sic ceramic ball
sic ceramic ball
sic ceramic ball
sic ceramic ball

炭化ケイ素研削ボール セラミックベアリングボール

炭化ケイ素ボールは、高硬度、優れた耐摩耗性、高い機械的強度と靱性、優れた耐衝撃性を備え、高温耐性と耐食性も備えており、ボールミルやサンドミルの超微粉砕用の粉砕媒体ボールとして使用できます。高硬度の材料であり、ベアリングのローラーとしても使用でき、高精度のボールベアリングを製造できます

  • ブランド:

    ATCERA
  • 商品番号:

    AT-SIC-Q1001
  • 材料

    SiC
  • 形状

    Mechanical Parts
  • アプリケーション

    Mechanical Parts
sic grinding ball

炭化ケイ素セラミックボール

の特性

1.炭化ケイ素ボールは高温に耐性があり、使用温度は 1500 度以上に達することができ、優れた耐熱衝撃性を備え、高温条件下での動作のニーズを満たし、急激な温度変化に適応できます。

2.炭化ケイ素ボールは、約 150W/(m*K) という高い熱伝導率を備えており、動作中に熱を素早く放散して、局所的な高温の形成を避けることができます。

3.炭化ケイ素ボールは弾性率が大きく、熱膨張係数が小さく、重荷重または高温条件下でもボールの変形が小さく、高精度用途のニーズに応えます。

<31​​> <32>4.炭化ケイ素ボールは耐食性に優れ、酸、アルカリ、その他の化学物質と直接接触することができ、腐食性物質を含む作業環境にも適応できます。 <34><35> <36><37> <38>5. 炭化ケイ素ボールは、高い表面仕上げ、非粘着性の表面材料、優れた自己潤滑性を備えており、ベアリングに潤滑剤を供給しなくても正常に動作します。<39> <40> <41> <42> <43> <44> <45> <46> <47> <48><49>SiCの応用<50>ボール<51> <52><53> <54><55> <56><57> <58>1.炭化ケイ素ボールは、表面の埃、不純物、油を除去するために使用前に洗浄する必要があります。<59> <60><61> <62><63> <64><65> <66>2.炭化ケイ素ボールは、過度の高温や過大な負荷を避ける必要があり、動作中にその上限を超えてはなりません。<67> <68><69> <70><71> <72><73> <74>3.炭化ケイ素ボールは、使用しないときは乾燥した涼しく換気の良い場所に保管し、高湿度の環境を避けてください。<75> <76><77> <78><79> <80> <81> <82><83> <84><85> <86> <87> <88> <89> <90> <91> <92> <93> <94> <95>

