー切断:電気めっき、樹脂結合などの方法で砥粒を固定し、切断速度が5倍以上向上し、生産効率が大幅に向上します...
  • 炭化ケイ素基板の表面粗さの問題を解決するには? 炭化ケイ素基板の表面粗さの問題を解決するには? Oct 24 , 2024
    半導体デバイスにおける炭化ケイ素 (SiC) の幅広い用途に伴い、炭化ケイ素基板 の品質要件はますます厳しくなっています。 SiC デバイスには、表面の厚さ変化、表面粗さ (Ra)、加工損傷、ライナー膜の残留応力などについて厳しい規制があります。しかし、切断・剥離後のSiC基板には、変質層、表面粗さの高さ、平坦度の悪さなどの問題が発生することがよくあります。これらの問題は、後続のエピタキシープロセス用に高品質の研磨シートを得るために、効果的な平坦化プロセスによって解決されなければなりません。この記事では、SiC 基板の平坦化プロセスにおける研削および研削技術に焦点を当て、その利点と欠点を比較および分析します。 1.研削加工の現状と限界 研削工程は粗研削と精研削の2段階で高いシェアを誇り、化学機械研磨(CMP)の前に片面機械研磨(DMP)を必要とします。その利点はコストが比較的低いことですが...
  • 炭化ケイ素基板のCMP効率を向上させる技術の進歩 炭化ケイ素基板のCMP効率を向上させる技術の進歩 Oct 25 , 2024
    半導体技術の継続的な進歩に伴い、炭化ケイ素 (SiC) は高性能材料として、パワー エレクトロニクス デバイスの分野で大きな応用可能性を示しています。しかし、炭化ケイ素基板の準備プロセスでは、特に超平滑な表面を得るために薄化、研削、研磨およびその他のプロセスを行った後の表面品質管理が特に重要です。中でも化学機械研磨(CMP)は重要な工程の一つであり、前工程で残されたダメージ層を除去し、高い表面レベリングを達成するために非常に重要です。しかし、従来の CMP プロセスは、生産効率とコストに直接影響を与える材料除去率 (MRR) が低いという問題に直面しています。したがって、SiC 基板の CMP 効率を向上させるための新しい技術の探索が現在の研究の焦点となっています。[3]。 1. SiC基板CMPの基本原理と課題 薄化または研削された SiC 基板の表面損傷深さは通常 2 ~ 5μm であ...
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絶対に。当社の技術チームはセラミック材料に関する深い知識と製品設計における豊富な経験を持っています。お客様の製品の最適なパフォーマンスを確保するために、材料選択のアドバイスと製品設計のサポートを喜んで提供させていただきます

当社には固定の最低注文金額要件はありません。私たちは常にお客様のニーズを満たすことに重点を置き、注文の規模に関係なく、高品質のサービスと製品を提供するよう努めています

セラミック製品に加えて、当社は以下のような追加サービスも提供します。お客様のニーズに基づいて、お客様自身で製造したブランクまたは半完成ブランクを使用したカスタマイズされたセラミック加工サービス。外部委託のセラミックパッケージングおよびメタライゼーションサービスにご興味がございましたら、詳細についてお問い合わせください。当社は、お客様のさまざまなニーズを満たすワンストップ ソリューションを提供することに常に取り組んでいます。

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