sic ceramic ball

炭化ケイ素<2>ボール<3>のサイズ表 <4>お客様の仕様に合わせた最適な炭化ケイ素ボールを提供することに尽力します。当社の専任チームは、お客様の指示に細心の注意を払い、お客様の期待を超えるよう努めます。さらに、お客様固有の要件に合わせてカスタマイズされたサイズの柔軟性も提供します。<5> <6><7> <8><9> <10> <11> <12> <13>カスタム設計の要件を送信<14> <15> <16> <17> <18> <19> <20><21> <22>カスタマイズされた設計要求がある場合は、パラメータ要件を提供する必要があります (直径 0.5 mm ~ 100 mm が利用可能)。<23> <24><25> <26><27> <28> <29> <30> <31> <32>炭化ケイ素ボール<33> <34> <35> <36>アイテムNO.<37> <38>直径<39>(mm)<40> <41>アイテムNO.<42> <43>直径<44>(mm)<45> <46>アイテムNO.<47> <48>直径<49>(mm)<50> <51>アイテムNO.<52> <53>直径<54>(mm)<55> <56>アイテムNO.<57> <58>直径<59>(mm)<60> <61> <62> <63>AT-SIC-Q1001<64> <65>0.5-0.7<66> <67>AT-SIC-Q1021<68> <69>11<70> <71>AT-SIC-Q1041<72> <73>20<74> <75>AT-SIC-Q1061<76> <77>38<78> <79>AT-SIC-Q1081<80> <81>82.55<82> <83> <84> <85>AT-SIC-Q1002<86> <87>0.8<88><89>AT-SIC-Q1022<90> <91>11.113<92> <93>AT-SIC-Q1042<94> <95>20.638<96> <97>AT-SIC-Q1062<98> <99>38.1<100> <101>AT-SIC-Q1082<102> <103>85.725<104> <105> <106> <107>AT-SIC-Q1003<108> <109>1<110> <111>AT-SIC-Q1023<112> <113>12<114> <115>AT-SIC-Q1043<116> <117>22<118> <119>AT-SIC-Q1063<120> <121>40<122> <123>AT-SIC-Q1083<124> <125>88.9<126> <127> <128> <129>AT-SIC-Q1004<130> <131>1.588<132> <133>AT-SIC-Q1024<134> <135>12.7<136> <137>AT-SIC-Q1044<138> <139>22.225<140> <141>AT-SIC-Q1064<142> <143>41.275<144> <145>AT-SIC-Q1084<146> <147>90<148> <149> <150> <151>AT-SIC-Q1005<152> <153>2<154> <155>AT-SIC-Q1025<156> <157>13<158> <159>AT-SIC-Q1045<160> <161>23.813<162> <163>AT-SIC-Q1065<164> <165>42<166> <167>AT-SIC-Q1085<168> <169>100<170> <171> <172> <173>AT-SIC-Q1006<174> <175>2.381<176> <177>AT-SIC-Q1026<178> <179>13.494<180> <181>AT-SIC-Q1046<182> <183>25<184> <185>AT-SIC-Q1066<186> <187>42.8625<188> <189> <190> <191> <192> <193> <194> <195>AT-SIC-Q1007<196> <197>3.175<198> <199>AT-SIC-Q1027<200> <201>14<202> <203>AT-SIC-Q1047<204> <205>25.4<206> <207>AT-SIC-Q1067<208><209>44.45<210> <211> <212> <213> <214> <215> <216> <217>AT-SIC-Q1008<218> <219>3.969<220> <221>AT-SIC-Q1028<222> <223>14.288<224> <225>AT-SIC-Q1048<226> <227>26<228> <229>AT-SIC-Q1068<230> <231>47.625<232> <233> <234> <235><236> <237> <238> <239>AT-SIC-Q1009<240> <241>4.763<242> <243>AT-SIC-Q1029<244> <245>15<246> <247>AT-SIC-Q1049<248> <249>26.988<250> <251>AT-SIC-Q1069<252> <253>48.419<254> <255><256> <257><258> <259> <260> <261>AT-SIC-Q1010<262> <263>5<264> <265>AT-SIC-Q1030<266> <267>15.081<268> <269>AT-SIC-Q1050<270> <271>27<272> <273>AT-SIC-Q1070<274> <275>50<276> <277><278> <279> <280> <281> <282> <283>AT-SIC-Q1011<284> <285>5.556<286> <287>AT-SIC-Q1031<288> <289>15.875<290> <291>AT-SIC-Q1051<292> <293>28<294> <295>AT-SIC-Q1071<296> <297>50.8<298> <299> <300> <301> <302> <303> <304> <305>AT-SIC-Q1012<306> <307>5.953<308> <309>AT-SIC-Q1032<310> <311>16<312> <313>AT-SIC-Q1052<314> <315>28.575<316> <317>AT-SIC-Q1072<318> <319>53.975<320> <321> <322> <323> <324> <325> <326> <327>AT-SIC-Q1013<328> <329>6.35<330> <331>AT-SIC-Q1033<332> <333>16.669<334><335>AT-SIC-Q1053<336> <337>29<338> <339>AT-SIC-Q1073<340> <341>57.15<342> <343> <344> <345> <346> <347> <348> <349>AT-SIC-Q1014<350> <351>6.747<352> <353>AT-SIC-Q1034<354> <355>17<356> <357>AT-SIC-Q1054<358> <359>30<360> <361>AT-SIC-Q1074<362> <363>60<364> <365> <366> <367> <368> <369> <370> <371>AT-SIC-Q1015<372> <373>7.144<374> <375>AT-SIC-Q1035<376> <377>17.463<378> <379>AT-SIC-Q1055<380> <381>30.163<382> <383>AT-SIC-Q1075<384> <385>63.5<386> <387> <388> <389> <390> <391> <392> <393>AT-SIC-Q1016<394> <395>7.938<396> <397>AT-SIC-Q1036<398> <399>18<400> <401>AT-SIC-Q1056<402> <403>31.75<404> <405>AT-SIC-Q1076<406> <407>70<408> <409> <410> <411> <412> <413> <414> <415>AT-SIC-Q1017<416> <417>8.5<418> <419>AT-SIC-Q1037<420> <421>18.256<422> <423>AT-SIC-Q1057<424> <425>32<426> <427>AT-SIC-Q1077<428> <429>75<430> <431> <432> <433> <434> <435> <436> <437>AT-SIC-Q1018<438> <439>8.731<440> <441>AT-SIC-Q1038<442> <443>19<444> <445>AT-SIC-Q1058<446> <447>33.337<448> <449>AT-SIC-Q1078<450> <451>76.2<452> <453><454> <455><456> <457> <458> <459>AT-SIC-Q1019<460> <461>9.525<462> <463>AT-SIC-Q1039<464> <465>19.05<466> <467>AT-SIC-Q1059<468> <469>34.925<470> <471>AT-SIC-Q1079<472> <473>79.375<474> <475> <476> <477> <478> <479> <480> <481>AT-SIC-Q1020<482> <483>10<484> <485>AT-SIC-Q1040<486> <487>19.844<488> <489>AT-SIC-Q1060<490> <491>36.513<492> <493>AT-SIC-Q1080<494> <495>81.788<496> <497> <498> <499> <500> <501> <502> <503> <504> <505> <506> <507> <508> <509> <510> <511> <512> <513> <514>炭化ケイ素円筒形<515> <516> <517> <518>アイテムNO.<519> <520>直径<521>(mm)<522> <523>高さ<524>(mm)<525> <526> <527> <528>AT-SIC-Q1086<529> <530>13<531> <532>11.5<533> <534> <535> <536> <537><538> <539> <540> <541> <542>








<2>シリコン<3>カーバイド<4>材料<5>の技術データ <6><7> <8> <9> <10> <11>アイテム<12> <13>ユニット<14> <15>インデックスデータ<16> <17> <18> <19>反応焼結SiC<20>(SiSiC)<21> <22>SiCと結合した窒化ケイ素<23>(NBSiC)<24> <25>SiCn無加圧焼結体<26>(SSiC)<27> <28> <29> <30>SiC含有量<31> <32>%<33> <34>85<35> <36>80<37> <38>99<39> <40> <41> <42>無料のシリコン含有量<43> <44>%<45> <46>15<47> <48>0<49> <50>0<51> <52> <53> <54>最大。使用温度<55> <56>~<57> <58>1380<59> <60>1550<61> <62>1600<63> <64> <65> <66>密度<67> <68>g/cm3<69> <70>3.02<71> <72>2.72<73> <74>3.1<75> <76> <77> <78>気孔率<79> <80>%<81> <82>0<83> <84>12<85> <86>0<87> <88> <89> <90>曲げ強度<91> <92>20?<93> <94>MPa<95> <96>250<97> <98>160<99> <100>380<101> <102> <103> <104>1200?<105> <106>MPa<107> <108>280<109> <110>180<111> <112>400<113> <114> <115> <116>弾性率<117> <118>20â<119> <120>GPa<121> <122>330<123> <124>220<125> <126>420<127> <128> <129> <130>1200?<131> <132>GPa<133> <134>300<135> <136>/<137> <138>/<139> <140> <141> <142>熱伝導率<143> <144>1200?<145> <146>W/m.k<147> <148>45<149> <150>15<151> <152>74<153> <154> <155> <156>熱膨張係数<157> <158>K-1×10-6<159> <160>4.5<161> <162>5<163> <164>4.1<165> <166> <167> <168>ビッカース硬度<169> <170>HV<171> <172>kg/mm2<173> <174>2500<175> <176>2500<177> <178>2800<179> <180> <181> <182> <183> <184> <185><186> <187>*この表は、当社の SiC 製品および部品の製造に一般的に使用される炭化ケイ素材料の標準特性を示しています。カスタマイズされた炭化ケイ素製品および部品の特性は、関与する特定のプロセスによって異なる場合があることに注意してください。<188> <189> <190> <191> <192> <193> <194>




使用上の注意

1.炭化ケイ素ボールは、表面の埃、不純物、油を除去するために使用前に洗浄する必要があります。
2.炭化ケイ素ボールは、過度の高温や過大な負荷を避ける必要があり、動作中に上限を超えてはなりません。
3.炭化ケイ素ボールは、使用しないときは乾燥した涼しく換気の良い場所に保管し、高湿度の環境を避けてください。

貴重な情報

Silicon Carbide Ceramic Ball Packing

炭化ケイ素セラミックボールパッキン

炭化ケイ素ボールは、潜在的な損傷を避けるために、適切な容器に慎重に梱包されています。

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カスタマイズの利点
カスタマイズの利点

1.アプリケーションシナリオに従って、ニーズを分析し、適切な材料と加工計画を選択します。

2. 専門チームが迅速に対応し、要求を確認してから 24 時間以内にソリューションと見積もりを提供します。

3. 柔軟なビジネス協力メカニズム、少なくとも 1 つの数量カスタマイズをサポートします。

4. 製品がお客様のニーズを満たしていることを確認するために、サンプルとテストレポートを迅速に提供します。

5. 使用コストを削減するために、製品の使用とメンテナンスに関する提案を提供します。

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半導体デバイスの放熱分野における窒化ケイ素基板の応用可能性
インテリジェント情報時代に入ってから、半導体デバイスは急速に私たちの生活を占めるようになりました。ワークから発生する熱は半導体デバイスの故障を引き起こす重要な要因であるため、デバイスの故障に起因する多くのトラブルを回避し、長期間有効かつ安全に動作させるためには、効率的な放熱機能を備える必要があります。システム 現在、業界の「放熱」の取り組みにおいて、新電力セラミック基板の交換は非常に重要な部分です。セラミック基板は、優れた耐高温性、耐食性、高い熱伝導性、高い機械的強度、チップに合わせた熱膨張率、特性劣化が少ないなどの特徴を持ち、金属やプラスチックなどの材料に比べて有利であり、高熱や高温を使用する製品に適しています。過酷な屋外環境に耐えられるため、一般の人々にますます広く受け入れられています[7]。 セラミック基板は、半導体集積回路において次の役割を果たします。チップおよび電子部品に機械的サ...
焼結助剤を最適化してAlN基板の性能を向上
実際の応用では、窒化アルミニウム基板は、高い熱伝導率と高い電気絶縁特性に加えて、多くの分野で高い曲げ強度も要求されます。現在、市場に流通している窒化アルミニウムの三点曲げ強度は通常400~500MPaであり、特に高い信頼性が要求されるIGBTパワーデバイスの分野において、窒化アルミニウムセラミック基板の普及と応用が著しく制限されている。 AlN 材料の複雑な製造プロセスと高い製造コストにより、国内の AlN 材料のほとんどは依然として高熱伝導率と高強度の用途要件を満たすことができません。 窒化アルミニウムセラミック基板の製造では、焼結方法と焼結助剤の選択により、半分の労力で2倍の結果が得られることが多く、現在、焼結助剤の導入は窒化アルミニウムセラミックを焼結するための一般的な方法です。一方で、低温共晶相の形成、液相焼結の実現により、緻密なボディが促進される。一方、窒化アルミニウムは酸素不純...
AlN基板上への厚膜抵抗体の作製技術
マイクロエレクトロニクスのパッケージング技術の継続的な進歩に伴い、電子部品の出力と集積度が大幅に向上し、単位体積あたりの発熱量が大幅に増加し、放熱効率(つまり、放熱効率)に対する要件がより厳しくなりました。 、その熱伝導性能)を備えた新世代の回路基板。現在、研究者らは、窒化アルミニウム (AlN)、炭化ケイ素 (SiC)、酸化ベリリウムなど、熱伝導率の高いさまざまなセラミック基板材料の開発に取り組んでいます。 BeO)。ただし、BeO はその毒性により環境的に制限されています。 SiC は誘電率が高いため、基板材料としての使用には適していません。対照的に、AlN はシリコン (Si) 材料と同様の熱膨張係数と適度な誘電率を備えているため、基板材料として最適な選択肢です。[7] 伝統的に、厚膜スラープは主にアルミナ (Al2O3) 基板用に設計されていますしかし、これらのスラープの組成は、A...

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当社はアルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、石英セラミックスなどの先進的なセラミック材料に主に焦点を当てていますが、常に新しい材料と技術を模索しています。特定の材料要件がある場合は、当社までご連絡ください。お客様のニーズを満たすか、適切なパートナーを見つけるために最善を尽くします。

絶対に。当社の技術チームはセラミック材料に関する深い知識と製品設計における豊富な経験を持っています。お客様の製品の最適なパフォーマンスを確保するために、材料選択のアドバイスと製品設計のサポートを喜んで提供させていただきます

当社には固定の最低注文金額要件はありません。私たちは常にお客様のニーズを満たすことに重点を置き、注文の規模に関係なく、高品質のサービスと製品を提供するよう努めています

セラミック製品に加えて、当社は以下のような追加サービスも提供します。お客様のニーズに基づいて、お客様自身で製造したブランクまたは半完成ブランクを使用したカスタマイズされたセラミック加工サービス。外部委託のセラミックパッケージングおよびメタライゼーションサービスにご興味がございましたら、詳細についてお問い合わせください。当社は、お客様のさまざまなニーズを満たすワンストップ ソリューションを提供することに常に取り組んでいます。

はい、そうです。世界中のどこにお住まいであっても、ご注文の商品を安全かつタイムリーにお届けいたします。

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